一种负离子制冷发生器制造技术

技术编号:8763511 阅读:184 留言:0更新日期:2013-06-07 13:32
本发明专利技术公布一种负离子制冷发生器。该发明专利技术用半导体致冷块做冷源,用超声波发生装置作为水雾发生装置,将致冷室与半导体致冷块安装固定在一起,所述的致冷室将来自集雾室的水雾冷却后,由雾化头喷出,由于在雾化头上加入高压电源,致使雾化头喷出的水雾不但具有较低的温度,而且带有大量的负离子。该发明专利技术结构简单,实用方便,消除了臭氧,产生了大量的负离子。?

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种负离子制冷发生器,该专利技术包括超声波发生器(1);集雾室(2);吸管(3);混合室(4);自保继电器(5);仪表板(6);时间继电器(7);导向叶片(8);风机(9);过滤网(10);进气道(11);高压电发生模块(12);雾化头(13);致冷室(14);散热片(15);半导体致冷块(16);抽风机(17);机体(18);散热风扇(19),其特征是:该专利技术在超声波发生器(1)的上部设置集雾室(2),在集雾室(2)的上端设置机体(18),在机体(18)最上端的一侧,设置导向叶片(8),在导向叶片(8)的后部设置风机(9),在风机(9)的后下方设置有过滤网(10),过滤网(10)处于混合室(4)的上口部位,在机体(18)的后侧设置进气道(11),进气道(11)与混合室(4)的上口部位以及过滤网(10)相通,在混合室(4)的侧壁设置有雾化头(13),雾化头(13)通过电线与设置在机体(18)内的高压电源发生模块(12)相连,在机体(18)的内部,设置致冷室(14)为空心结构,在致冷室(14)的一侧与半导体致冷块(16)的冷面相连,在半导体致冷块(16)的热面,安装固定散热片(15),在散热片(15)的后面设置制散热风扇(19)。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:陈德明
申请(专利权)人:江苏仁安高新技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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