【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及产生诸如太赫兹波的电磁波的电磁波产生器件、检测诸如太赫兹波的电磁波的电磁波检测器件、和包括它们的时域分光装置,该电磁波包含从毫米波带到太赫兹波带(30GHz 30THZ)的频率区域中的电磁波分量。特别地,本专利技术涉及包含用于通过激光照射产生(检测)包含该频带中的傅立叶分量的电磁波的电光晶体的产生器件(检测器件)和基于太赫兹时域分光法(THz-TDS)的包括该产生器件(检测器件)的断层摄影装置。
技术介绍
近年来,开发了利用太赫兹波的非破坏性感测技术。该频带中的电磁波的应用领域包括制造取代荧光镜以执行成像的安全成像和检查装置的技术。并且,已开发了用于获得物质的吸收光谱或复介电常数以检查诸如分子键的物理性能的分光技术,用于检查诸如载流子密度、迁移率和电导率的物理性能的测量技术,以及用于生物分子的分析技术。关于产生太赫兹波的方法,广泛使用利用非线性光学晶体的方法。非线性光学晶体的一般的例子包括,例如,LiNbOx (以下,也称为 “LN”)、LiTaOx' NbTaOx' KTP、DAST、ZnTe, GaSe, GaP 和CdTe0为了产生太赫兹波, ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.08.24 JP 2010-187563;2011.07.22 JP 2011-161411.一种电磁波产生器件,包括允许来自光源的光在其中传播的非线性光学晶体,并产生波长比所述光的波长长的电磁波,该电磁波产生器件包括: 第一电介质和第二电介质;和 光学波导,包含分别被夹在电介质之间并包含非线性光学晶体的多个波导区段,其中, 当ng表不非线性光学晶体对于所述光的折射率,ε eff表不第一电介质、第二电介质和波导区段的组件对于所述电磁波的有效相对介电常数,并且V eeff)时,波导区段被布置成使得由两个相邻的波导区段中的所述光的传播方向形成的角度基本上对应于 2 Θ c。2.根据权利要求1的电磁波产生器件,其中,光学波导包含连接两个光学波导区段的弯曲部。3.根据权利要求1的电磁波产生器件,其中,光学波导包含连接至两个光学波导区段的Y形分支。4.根据权利要求1的电磁波产生器件,其中,第一电介质和第二电介质的厚度被调整成使得值Qc=C0iT1 (ng/ V eeff)具有实根。5.根据权利要求1的电磁波产生器件,其中, 第一电介质是支持非线性光学晶体的基板,并且 选择相对介电常数大于或等于基板的相对介电常数的第二电介质。6.根据权利要求1的电磁波产生器件,其中, 光学波导包含用作用于传播光的芯部的高折射率层和用作包层的低折射率层, 低折射率层中的至少一个分别与高折射率层和电介质相接触,使得低折射率层被夹在其间,并且 当d表示低折射率层的厚度,a表示使得在低折射率层与电介质之间的界面上通过光学波导传播的光的强度为芯部中的光的强度的Ι/e2的厚度,e是自然对数的底,并且λ μ表示在具有最大频率的低折射率层中的电磁波的等价波长时,厚度d满足条件a ^ d ^ λ eq/10。7.一...
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