一种基于Ge2Se2Te5的忆阻器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种基于Ge2Se2Te5的忆阻器，从上往下依次包括上导电电极、中间功能层和下导电电极，中间功能层采用Ge2Se2Te5材料。本实用新型专利技术忆阻器能够在循环的正负电压下进行稳定快速的高低阻切换，可应用于未来高密度低功耗的非易失性存储器；该器件制备工艺简单，GST作为功能材料性能稳定、成本低，满足大规模量产的需求。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于微电子材料与半导体器件领域，具体涉及一种基于硫系化合物Ge2Se2Te5 (GST)的忆阻器。
技术介绍
1971年加州大学伯克利分校的蔡少堂教授理论推导出忆阻器的存在。忆阻器是一种除电阻、电容、电感以外的新型的二端无源电子元器件，它的电阻随流过的电荷量而变化。忆阻器在集成度、功耗、速度、可靠性等方面的潜在优势，能满足新型电子存储材料和器件的大容量、低功耗发展趋势，能够替代闪存(flash)、动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)，成为下一代高速非易失性存储器。忆阻器的电荷记忆特性与生物神经元突触的学习功能极为相似，是实现认知存储、人工智能的理想电子器件。2008年惠普公司的科研研究人员首次展示了具有Pt/Ti02/Pt器件结构的忆阻器器件，该器件单元由两钼金电极及夹在电极间的TiO2薄膜构成。其中，功能材料作为最关键的材料，而被广泛研究，主要集中在对过渡金属氧化物、固态电解质和有机物的研究，但这些材料都不是理想的忆阻器材料，无法被广泛应用。研究开发新的忆阻器功能材料，使器件同时具有功耗低、操作速度快、高可靠性、高密度、低成本等多种优点或者在单方面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于Ge2Se2Te5的忆阻器，其特征在于，从上往下依次包括上导电电极、中间功能层和下导电电极，中间功能层采用Ge2Se2Te5材料。

【技术特征摘要】
1.一种基于Ge2Se2Te5的忆阻器，其特征在于，从上往下依次包括上导电电极、中间功能层和下导电电极，中间功能层采用Ge2Se2Te5材料。2.根据权利要求2所述的忆阻器，其特征在于，还包括位于下导电电极下部的下电极引导层。3.根据权利要求1或2所述的忆阻器，其特征在于，所述中间功能层为10 50nm。4.根据权利要求1或2所述的忆阻器，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：缪向水，王青，孙华军，徐小华，张金箭，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：实用新型
国别省市：