一种AMOLED像素驱动电路及其电容器结构制造技术

本发明专利技术为了减小AMOLED面板因开关晶体管M1的电荷注入效应及漏电流导致的存储电容器Cs两端电压变化所引起的显示图像畸变的影响，同时不降低像素开口率，提出了一种AMOLED像素驱动电路及其电容结构，其中，存储电容器Cs一电极与电源线正极Vdd相连接，另一电极与开关晶体管M1和驱动晶体管M2的公共端相连接，存储电容器Cs1一电极与电源线负极Vss相连接，另一电极与开关晶体管M1、驱动晶体管M2和存储电容器Cs的公共端相连接。本发明专利技术因开关晶体管M1电荷注入效应和漏电流的影响引起存储电容器Cs两端电压变化并产生电流时，可以有效降低了因M1电荷注入效应和漏电楼导致的显示图像的畸变程度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及AMOLED显示
，具体涉及一种AMOLED像素驱动电路和所述像素驱动电路的电容器结构。
技术介绍
基于P型TFT构成的传统2T1C像素驱动电路如图1所示图中，Ml为开关晶体管， 用于控制数据线Vdata输入；M2为驱动晶体管，用于控制OLED的发光电流；Cs为存储电容器，用于为驱动晶体管M2的栅极提供偏置及维持电压。上述的2T1C像素驱动电路在单帧时间内包括两个工作时段，如图2所示第一时段为数据线Vdata写入时段tl，在该时段内，行扫描线Vscan为低电平，此时开关晶体管Ml 导通，数据线Vdata经过开关晶体管Ml漏源极之间的通道写入到存储电容器Cs上，并同时作用于驱动晶体管M2的栅极，M2导通，驱动发光像素单元OLED发光；第二时段为显示维持时段t2，在该时段内，行扫描线Vscan为高电平，开关晶体管Ml处于截止状态，其漏源极之间的通道被关断，数据线Vdata与存储电容器Cs (驱动晶体管M2的栅极)之间的通道被关断。此时，在要求不严格的情况下可以认为存储电容器Cs因开关晶体管Ml关断而没有电荷的泄放通路，只能保持开关晶体管Ml截止前的状态，Cs两端电压维持不变，M2导通并维持发光像素单元OLED发光，直到下一帧周期的行扫描线Vscan到来，开关晶体管Ml再次被选通。但在实际工程应用中，因开关晶体管Ml本身存在电荷注入效应和漏电流,考虑这种实际情况后Cs两端的电压即驱动晶体管M2的栅极电位将在开关晶体管Ml关断后因为 Ml电荷注入效应和漏电流的影响而随着时间的推移而变化，加上驱动晶体管M2的IV曲线 (电流-电压关系曲线)以及发光像素单元OLED的IVL曲线(电流-电压-亮度关系曲线) 的非线性特性的影响，相应像素单元的OLED亮度会在上述帧周期内有所变化，进而容易导致显示图像畸变。具体表现为，开关晶体管Ml关断后，开关晶体管Ml电荷注入效应会导致已写入的数据信号(存储电容器Cs两端的电压)跃变，如图3所示，电压(voltage)在时间 (time) Om (S)与 20m(S)之间由 B 点的 Y2=2. 5431 (V)跌落至 C 点的 Υ3=2· 4079 (V)，跌落电压dY2=-135. 8mv。这种变化将作用于驱动晶体管M2的栅极并进一步影响发光像素单元 OLED的发光电流变化,导致图像畸变；如图4所示，电压(voltage)在时间(time) 30u (S) 与35u (S)之间由A点的Yl=2. 5 (V)跃变至B点的Υ2=2. 5437 (V)，跃变电压dYl=43. 7mv ;开关晶体管Ml的漏电流会导致已写入的数据信号(存储电容器Cs两端的电压)跌落。所以在像素驱动电路中要求尽可能减小或消除开关晶体管Ml的电荷注入效应及漏电流导致的存储电容器Cs两端的电压变化。传统的一种做法是增大现有的2T1C像素电路的存储电容器Cs的电容值。通过增大电容值可以有效降低开关晶体管Ml电荷注入效应及漏电流的影响，但是增大电容值需要在OLED像素单元区域增大电容Cs极板面积，从的OLED像素单元结构可以看出存储电容器Cs与OLED发光区域并列分布于像素区域， 增大存储电容器Cs势必影响到面板开口率。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了减小AM0LED面板因开关晶体管Ml的电荷注入效应及漏电流 导致的存储电容器Cs两端电压变化所引起的显示图像畸变的影响，同时不降低像素开口 率，提出了一种AM0LED像素驱动电路及其电容结构。本专利技术的技术方案是一种AM0LED像素驱动电路，包括开关晶体管M1，包括两个输入端和一个输出端，所述两个输入端分别与数据线 Vdata和行扫描线Vscan相连接；驱动晶体管M2，包括两个输入端和一个输出端，所述两个输入端分别与电源线正 极Vdd和开关晶体管Ml的输出端相连接，所述输出端与有机发光二极管D1的阳极相连接， 所述有机发光二极管D1的阴极与电源线负极Vss相连接；存储电容器Cs，包括两个电极，其中一电极与电源线正极Vdd相连接，另一电极与 开关晶体管Ml和驱动晶体管M2的公共端相连接；其特征在于，还包括，存储电容器Csl，包括两个电极，其中一电极与电源线负极Vss相连接，另一电极 与开关晶体管Ml、驱动晶体管M2和存储电容器Cs的公共端相连接。一种AM0LED像素驱动电路的存储电容器结构，其特征在于包括层叠分布的三个电极板，其中分别位于上层和下层的两个电极板分别与中间 层的电极板形成第一存储电容器Cs和第二存储电容器Csl。进一步的，所述上层和下层的一个电极板位于AM0LED像素结构的电源线负极Vss 所在的层，另一个电极板位于AM0LED像素结构的电源线正极Vdd所在的层，中间层的电极 板位于开关晶体管和驱动晶体管的公共端所在的层。本专利技术的有益效果是本专利技术的技术方案通过在传统的2T1C像素驱动电路的开 关晶体管Ml和驱动晶体管M2的公共端与电源线负极Vss之间设置一存储电容器Csl，并通 过以电源线正极Vdd层、开关晶体管Ml与驱动晶体管M2的公共端层和电源线负极Vss层 设置存储电容器Cs和Csl的三个电极板，使因开关晶体管Ml电荷注入效应和漏电流的影 响引起存储电容器Cs两端电压变化并产生电流时，所产生的电流可以通过增设的电容器 Csl释放以减小该影响，有效降低了因Ml电荷注入效应和漏电流导致的显示图像的畸变 程度。附图说明图1为现有的2T1C型AM0LED像素驱动电路原理图；图2为AM0LED像素的行扫描信号示意图；图3为现有的2T1C型AM0LED像素驱动电路在Ml漏电流影响下的NET1点电位变 化图；图4为现有的2T1C型AM0LED像素驱动电路在Ml电荷注入效应影响下的NET1点 电位变化图； 图5为本专利技术的AM0LED像素驱动电路原理图； 图6为本专利技术的AM0LED像素驱动电路的电容器结构示意图7为本专利技术的AMOLED像素驱动电路与现有的2T1C型驱动电路在Ml漏电流影 响下的NETl点电位变化对比图7-1为图7中A处的局部放大图示；图8为本专利技术的AMOLED像素驱动电路与现有的2T1C型驱动电路在Ml电荷注入 效应影响下的NETl点电位变化对比图。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步详述。如图5所示本实施例的一种AMOLED像素驱动电路,包括开关晶体管M1，为P型晶体管，包括两个输入端和一个输出端，所述两个输入端分 别与数据线Vdata和行扫描线Vscan相连接；所述两个输入端分别为Ml的栅极G和源极S， 所述输出端具体为Ml的漏极；驱动晶体管M2，为P型晶体管，包括两个输入端和一个输出端，所述两个输入端分 别为M2的源极S和栅极G，所述M2的源极S和栅极G与电源线正极Vdd和开关晶体管Ml 的输出端漏极D相连接，所述输出端漏极D与有机发光二极管(OLED) Dl的阳极相连接，所 述有机发光二极管Dl的阴极与电源线负极Vss相连接；存储电容器Cs，包括两个电极，其中一电极与电源线正极Vdd相连接，另一电极与 开关晶体管Ml和驱动晶体管M2的公共端相连接；还包括，存储电容器Csl，包括两个电极，其中一电极与电源线负极Vss相连接，另 一电极与开关晶体管Ml、驱动晶体管M2和存储电容器Cs的公共端相连接。所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种AMOLED像素驱动电路，包括：开关晶体管M1，包括两个输入端和一个输出端，所述两个输入端分别与数据线Vdata和行扫描线Vscan相连接；驱动晶体管M2，包括两个输入端和一个输出端，所述两个输入端分别与电源线正极Vdd和开关晶体管M1的输出端相连接，所述输出端与有机发光二极管D1的阳极相连接，所述有机发光二极管D1的阴极与电源线负极Vss相连接；存储电容器Cs，包括两个电极，其中一电极与电源线正极Vdd相连接，另一电极与开关晶体管M1和驱动晶体管M2的公共端相连接；其特征在于，还包括，存储电容器Cs1，包括两个电极，其中一电极与电源线负极Vss相连接，另一电极与开关晶体管M1、驱动晶体管M2和存储电容器Cs的公共端相连接。

【技术特征摘要】
1.一种AMOLED像素驱动电路，包括开关晶体管M1，包括两个输入端和一个输出端，所述两个输入端分别与数据线Vdata 和行扫描线Vscan相连接；驱动晶体管M2，包括两个输入端和一个输出端，所述两个输入端分别与电源线正极 Vdd和开关晶体管Ml的输出端相连接，所述输出端与有机发光二极管Dl的阳极相连接，所述有机发光二极管Dl的阴极与电源线负极Vss相连接；存储电容器Cs，包括两个电极，其中一电极与电源线正极Vdd相连接，另一电极与开关晶体管Ml和驱动晶体管M2的公共端相连接；其特征在于，还包括，存储电容器Csl，包括两个电极，其中一电极与电源...

【专利技术属性】
技术研发人员：周刚，田朝勇，刘宏，
申请(专利权)人：四川虹视显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：