涡流流量计制造技术

本发明专利技术涉及一种涡流流量计(1)，其带有可由介质流过的测量管(2)、设置在测量管(2)中的用于在介质中产生漩涡的阻流体(3)并且带有设置在阻流体(3)的作用区域中的偏转体(4)，其通过伴随着介质中的漩涡的压力波动可偏转。在测量管中填充有介质的空间与测量管外无介质的空间之间没有管路连接的涡轮流量计由此来实现，即布置在测量管(2)之外的至少一个磁场产生装置(5a,5b)在偏转体(4)的区域中产生磁场，偏转体(4)具有不同于介质的导磁性且影响磁场，并且用于检测在偏转体(4)的区域中的磁场的至少一个磁场检测装置(6,6a,6b)布置在测量管(2)之外。

【技术实现步骤摘要】
涡流流量计
本专利技术涉及一种涡流流量计，其带有可由介质流过的测量管、设置在测量管中的用于在介质中产生漩涡的阻流体(Staukoerper)并且带有设置在阻流体的作用区域中的偏转体(Auslenkkoerper)，其通过伴随着介质中的漩涡的压力波动能够偏转。
技术介绍
涡流流量计长久以来已知，其中，测量原理以此为基础，即在液态的或者气态的介质中在阻流体(其由介质绕流)之后可构造有涡街，其通过随着流动向前运动的、由阻流体分出的漩涡来形成。漩涡从阻流体分出的频率取决于流动速度，其中，该关系在一定的前提下接近线性。无论如何，漩涡频率的测量是用于确定介质流动速度的合适的手段，因此在附加地考虑例如压力和温度的情况下间接地通过漩涡频率测量来确定体积流量和质量流量是可能的。介质的在涡街中出现的漩涡导致局部的压力波动，其作用于偏转体并且由它来探测。偏转体可以是压力传感器，其例如以压电元件来实现，或者是电容性的压力传感器，在其中即使在很小的范围中传感器元件经历偏转。重要的仅是，偏转体如此布置在涡街中，使得由阻流体产生的漩涡(至少间接地)经过偏转体并且因此可探测。对此，偏转体可在下游设置在阻流体之后，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种涡流流量计(1)，其带有可由介质流过的测量管(2)、设置在所述测量管(2)中的用于在所述介质中产生漩涡的阻流体(3)并且带有设置在所述阻流体(3)的作用区域中的偏转体(4)，其通过伴随着所述介质中的漩涡的压力波动能够偏转，其特征在于，布置在所述测量管(2)之外的至少一个磁场产生装置(5a,?5b)在所述偏转体(4)的区域中产生磁场，所述偏转体(4)具有不同于所述介质的导磁性且影响所述磁场，并且用于检测在所述偏转体(4)的区域中的磁场的至少一个磁场检测装置(6,?6a,?6b)布置在所述测量管(2)之外。

【技术特征摘要】
2011.12.02 DE 102011119981.41.一种涡流流量计(1)，其带有可由介质流过的测量管(2)、设置在所述测量管(2)中的用于在所述介质中产生漩涡的阻流体(3)并且带有设置在所述阻流体(3)的作用区域中的偏转体(4)，其通过伴随着所述介质中的漩涡的压力波动能够偏转，其中，布置在所述测量管(2)之外的至少一个磁场产生装置(5a,5b)在所述偏转体(4)的区域中产生磁场，其中，所述偏转体(4)具有不同于所述介质的导磁性且影响所述磁场，并且其中，用于检测在所述偏转体(4)的区域中的磁场的至少一个磁场检测装置(6,6a,6b)布置在所述测量管(2)之外，其特征在于，所述磁场产生装置(5a,5b)具有围绕所述测量管(2)的周缘的至少一个第一激励线圈(5a)，其中，所述第一激励线圈(5a)在加载有电流时产生在所述测量管(2)的轴向延伸中定向的或垂直于轴向延伸定向的磁场，所述磁场产生装置(5a,5b)邻近于所述第一激励线圈(5a)附加地具有围绕所述测量管(2)的周缘的第二激励线圈(5b)，其中，所述第二激励线圈(5b)在加载有电流时产生在所述测量管(2)的轴向延伸中定向的磁场，其中，所述偏转体(4)布置在所述第一激励线圈(5a)与所述第二激励线圈(5b)之间的无场的区域中，并且用于检测磁场的所述磁场检测装置(6)包括至少一个第一探测器线圈(6a)并且所述第一探测器线圈(6a)布置成使得所述磁场的被所述偏转体(4)影响的部分至少部分地穿过所述第一探测器线圈(6a)。2.根据权利要求1所述的涡流流量计(1)，其特征在于，所述第一激励线圈(5a)和所述第二激励线圈(5b)在加载有电流时产生彼此反向的磁...

【专利技术属性】
技术研发人员：K戈斯纳，
申请(专利权)人：克洛纳测量技术有限公司，
类型：发明
国别省市：