【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及新材料
和仪器仪表
,是一种在远红外与太赫兹波段的高吸收率材料和太赫兹辐射计探测器靶面材料,特别是一种在太赫兹波段具有宽带(覆盖频率大于0.05THZ以上频段,对应波长小于6mm)高吸收率(吸收率可高达99.9% )涂层的制备方法。
技术介绍
太赫兹是指频率位于0.1-1OTHz的电磁辐射,在电磁波谱上位于光学的红外和电磁学的毫米波之间的带隙。长期以来,由于缺乏有效的产生和测量技术,太赫兹成为电磁波谱中人类有待认识的最后一个窗口。随着光学与电子学技术的发展,各类商品化的太赫兹辐射源、太赫兹探测器、太赫兹光谱仪、太赫兹成像仪不断涌现。目前太赫兹技术已广泛应用于材料成分识别、生物样品测试、食品安全检查、药品成分分析、疾病预防筛查、天文观测和环境监测等领域。然而太赫兹辐射参数的绝对计量却长期处于空白状态。国际上的太赫兹源和测量设备量值无法溯源,测量准确度和有效性无法评估。2009年,德国国家计量院的AndreasSteiger等将太赫兹辐射量值溯源至低温辐射计,在国际上首次实现了 2.5THz频率处太赫兹辐射度的量值溯源。可是由于低温辐射计吸 ...
【技术保护点】
一种在太赫兹波段具有宽带高吸收率涂层的制备方法,包括如下步骤:步骤1:取碳化硅颗粒和黑漆涂料;步骤2:将碳化硅颗粒和黑漆涂料混合;步骤3:将混合后的碳化硅颗粒和黑漆涂料喷涂在基底材料的表面;步骤4:将喷涂有混合后的碳化硅颗粒和黑漆涂料的基底材料晾干或烘干,完成制备。
【技术特征摘要】
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