模糊减少的用于增加像素化OLED输出的光提取膜制造技术

本发明专利技术公开用于在不会引入显著的像素模糊现象的情况下增强来自自发光像素化OLED的光提取的光学膜。所述提取膜包括柔性载体膜和由所述载体膜承载的第一层和第二层。所述第一层具有纳米空隙形态，包括聚合物粘合剂，并且可以具有小于1.35或1.3的折射率。光提取元件的嵌入式结构化表面形成于所述第一层与所述第二层之间。所述提取膜包括适于附着到所述光源的外表面的主要耦合表面。所述膜被构造为使得所述结构化表面与所述主要耦合表面之间的接合部部分比指定量薄，例如，小于50、25或10微米，或小于所述载体膜的厚度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术整体涉及具有结构化表面的光学膜，所述结构化表面经定制以耦合从固态自发光照明器件发出的光，从而增加所述照明器件的亮度，并且本专利技术特别可应用于被称为有机发光器件(OLED)(有时也称为有机发光二极管)的自发光照明器件。本专利技术还涉及相关的制品、系统和方法。
技术介绍
已知多种多样的0LED。称为“底部发射” OLED —些OLED发射光穿过上面制造有OLED的透明基底。称为“顶部发射”0LED的其他OLED在相对方向上，即远离上面制造有OLED的基底发射光。一些OLED被图案化以形成一阵列的可单独定址的OLED发射器，单独地称为像素(像元)或子像素(被集合于一起而成为一像素但为可单独定址的不同颜色的若干个相邻发射器之一)。这样的像素化OLED正变得愈加普遍地用于数字显示器件(例如移动电话和类似的最终用途)中。与像素化OLED形成对比，其他OLED被设计成仅具有一个发射区域，所述发射区域取决于预期应用而可以是小又狭窄的或是大又宽阔的。一些OLED制造商和设计者所关注的一个问题是归因于OLED的设计的特质而表现的不太理想的效率。OLED或任何其他自发光光源的外部效率可以通过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.10.20 US 12/908,8041.一种用于增强从具有外表面的自发光像素化光源进行的光提取的光学提取膜，所述提取膜具有适于附着到所述光源的所述外表面的主要耦合表面，所述提取膜包括: 柔性载体膜；和 由所述载体膜承载的第一层和第二层，所述第一层和所述第二层在彼此之间界定形成光提取元件的结构化表面的嵌入式界面； 其中所述第一层具有纳米空隙形态并且包含聚合物粘合剂，所述第一层还安置于所述第二层与所述载体膜之间；和 其中所述第二层具有大于所述第一层的折射率的折射率，并且所述第一层的折射率小于 1.35。2.根据权利要求1所述的提取膜，其中所述主要耦合表面为所述第二层的与所述结构化表面相背对的表面，并且其中所述第二层包括在所述结构化表面与所述主要耦合表面之间的接合部部分。3.根据权利要求2所述的提取膜，其中所述接合部部分的厚度小于50微米。4.根据权利要求3所述的提取膜，其中所述接合部部分的厚度小于25微米。5.根据权利要求4所述的提取膜，其中所述接合部部分的厚度小于10微米。6.根据权利要求2所述的提取膜，其中所述接合部部分的厚度在从0.1到25微米的范围中。7.根据权利要求2所述的提取膜，其中所述接合部部分比所述载体膜薄。8.根据权利要求1所述的提取膜，其中所述第一层的折射率小于1.3。9.根据权利要求1所述的提取膜，其中所述第二层的折射率大于1.4。10.根据权利要求1所述的提取膜，其中所述第一层与所述第二层之间的折射率差为至少0.3、或至少0.4、或至少0.5。11.根据权利要求1所述的提取膜，其中所述第二层包含透光聚合物。12.根据权利要求11所述的提取膜，其中所述透光聚合物包含透光粘弹性材料。13.根据权利要求1所述的提取膜，还包含覆盖所述主要耦合表面的防粘衬垫或保护胶。14.根据权利要求1所述的提取膜，其中所述光提取元件的间距大于I微米。15.一种由根据权利要求1所述的提取膜与所述自发光像素化光源组合所形成的组合件，其中所述提取膜耦合到所述自发光像素化光源以增强从所述自发光像素化光源的光提取。16.根据权利要求15所述的组合件，其中所述提取膜在其与所述自发光像素化光源的所述外表面之间无气隙的情况下...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴维·S·汤普森，马丁·B·沃克，谢尔盖·拉曼斯基，杨朝晖，张俊颖，郝恩才，威廉·布雷克·科尔布，奥德蕾·A·舍曼，凯文·R·谢弗，
申请(专利权)人：三M创新有限公司，
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