【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于石斛人工栽培
，具体涉及。
技术介绍
铁皮石斛试管苗的质量对其移栽成活率和后期的生长有很大影响。因此，试管苗在后期的壮苗驯化时至关重要。而现有技术中，一般使用灯光培养，生根苗在培养室中培养3.5至4个月生根后，出瓶移栽到驯化大棚，经遮光炼苗2个月左右，才能在大田种植，其成活率不高，大约为60%，且生长周期长，生产成本高。因此，如何提高种苗质量和种植种苗的成活率，缩短生长期就成为期待解决的技术问题
技术实现思路
·本专利技术的主要目的是提供了一种能显著提高种苗质量和种植种苗的成活率，缩短生长周期的铁皮石斛的阳光壮苗方法。本专利技术所采取的技术方案是，该方法包括以下步骤a、生根培养将经增殖培养高度达3cm以上的铁皮石斛芽，接种到MS生根培养基上，在培养室培养30天，至种苗生根，得生根瓶苗；b、弱光培养将生根瓶苗从培养室转移到阳光大棚,在温度22 28°C,在光照强度5000 8000Lux条件下培养30天，至苗根系生长，叶色转绿，苗高5cm并具6 8片叶片;C、强光培养在温度22 28°C，在光照强度8000 12000Lux条件下培养20天，至苗高7 8cm并具8 10片叶片时即可出瓶种植。作为优选，所述步骤a中生根培养的培养条件为光照6 10小时/每天，光照强度1000 3000LUX，培养温度22 28°C。作为优选，所述步骤a中生根培养的培养条件为光照8小时/每天，光照强度2000Lux，培养温度 25 °C。作为优选，所述步骤b中弱光培养的温度为25°C。作为优选，所述步骤b中弱光培养的光照强度为8000LUX。作为优选，所述步骤c...
【技术保护点】
一种铁皮石斛的阳光壮苗方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：a、生根培养：将经增殖培养高度达3cm以上的铁皮石斛芽，接种到MS生根培养基上，在培养室培养30天，至种苗生根，得生根瓶苗；b、弱光培养：将生根瓶苗从培养室转移到阳光大棚，在温度22～28℃，在光照强度5000～8000Lux条件下培养30天，至苗根系生长，叶色转绿，苗高5cm并具6～8片叶片；c、强光培养：在温度22～28℃，在光照强度8000～12000Lux条件下培养20天，至苗高7～8cm并具8～10片叶片时即可出瓶种植。
【技术特征摘要】
1.一种铁皮石斛的阳光壮苗方法，其特征在于该方法包括以下步骤 a、生根培养将经增殖培养高度达3cm以上的铁皮石斛芽，接种到MS生根培养基上，在培养室培养30天，至种苗生根，得生根瓶苗； b、弱光培养将生根瓶苗从培养室转移到阳光大棚，在温度22 28°C,在光照强度5000 8000Lux条件下培养30天，至苗根系生长，叶色转绿，苗高5cm并具6 8片叶片； C、强光培养在温度22 28°C，在光照强度8000 12000Lux条件下培养20天，至苗高7 8cm并具8 10片叶片时即可出瓶种植。2.根据权利要求1所述的一种铁皮石斛的阳光壮苗方法，其特征在于所述步骤a中生根培养的培养条件为光照6 10小时/每天，光照强...
【专利技术属性】
技术研发人员：李永平，杨宝明，权恒，
申请(专利权)人：云南恒舜生物科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：
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