发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种在平均显色指数Ra和特殊显色指数R9以高数值维持的状态下、将发光效率的降低尽可能抑制的且在一般照明用途中可以使用的高显色高效率的发光装置。该发光装置具备至少一个发光元件(6)和荧光体层(5)，该发光元件(6)将在近紫外至蓝色区域具有峰值发光波长的光放射，该荧光体层(5)含有：由从发光元件6放射的一次光激发，将在绿色区域具有峰值发光波长的光放射的绿色荧光体；由所述一次光激发，将在红色区域具有峰值发光波长的光放射的第一红色荧光体；由所述一次光激发，将在红色区域具有与所述第一红色荧光体不同的峰值发光波长的光放射的第二红色荧光体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在照明器具、显示装置的光源等上可以利用的发光装置，特别是涉及可以一边将发光亮度维持或将其降低抑制到最小限度、一边实现高显色性的发光装置。
技术介绍
使用了半导体发光元件(以下，适宜称为“发光元件”)的照明装置等的半导体发光装置得到各种开发，用于提高输出性能的手段得到各种研究。特别是在一般照明器具用途上可以使用的发光装置中，在性能上，具有高显色性(基本上平均显色指数Ra为80以上,米国Energy Star规格等)是重要的。作为以半导体发光装置实现白色发光的代表性的方法，可列举如下方法:第一，使用红色、绿色、蓝色发光的三种LED (发光二极管)芯片的方法；第二，使蓝色LED芯片与黄色或橙色荧光体组合的方法；第三，使蓝色LED芯片与绿色荧光体和红色荧光体组合的方法；第四，使紫外发光LED芯片与蓝色荧光体、绿色荧光体和红色荧光体组合的方法。其中一般来说，上述第二或第三种方法被广泛实用化。作为应用上述方法的LED发光装置的构造，一般是将LED芯片装配到配线基板的杯部(凹部)，向该杯部灌注混合有荧光体的透明包封树脂，使之固化而形成含有荧光体的树脂层的构造(例如，参照下述专利文献本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.12.09 JP 2010-2744091.一种发光装置，其特征在于，其具有发光元件和荧光体层，该发光元件将在近紫外至蓝色区域具有峰值发光波长的光放射，且该发光元件至少为一个， 所述荧光体层含有:由从所述发光元件放射的一次光激发，将在绿色区域具有峰值发光波长的光放射的绿色荧光体；由所述一次光激发，将在红色区域具有峰值发光波长的光放射的第一红色荧光体；由所述一次光激发，将在红色区域具有与所述第一红色荧光体不同的峰值发光波长的光放射的第二红色荧光体。2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于， 所述绿色荧光体的峰值发光波长处于510nm以上且550nm以下的波长范围内， 所述第一红色荧光体的峰值发光波长处于610nm以上且低于625nm的波长范围内， 所述第二红色荧光体的峰值发光波长处于625nm以上且670nm以下的波长范围内。3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于， 所述发光元件是将在350nm以上且490nm以下的波长范围内具有峰值发光波长的光放射的LED芯片。4.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于， 所述发光元件是将在430nm以上且490nm以下的波长范围内具有峰值发光波长的光放射的LED芯片。5.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于， 所述发光元件是将在350nm以上且低于430nm的波长范围内具有峰值发光波长的光放射的LED芯片， 所述荧光体层还含有:由从所述发光元件放射的一次光激发，将在430nm以上且490nm以下的波长范围内具有峰值发光波长的光放射的蓝色荧光体。6.根据权利要求3 5中任一项所述的发光装置，其特征在于， 所述发光元件是InGaN系LED芯片。7.根据权利要求1 6中任一项所述的发光装置，其特征在于， 所述绿色荧光体含有Al5LuxOy = Ce系荧光体、Ca3 (Sc, Mg)2Si3012:Ce系荧光体和Al5O12Y3 = Ce系荧光体的任意之一。8.根据权利要求1 7中任一项所述的发光装置，其特征在于， 所述第一和第二红色荧光体分别是(Sr，Ca) AlSiN3 = Eu系荧光体或CaAlSiN3 = Eu系荧光体。9.根据权利要求1 8中任一项所述的发光装置，其特征在于， 将所述第一和第二红色荧光体的合计重量所对应的各自的重量分配进行调整，以使平均显色指数Ra为80 < Ra < 97。10.根据权利要求9所述的发光装置，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：石崎真也，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：
国别省市：