工业相机的SD卡电源控制电路制造技术

技术编号:8898761 阅读:263 留言:0更新日期:2013-07-09 01:34
本实用新型专利技术公开一种工业相机的SD卡电源控制电路,包括一个控制端PWR和一个SD卡供电端VDD,还包括一个将5伏电压转变为3.3伏的转换芯片T和一个控制电路;所述的控制电路由电阻R20、电阻R21、电阻R22、电阻R23、三极管Q1、场效应管Q2、发光二极管D1、自恢复保险丝U1构成;这种工业相机的SD卡电源控制电路的好处是:当需要访问时可以通过给控制端PWR信号来使三极管Q1和场效应管Q2工作,使SD卡供电端VDD变为高电平进行供电;同时,平时不同时,则可使SD卡供电端VDD变为低电平,使SD卡断电;这样可以有效降低电耗,延长SD卡的使用寿命;同时SD卡不易被烧毁,安全性也更高。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种工业相机,尤其是一种工业相机的SD卡电源控制电路
技术介绍
工业相机是机器视觉系统中的一个关键组件,其最本质的功能就是将光信号转变成电信号。选择合适的相机也是机器视觉系统设计中的重要环节,相机的不仅是直接决定所采集到的图像分辨率、图像质量等,同时也与整个系统的运行模式直接相关。现在,越来越多的监控、检测场合都采用工业相机。SD卡是工业相机的重要组成部件,在现有的工业相机中,一旦工业相机开启,SD卡就处于得电状态,无论是否访问SD卡,SD卡都将消耗电能,这样的工业相机存在两个缺点:1、耗电;2、SD卡使用寿命短。现在,没有一种专用的SD卡电源控制电路,因为控制器不能直接控制SD卡通断电,因此必须设计一种专用的SD卡电源控制电路,以实现SD卡仅在需要被访问时得电工作,方便控制器直接控制SD卡通断电。因此有必要对现有的工业相机进行改进。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决上述技术的不足而设计的一种工业相机的SD卡电源控制电路,通过这种电路可以使SD卡仅在需要被访问时得电工作。本技术所设计的工业相机的SD卡电源控制电路,包括一个控制端PWR和一个SD卡供电端VDD,还包括一个将5伏电压转变为3.3伏的转换芯片T和一个控制电路;所述的控制电路由电阻R20、电阻R21、电阻R22、电阻R23、三极管Ql、场效应管Q2、发光二极管Dl、自恢复保险丝Ul构成;所述转换芯片T的电源输出端连接电阻R21,电阻R21连接电阻R22,电阻R22两端分别连接三极管Ql的基极和场效应管Q2的栅极,所述控制端PWR通过电阻R20也连接三极管Ql的基极;所述转换芯片T的电源输出端还连接场效应管Q2的源极,所述场效应管Q2的栅极连接所述三极管Ql的集电极,所述场效应管Q2的漏极连接所述三极管Ql的集电极并且场效应管Q2的漏极通过电阻R23和发光二极管Dl接地;所述三极管Ql的发射极接地;所述场效应管Q2的漏极通过自恢复保险丝Ul连接所述SD卡供电端 VDD。作为优选:所述电阻R20的阻值为3K欧,所述电阻R21阻值为IOK欧,所述电阻R22的阻值为3K欧,所述电阻R23的阻值为IK欧,所述三极管Ql的型号为2SC8050型,所述场效应管Q2的型号为A03401型;所述的转换芯片T为LMl117-3.3电压转换芯片,该芯片的IN脚连接+5V输入端,OUT脚为该芯片的电源输出端,GND脚接地;所述的+5V输入端通过二极管D2和续流电感LI连接所述转换芯片T的IN脚;最好是所述二极管D2为IN5819型,所述电感LI为ImH的电感。本技术所设计的工业相机的SD卡电源控制电路,其有益效果是:1、当需要访问时可以通过给控制端PWR信号来使三极管Ql和场效应管Q2工作,使SD卡供电端VDD变为高电平进行供电;同时,平时不同时,则可使SD卡供电端VDD变为低电平,使SD卡断电;这样可以有效降低电耗,延长SD卡的使用寿命;2、场效应管Q2的漏极通过自恢复保险丝Ul连接所述SD卡供电端VDD,这样可以防止在出现异常情况时SD卡被烧毁,因此安全性更好。附图说明图1是实施例1结构示意图图2是实施例2结构示意图图3是实施例3结构示意图具体实施方式下面通过实施例结合附图对本技术作进一步的描述。实施例1:如图1所示,本实施例所描述的工业相机的SD卡电源控制电路,包括一个控制端PWR和一个SD卡供电端VDD,还包括一个将5伏电压转变为3.3伏的转换芯片T和一个控制电路;所述的控制电路由电阻R20、电阻R21、电阻R22、电阻R23、三极管Ql、场效应管Q2、发光二极管Dl、自恢复保险丝Ul构成;所述转换芯片T的电源输出端连接电阻R21,电阻R21连接电阻R22,电阻R22两端分别连接三极管Ql的基极和场效应管Q2的栅极,所述控制端PWR通过电阻R20也连接三极管Ql的基极;所述转换芯片T的电源输出端还连接场效应管Q2的源极,所述场效应管Q2的栅极连接所述三极管Ql的集电极,所述场效应管Q2的漏极连接所述三极管Ql的集电极并且场效应管Q2的漏极通过电阻R23和发光二极管Dl接地;所述三极管Ql的发射极接地;所述场效应管Q2的漏极通过自恢复保险丝Ul连接所述SD卡供电端VDD。其中:所述电阻R20的阻值为3K欧,所述电阻R21阻值为IOK欧,所述电阻R22的阻值为3K欧,所述电阻R23的阻值为IK欧,所述三极管Ql的型号为2SC8050型,所述场效应管Q2的型号为A03401型;转换芯片T采用常用的电压转换芯片。本实施例所描述的工业相机的SD卡电源控制电路,其有益效果是:1、当需要访问时可以通过给控制端PWR信号来使三极管Ql和场效应管Q2工作,使SD卡供电端VDD变为高电平进行供电;同时,平时不同时,则可使SD卡供电端VDD变为低电平,使SD卡断电;这样可以有效降低电耗,延长SD卡的使用寿命;2、场效应管Q2的漏极通过自恢复保险丝Ul连接所述SD卡供电端VDD,这样可以防止在出现异常情况时SD卡被烧毁,因此安全性更好。实施例2:如图2所示,本实施例所描述的工业相机的SD卡电源控制电路,与实施例1不同的是:所述的转换芯片T为LMl117-3.3电压转换芯片,该芯片的IN脚连接+5V输入端,OUT脚为该芯片的电源输出端,GND脚接地;这样变压效果更为稳定。实施例3:如图3所示,本实施例所描述的工业相机的SD卡电源控制电路,与实施例1不同的是:所述的+5V输入端通过二极管D2和续流电感LI连接所述转换芯片T的IN脚;最好是所述二极管D2为IN5819型,所述电感LI为ImH的电感。这样供电更为安全,不怕总电源短暂的断电。本文中所描述的具体实施例仅仅是对本技术的构思作举例说明。本技术所属
的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代,但并不会偏离本技术的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。权利要求1.一种工业相机的SD卡电源控制电路,包括一个控制端PWR和一个SD卡供电端VDD,其特征是还包括一个将5伏电压转变为3.3伏的转换芯片T和一个控制电路;所述的控制电路由电阻R20、电阻R21、电阻R22、电阻R23、三极管Q1、场效应管Q2、发光二极管D1、自恢复保险丝Ul构成;所述转换芯片T的电源输出端连接电阻R21,电阻R21连接电阻R22,电阻R22两端分别连接三极管Ql的基极和场效应管Q2的栅极,所述控制端PWR通过电阻R20也连接三极管Ql的基极;所述转换芯片T的电源输出端还连接场效应管Q2的源极,所述场效应管Q2的栅极连接所述三极管Ql的集电极,所述场效应管Q2的漏极连接所述三极管Ql的集电极并且场效应管Q2的漏极通过电阻R23和发光二极管Dl接地;所述三极管Ql的发射极接地;所述场效应管Q2的漏极通过自恢复保险丝Ul连接所述SD卡供电端VDD。2.根据权利要求1所述的工业相机的SD卡电源控制电路,其特征是所述电阻R20的阻值为3K欧,所述电阻R21阻值为IOK欧,所述电阻R22的阻值为3K欧,所述电阻R23的阻值为IK欧,所述三极管Ql的型号为2SC8050型,所述场效应管Q2的型号为A03401型。3.根据权利要求1或2所述的工业相机的SD卡电源控制电路,其特征本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种工业相机的SD卡电源控制电路,包括一个控制端PWR和一个SD卡供电端VDD,其特征是还包括一个将5伏电压转变为3.3伏的转换芯片T和一个控制电路;所述的控制电路由电阻R20、电阻R21、电阻R22、电阻R23、三极管Q1、场效应管Q2、发光二极管D1、自恢复保险丝U1构成;所述转换芯片T的电源输出端连接电阻R21,电阻R21连接电阻R22,电阻R22两端分别连接三极管Q1的基极和场效应管Q2的栅极,所述控制端PWR通过电阻R20也连接三极管Q1的基极;所述转换芯片T的电源输出端还连接场效应管Q2的源极,所述场效应管Q2的栅极连接所述三极管Q1的集电极,所述场效应管Q2的漏极连接所述三极管Q1的集电极并且场效应管Q2的漏极通过电阻R23和发光二极管D1接地;所述三极管Q1的发射极接地;所述场效应管Q2的漏极通过自恢复保险丝U1连接所述SD卡供电端VDD。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:过森君卓薇
申请(专利权)人:宁波高新区天视光电科技有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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