一种电池恒压充电控制电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种电池恒压充电控制电路。电池恒压充电控制电路包括偏置电路、比较电路和输出驱动电路：所述偏置电路是对整个电路提供偏置电流；所述比较电路是对基准电压和电池电压进行比较；所述输出驱动电路是对所述比较电路产生的电压进行驱动输出。利用本实用新型专利技术提供的电池恒压充电控制电路能使整个电池电压充电控制更稳定。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及集成电路技术，尤其涉及到电池恒压充电控制电路。
技术介绍
在电池充电集成电路中，对电池充电电压的要求很高，随着恒定电流充电的进行，电池电压上升，当电池电压达到输出电压时，进入恒定电压充电阶段。在此阶段，电池电压不断上升，被恒定在一定电压，同时充电电流逐渐减小。恒压充电控制电路是在电池充电电压达到一定电压时，输出控制信号，使充电过程进入恒压充电状态。通过电池电压VBAT与基准电压VREF进行比较放大，在VBAT达到输出电压时控制电路进入恒压充电。
技术实现思路
本技术旨在解决现有技术的不足，提供一种对电池充电控制更加稳定的电池恒压充电控制电路。电池恒压充电控制电路，包括偏置电路、比较电路和输出驱动电路:所述偏置电路是对整个电路提供偏置电流；所述比较电路是对基准电压和电池电压进行比较；所述输出驱动电路是对所述比较电路产生的电压进行驱动输出。所述偏置电路包括第一电流源和第一 NPN管:所述第一电流源的一端接电源，另一端接所述第一 NPN管的基极和集电极；所述第一 NPN管的基极和集电极接所述第一电流源的一端，发射极接地。所述比较电路包括第二 NPN管、第三NPN管、第四NPN管、第五NPN管、第六NPN管、第七NPN管、第八NPN管、第九NPN管、第十NPN管、第一 PMOS管、第二 PMOS管和第一电阻:所述第二 NPN管的基极接基准电压，集电极接电源，发射极接所述第三NPN管的基极和集电极；所述第三NPN管的基极和集电极接所述第二 NPN管的发射极，发射极接所述第四NPN管的集电极和所述第七NPN管的基极；所述第四NPN管的基极接所述第一 NPN管的基极和集电极和所述第一电流源的一端和所述第五NPN管的基极和所述第六NPN管的基极，集电极接所述第三NPN管的发射极和所述第七NPN管的基极，发射极接所述第六NPN管的发射极和所述第一电阻的一端；所述第五NPN管的基极接所述第一 NPN管的基极和集电极和所述第一电流源的一端和所述第四NPN管的基极和所述第六NPN管的基极，集电极接所述第七NPN管的发射极和所述第八NPN管的发射极，发射极接地；所述第六NPN管的基极接所述第一 NPN管的基极和集电极和所述第一电流源的一端和所述第四NPN管的基极和所述第五NPN管的基极，集电极接所述第八NPN管的基极和所述第九NPN管的发射极，发射极接所述第四NPN管的发射极和所述第一电阻的一端；所述第七NPN管的基极接所述第三NPN管的发射极和所述第四NPN管的集电极，集电极接所述第一 PMOS管的栅极和漏极，发射极接所述第八NPN管的发射极和第五NPN管的集电极；所述第八NPN管的基极接所述第九NPN管的发射极和所述第六NPN管的集电极，集电极接所述第二 PMOS管的栅极和漏极，发射极接所述第七NPN管的发射极和所述第五NPN管的集电极；所述第九NPN管的基极和集电极接所述第十NPN管的发射极，发射极接所述第八NPN管的基极和所述第六NPN管的集电极；所述第十NPN管的基极接电池电压，集电极接电源，发射极接所述第九NPN管的基极和集电极；所述第一 PMOS管的栅极和漏极接所述第七NPN管的集电极，源极接电源；所述第二 PMOS管的栅极和漏极接所述第八NPN管的集电极，源极接电源；所述第一电阻的一端接所述第四NPN管的发射极和所述第六NPN管的发射极，另一端接地。所述输出驱动电路包括第三PMOS管、第四PMOS管、第i^一 NPN管、第十二 NPN管和第十三NPN管:所述第三PMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的栅极和漏极和所述第七NPN管的集电极，漏极接所述第十一 NPN管的基极和集电极和所述第十二 NPN管的基极，源极接电源；所述第四PMOS管的栅极接所述第二 PMOS管的基极和漏极和所述第八NPN管的集电极，漏极接所述第十二 NPN 管的集电极，源极接电源；所述第i^一 NPN管的基极和集电极接所述第三PMOS管的漏极和所述第十二 NPN管的基极，发射极接所述第十二 NPN管的发射极和所述第十三NPN管的集电极；所述第十二 NPN管的基极接所述第i^一 NPN管的基极和集电极和所述第三PMOS管的漏极，集电极接所述第四PMOS管的漏极，发射极接所述第十一 NPN管的发射极和所述第十三NPN管的集电极；所述第十三NPN管的基极接所述第一 NPN管的基极和集电极和所述第一电流源的一端和所述第四NPN管的基极和所述第五NPN管的基极和所述第六NPN管的基极，集电极接所述第十一 NPN管的发射极和所述第十二 NPN管的发射极，发射极接地。利用本技术提供的电池恒压充电控制电路能使整个电池电压充电控制更稳定。附图说明图1为本技术的电池恒压充电控制电路的电路图。具体实施方式以下结合附图对本
技术实现思路
进一步说明。电池恒压充电控制电路，如图1所示，包括偏置电路、比较电路和输出驱动电路:所述偏置电路是对整个电路提供偏置电流；所述比较电路是对基准电压和电池电压进行比较；所述输出驱动电路是对所述比较电路产生的电压进行驱动输出。所述偏置电路包括第一电流源101和第一 NPN管102:所述第一电流源101的一端接电源VCC，另一端接所述第一NPN管102的基极和集电极；所述第一 NPN管102的基极和集电极接所述第一电流源101的一端，发射极接地。所述比较电路包括第二 NPN管103、第三NPN管104、第四NPN管105、第五NPN管106、第六NPN管107、第七NPN管108、第八NPN管109、第九NPN管110、第十NPN管111、第一 PMOS 管 112、第二 PMOS 管 113 和第一电阻 114:所述第二 NPN管103的基极接基准电压VREF，集电极接电源VCC，发射极接所述第三NPN管104的基极和集电极；所述第三NPN管104的基极和集电极接所述第二 NPN管103的发射极，发射极接所述第四NPN管105的集电极和所述第七NPN管108的基极；所述第四NPN管105的基极接所述第一 NPN管102的基极和集电极和所述第一电流源101的一端和所述第五NPN管106的基极和所述第六NPN管107的基极，集电极接所述第三NPN管104的发射极和所述第七NPN管108的基极，发射极接所述第六NPN管107的发射极和所述第一电阻114的一端；所述第五NPN管106的基极接所述第一 NPN管102的基极和集电极和所述第一电流源101的一端和所述第四NPN管105的基极和所述第六NPN管107的基极，集电极接所述第七NPN管108的发射极和所述第八NPN管109的发射极，发射极接地；所述第六NPN管107的基极接所述第一 NPN管102的基极和集电极和所述第一电流源101的一端和所述第四NPN管105的基极和所述第五NPN管106的基极，集电极接所述第八NPN管109的 基极和所述第九NPN管110的发射极，发射极接所述第四NPN管105的发射极和所述第一电阻114的一端；所述第七NPN管108的基极接所述第三NPN管104的发射极和所述第四NPN管105的集电极，集电极接所述第一 PMOS管112的栅极和漏极，发射极接所述第八NPN管109的发射极和第五NPN管106的集电极；所述第八NPN本文档来自技高网...

【技术保护点】
电池恒压充电控制电路，其特征在于包括偏置电路、比较电路和输出驱动电路：所述偏置电路是对整个电路提供偏置电流；所述比较电路是对基准电压和电池电压进行比较；所述输出驱动电路是对所述比较电路产生的电压进行驱动输出。

【技术特征摘要】
1.电池恒压充电控制电路，其特征在于包括偏置电路、比较电路和输出驱动电路: 所述偏置电路是对整个电路提供偏置电流； 所述比较电路是对基准电压和电池电压进行比较； 所述输出驱动电路是对所述比较电路产生的电压进行驱动输出。2.如权利要求1所述的电池恒压充电控制电路，其特征在于所述偏置电路包括第一电流源和第一 NPN管: 所述第一电流源的一端接电源，另一端接所述第一 NPN管的基极和集电极； 所述第一 NPN管的基极和集电极接所述第一电流源的一端，发射极接地。3.如权利要求1所述的电池恒压充电控制电路，其特征在于所述比较电路包括第二NPN管、第三NPN管、第四NPN管、第五NPN管、第六NPN管、第七NPN管、第八NPN管、第九NPN管、第十NPN管、第一 PMOS管、第二 PMOS管和第一电阻: 所述第二 NPN管的基极接基准电压，集电极接电源，发射极接所述第三NPN管的基极和集电极； 所述第三NPN管的基极和集电极接所述第二 NPN管的发射极，发射极接所述第四NPN管的集电极和所述第七NPN管的基极； 所述第四NPN管的基极接所述第一 NPN管的基极和集电极和所述第一电流源的一端和所述第五NPN管的基极和所述第六NPN管的基极，集电极接所述第三NPN管的发射极和所述第七NPN管的基极，发射极接所述第六NPN管的发射极和所述第一电阻的一端； 所述第五NPN管的 基极接所述第一 NPN管的基极和集电极和所述第一电流源的一端和所述第四NPN管的基极和所述第六NPN管的基极，集电极接所述第七NPN管的发射极和所述第八NPN管的发射极,发射极接地； 所述第六NPN管的基极接所述第一 NPN管的基极和集电极和所述第一电流源的一端和所述第四NPN管的基极和所述第五NPN管的基极，集电极接所述第八NPN管的基极和所述第九NPN管的发射极，发射极接所述第四NPN管的发射极和所述第一电阻的一端； 所述第七NPN管的基极接所述第三NPN管的发射极和所述第四NPN管的集电极，集电极接所述第一 PMOS管的栅极和漏极，发射极...

【专利技术属性】
技术研发人员：王文建，
申请(专利权)人：浙江商业职业技术学院，
类型：实用新型
国别省市：