【技术实现步骤摘要】
—种Nandflash烧写方法
本专利技术属于计算机存储
,具体涉及一种Nandflash的生产烧写方法。
技术介绍
Nandflash存储是flash存储的一种,它为固态大容量存储的实现提供了廉价有 效的解决方案。Nandflash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存 储,因而在很多电子产品上得到了越来越广泛的应用。虽然Nandflash存在出厂坏块和使 用中产生坏块的情况,但随着坏块替换和坏块跳过机制的引入,以及yaffs文件系统针对 Nandflash使用寿命的设计,使得这些都不成为问题。现有技术中,Nandflash的烧写主要通过如下两种方法进行,第一种是先采用预先 提供的软件把需要烧写的数据生成映像文件,再使用烧写器把映像文件烧写到Nandflash 中,从而完成生产的烧写,若采用这种方式,对于文件系统有多个分区,且各分区内均有坏 块时就只能使用坏块替换机制,而不能使用坏块跳过机制,对使用效率有一定的影响。第二 种是采用软件方法升级后,用硬件手段取下Nandf lash,来获取其中的数据,这种方法不仅 低效,而且不能保证成功。专 ...
【技术保护点】
一种Nandflash烧写方法,具体包括如下步骤:S1.启动母板,将引导程序和启动程序升级到Nandflash;S2.启动系统,并在启动系统之后完成文件系统的升级;S3.计算出升级后的各个分区的大小,按照计算出的各分区大小,分别提取各分区映像文件;S4.使用烧写器,完成Nandflash的烧写。
【技术特征摘要】
1.一种Nandflash烧写方法,具体包括如下步骤S1.启动母板,将引导程序和启动程序升级到Nandflash;S2.启动系统,并在启动系统之后完成文件系统的升级;S3.计算出升级后的各个分区的大小,按照计算出的各分区大小,分别提取各分区映像文件;S4.使用烧写器,完成Nandflash的烧写。2.根据权利要求1所述的Nandflash烧写方法,其特征在于,步骤S4所述的烧写器支持分区域烧写映像文件。3.根据权利要求1所述的Nandflash烧写方法,其特征在于,步骤S4所...
【专利技术属性】
技术研发人员:施富强,郭万佳,丁宁,周煜枫,张英杰,鲜海滢,胡代军,石宇,
申请(专利权)人:四川省安全科学技术研究院,
类型:发明
国别省市:
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