【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及有源矩阵基板及其制造方法以及显示装置。
技术介绍
一般地，液晶显示装置具有形成有多个TFT(Thin_Film Transistor:薄膜晶体管)的作为有源矩阵基板的TFT基板、与其相对的相对基板、以及设置于TFT基板和相对基板之间的液晶层。另外，在TFT基板和相对基板之间设置有用于将该TFT基板和相对基板彼此粘合并且封入液晶层的密封部件。另外，在液晶显示装置中形成有配置多个像素来进行显示的显示区域和设置于其周围的非显示区域。上述密封部件配置于非显示区域。TFT基板具有形成有上述TFT等的玻璃基板。在玻璃基板上形成有覆盖TFT的层间绝缘膜，在其表面形成有包括ITO (Indium Tin Oxide:铟锡氧化物)的像素电极。层间绝缘膜是由例如具有感光性的丙烯酸类树脂等有机绝缘膜形成的。在专利文献I中公开了:为了提高密封部件与TFT基板的粘合强度，在形成密封部件的区域中除去包括有机绝缘膜的层间绝缘膜，使构成该TFT基板的玻璃基板或者无机绝缘膜(钝化膜、栅极绝缘膜等)露出。另外，在专利文献2中公开了:如图53所示，在TFT基板100中，在覆盖TFT10...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.03 JP 2010-1978811.一种有源矩阵基板， 具有:显示区域，其设置于密封区域的内侧，该密封区域是设置密封部件的框状的区域；以及边框状的非显示区域，其形成于该显示区域的外侧，包含上述密封区域，该有源矩阵基板隔着上述密封部件粘合到相对基板从而构成显示装置， 该有源矩阵基板的特征在于，具备: 绝缘性基板； 电极层，其形成于上述显示区域中的上述绝缘性基板上； 标记，其配置于上述非显示区域中的上述绝缘性基板上，由与上述电极层相同的材料形成； 第I绝缘膜，其将上述电极层和标记分别直接覆盖；以及 第2绝缘膜，其覆盖上述第I绝缘膜的一部分， 在上述密封区域的至少一部分中从上述绝缘性基板上除去了上述第2绝缘膜， 上述标记配置于除去了上述第2绝缘膜的区域，并且以与上述密封区域的至少一部分重叠的方式设置， 在上述绝缘性基板上形成有将覆盖上述标记的第I绝缘膜的侧面和该第I绝缘膜的与绝缘性基板相反一侧的表面覆盖的保护膜。2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于， 在上述显示区域中的上述 第2绝缘膜的表面形成有透明导电膜， 上述保护膜由与上述透明导电膜相同的材料形成。3.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板，其特征在于， 上述第I绝缘膜包括无机绝缘膜， 上述第2绝缘膜包括有机绝缘膜。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于， 半导体层介于覆盖上述标记的第I绝缘膜与上述保护膜之间。5.根据权利要求1至3中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于， 上述保护膜将覆盖上述标记的第I绝缘膜直接覆盖。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于， 上述标记是用于该有源矩阵基板与上述相对基板的对位的对准标记。7.一种显不装置,具备: 第I基板； 第2基板，其与上述第I基板相对配置； 框状的密封部件，其介于上述第I基板和第2基板之间，将该第I基板和第2基板彼此相互粘合； 显示区域，其设置于密封区域的内侧，该密封区域是设置上述密封部件的框状的区域；以及 边框状的非显示区域，其形成于上述显示区域的外侧，包含上述密封区域， 该显示装置的特征在于， 上述第I基板具有:绝缘性基板；电极层，其形成于上述显示区域中的上述绝缘性基板上；标记，其配置于上述非显示区域中的上述绝缘性基板上，由与上述电极层相同的材料形成；第I绝缘膜，其将上述电极层和标记分别直接覆盖；以及第2绝缘膜，其覆盖该第I绝缘膜的一部分， 在上述密封区域的至少一部分中从上述绝缘性基板上除去了上述第2绝缘膜， 上述标记配置于除去了上述第2绝缘膜的区域，并且以与上述密封区域的至少一部分重叠的方式设置， 在上述绝缘性基板上形成有将覆盖上述标记的第I绝缘膜的侧面和该第I绝缘膜的与绝缘性基板相反一侧的表面覆盖的保护膜。8.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：吉田昌弘，山田崇晴，堀内智，光本一顺，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：
国别省市：
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