一种IGBT版图制造技术

本实用新型专利技术提供了一种IGBT版图，包括有源区、终端区、栅极压焊点、源极压焊点和至少一条gate?finger，其中，所述终端区位于所述有源区的外围，所述栅极压焊点、所述源极压焊点和所述gate?finger位于所述有源区的内部，该IGBT版图还包括gate?bus，所述gate?bus位于所述有源区的至少两条边的外侧且位于所述有源区与所述终端区之间，其中的两条边处于相对的位置；其中，所述gate?finger连接所述栅极压焊点和所述gate?bus。本实用新型专利技术通过gate?finger和gate?bus将栅压传导到各个元胞处，能够确保处于不同位置的元胞充分开启，使得电流分布均匀。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体
，尤其涉及一种IGBT版图。
技术介绍
绝缘栅双极晶体管(IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor)是新型的大功率器件，它集MOSFET栅极电压控制特性和双极型晶体管低导通电阻特性于一身，改善了器件耐压和导通电阻相互牵制的情况，具有高电压、大电流、高频率、功率集成密度高、输入阻抗大、导通电阻小、开关损耗低等优点。在变频家电、工业控制、电动及混合动力汽车、新能源、智能电网等领域获得了广泛的应用空间。IGBT在版图的实现上，是由有源区、终端区、栅极压焊点、源极压焊点等构成。有源区由元胞并联形成，终端区围绕有源区的外侧，栅极压焊点和源极压焊点分别与元胞的栅极和源极相连。除了元胞和终端结构设计对IGBT器件性能有十分重要的影响外，IGBT版图布局，如栅极压焊点、源极压焊点的位置，排列方式，与元胞栅极、源极的连接方式，元胞和终端衔接，拐角的处理等等都会对器件的参数、良率及可靠性产生很大的影响。目前，通常采用的版图布局是如日本专利特开平9-139496(公开日1997年5月27日)中提供的版图。如图1所示，包括由元胞并联形成的有源区0本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种IGBT版图，包括有源区、终端区、栅极压焊点、源极压焊点和至少一条gate?finger，其中，所述终端区位于所述有源区的外围，所述栅极压焊点、所述源极压焊点和所述gate?finger位于所述有源区的内部，其特征在于，还包括gate?bus，所述gate?bus位于所述有源区的至少两条边的外侧且位于所述有源区与所述终端区之间，其中的两条边处于相对的位置；其中，所述gatefinger连接所述栅极压焊点和所述gate?bus。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：喻巧群，张杰，朱阳军，左小珍，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，上海联星电子有限公司，江苏中科君芯科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：