一种浪涌抑制电路制造技术

技术编号:8720375 阅读:131 留言:0更新日期:2013-05-17 21:42
本实用新型专利技术公开了一种浪涌抑制电路,包括电压输入端、电压输出端、第一场效应管、第二场效应管、电阻、PWM输入端,所述的第一场效应管的源极与所述的电压输入端连接,所述的第二场效应管的源极与所述的电压输入端连接,所述的电阻一端与所述的电压输入端连接,所述第一场效应管的漏极与所述的电阻另一端及所述的电压输出端连接,所述的第二场效应管的漏极与所述的电阻另一端连接,所述的第一场效应管的栅极与所述的PWM输入端连接,所述的第二场效应管与所述的PWM输入端连接。本实用新型专利技术可以有效抑制电源开关时的浪涌电压,并在电源稳定工作时不影响电压输出,减少不必要的功率损耗,可用于高功率电路、能承受连续脉冲冲击。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电源保护电路,特别涉及电容滤波电路的浪涌抑制。
技术介绍
目前的各种电器中,大量存在整流电路,如市电经整流、电容滤波,再给开关电源的变换电路供电;再如传统电源,市电经变压器降压后,经整流、电容滤波后给其他电路供电,这类电器在电源开关接通瞬间,由于滤波电容的存在,滤波电容两端电压瞬间从OV充电至额定工作电压,会产生很大的浪涌电压以及浪涌电流,浪涌电流不仅缩短了滤波电容的寿命,同时也对整流电路中的二极管、保险丝、电源中布线、走线都有较大冲击。传统的抑制浪涌电流的方法是在整流电路的回路中,串入合适的负温度系数的热敏电阻(NTC),热敏电阻在常态下其阻值较大,电源开关接通瞬间,热敏电阻阻值较大,限制了对电容的充电电流,从而抑制了浪涌电流,热敏电阻由于发热,其阻值因发热而减少,以减少电阻自身功耗和降低对电路效率的影响。这种方法简单可行,但若短时断电,由于热敏电阻冷却时间较长,在热敏电阻未冷却时,若电源开关再次接通或电路重新上电,这时产生的浪涌会很大,热敏电阻的保护作用会下降,甚至完全失去作用。电路正常工作时热敏电阻串入电路回路会产生很大损耗,减低电源效率,而且不适用于抑制连续脉冲。在现有技术中,比较有效的一种解决方法,参见附图说明图1,该电路包括电压输入端Vin-,电压输出端Vout-、M0S管Q1、三极管Q2、电容C、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3,电压输入端Vin-分别与MOS管Ql的源极及三极管Q2的发射极连接,上述的电压输入端还通过第一电阻Rl与MOS管Ql的漏极相连,三极管Q2的集电极连接MOS管Ql的栅极并通过第三电阻R3接地,三极管Q2的基极通过第二电阻R2与MOS管Ql的漏极相连,MOS管Ql的漏极通过电容C接地,MOS管Ql的漏极还与电压输出端Vout-连接。上述电路还有另外一种等同变换,即将和外部电源连接的关系进行更改:把电源的输入端改为外部电源地线接入,原地线改为外部电源正输入;输出地线改为输出正,输出端口更改为输出地线;输出地线和外部电源地线是两个不同的网络。上述方案的工作原理是,当Vin接外部电源时,该电源为负压,若电源开关闭合,由于电容两端电压初始为OV或较低的电压值,外部电源通过地线,经过电容C分两路回到Vin-0 一路经过电阻Rl回到Vin-,另一路经过电阻R2以及三极管Q2的基极、发射极回到Vin-,这时三极管Q2由于基极到发射极有电流流过,三极管Q2工作,由于Ql为MOS管,其栅极偏执电阻R3取值较大,一般在兆欧姆级左右,三极管Q2的集电极负载R3由于取值大,三极管Q2直接进入饱和工作状态,使得N沟道MOS管Ql的栅极到源极的电压很低,为三极管Q2的饱和压降,一般在0.7V至0.1V之间,这个电压达不到N沟道MOS管Ql的开启电压,MOS管Ql处于关断状态。这时,该电路从外部电源吸收的最大电流发生在电容C两端电压为O的瞬间,该电流最大值为:本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种浪涌抑制电路,其特征在于,包括:电压输入端、电压输出端、第一场效应管、第二场效应管、电阻、PWM输入端,所述的第一场效应管的源极与所述的电压输入端连接,所述的第二场效应管的源极与所述的电压输入端连接,所述的电阻一端与所述的电压输入端连接,所述第一场效应管的漏极与所述的电阻另一端及所述的电压输出端连接,所述的第二场效应管的漏极与所述的电阻另一端连接,所述的第一场效应管的栅极与所述的PWM输入端连接,所述的第二场效应管与所述的PWM输入端连接。

【技术特征摘要】
1.一种浪涌抑制电路,其特征在于,包括:电压输入端、电压输出端、第一场效应管、第二场效应管、电阻、PWM输入端,所述的第一场效应管的源极与所述的电压输入端连接,所述的第二场效应管的源极与所述的电压输入端连接,所述的电阻一端与所述的电压输入端连接,所述第一场效应管的漏极与所述的电阻另一端及所述的电压输出端连接,所述的第二场效应管的漏极与所述的电阻另一端连接,所述的第一场效应管的栅极与所述的PW...

【专利技术属性】
技术研发人员:魏秀梅
申请(专利权)人:余姚亿威电子科技有限公司
类型:新型
国别省市:浙江;33

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