负极活性材料及其制备方法、负电极及锂电池技术

本发明专利技术提供了负极活性材料、制备该负极活性材料的方法、包括该负极活性材料的负电极及包括该电极的锂电池，该负极活性材料包括：复合物，包括基质和硅颗粒，基质包括氧化硅、碳化硅和碳，硅颗粒分散在基质中；以及碳包覆膜，形成在复合物的表面上，其中，在X射线衍射图谱中，SiC峰与Si峰的强度比为1或更大。

【技术实现步骤摘要】
负极活性材料及其制备方法、负电极及锂电池本申请要求于2011年11月8日提交到韩国知识产权局的第10-2011-0115915号韩国专利申请的权益，该申请的公开通过引用全部包含于此。
一个或多个实施例涉及负极活性材料、制备该负极活性材料的方法、包括该负极活性材料的电极以及锂电池。
技术介绍
便携式电子装置、通信装置等的发展已使对具有高能量密度的锂电池的需求增加。使用诸如钒、硅、铋、锆等的金属的氧化物作为锂电池的负极活性材料。如果使用氧化硅作为负极活性材料，则形成的电极的容量高。然而，电极的寿命特性和导电特性可能不会令人满意。因此，已尝试在氧化硅的表面上形成碳包覆层的方法。然而，通过使用这些方法形成的负极活性材料的导电特性和寿命特性不令人满意。
技术实现思路
一个或多个实施例包括具有优异的容量和寿命特性的负极活性材料。一个或多个实施例包括制备该负极活性材料的方法。一个或多个实施例包括负电极，该负电极包括该负极活性材料。一个或多个实施例包括锂电池，该锂电池包括该负电极。附加方面将在下面的描述中部分地阐述，部分地通过该描述将是明显的，或者可以通过给出的实施例的实践而获知。根据一个或多个实施例，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种负极活性材料，所述负极活性材料包括：复合物，包括基质和硅颗粒，基质包括氧化硅、碳化硅和碳，硅颗粒分散在基质中；以及碳包覆膜，形成在复合物的表面上，其中，在X射线衍射图谱中，SiC峰与Si峰的强度比为1或更大。

【技术特征摘要】
2011.11.08 KR 10-2011-01159151.一种负极活性材料，所述负极活性材料包括：复合物，包括基质和硅颗粒，基质是SiOxCy并包括氧化硅、碳化硅和碳，x为0.1至1.2，y为0.01至0.2，硅颗粒分散在基质中；以及碳包覆膜，形成在复合物的表面上，其中，在X射线衍射图谱中，SiC峰与Si峰的强度比为1或更大。2.如权利要求1所述的负极活性材料，其中，在负极活性材料的X射线衍射图谱中，SiC峰的半峰全宽为0.1°至1°。3.如权利要求1所述的负极活性材料，其中，在负极活性材料的X射线衍射图谱中，SiC峰存在于34°至37°的Bragg2θ角处。4.如权利要求1所述的负极活性材料，其中，在负极活性材料的X射线衍射图谱中，SiC峰与Si峰的强度比为1至10。5.如权利要求1所述的负极活性材料，其中，基于从负极活性材料的X射线荧光分析得出的测量结果，硅的量为45wt％至65wt％，氧的量为10wt％至23wt％，碳的量为12wt％至45wt％。6.如权利要求1所述的负极活性材料，其中，基于100重量份的硅颗粒，负极活性材料中的氧化硅的量为10重量份至30重量份。7.如权利要求1所述的负...

【专利技术属性】
技术研发人员：金德炫，金载明，朱圭湳，金泰植，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：