多晶硅铸锭工艺制造技术

技术编号:8590633 阅读:188 留言:0更新日期:2013-04-18 04:06
本发明专利技术公开了一种多晶硅铸锭工艺,包括步骤:1)对单质硅进行加热,直至单质硅融化;2)冷却熔融的单质硅,并使其凝固,进行长晶,形成硅锭;3)对硅锭进行多次退火处理,且退火温度逐次降低。如此对硅锭进行多次退火处理,可以相应的降低相邻的两次退火温度之间所形成的热应力,多次消除硅锭中的热应力,与现有技术中只进行一次退火处理相比,可有效地降低硅锭中的热应力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能
,更具体地说,涉及一种多晶硅铸锭工艺
技术介绍
多晶硅是单质硅的一种形态,熔融的单质硅在过冷条件下凝固时,硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核,这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,这些晶粒接合起来便形成多晶硅。在太阳能光伏工业中生产太阳能光伏产品的工艺包括多晶硅铸锭、切割成片、制成电池片和封装为太阳能组件,可见多晶硅铸锭是太阳能光伏工业的重要组成部分,是生产太阳能光伏产品的首个环节。其中多晶硅铸锭工艺是采用多晶硅铸锭炉完成的,其包括步骤1)对单质硅进行加热,直至单质硅融化;2)冷却使熔融的单质硅凝固,进行长晶;3)退火处理,并冷却。硅锭由于受热或者散热不均匀会存在温度差异,导致各处膨胀变形或收缩变形不一致,相互约束而产生内应力,因此采用退火工艺即使生长完成的晶粒在一定温度下保持足够时间,然后以适宜的速度冷却,以降低硅锭的热应力,稳定尺寸,减少变形和裂纹的形成。然而现有技术中只进行一次退火工艺,一般是将生长完成后的晶粒降温至1300°C -1400°C之间的某一设定温度,并进行一定时间的保温处理,而后再以一定速度冷却。具体的可以将生长完成后的晶粒降温至137本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅铸锭工艺,其特征在于,包括步骤:1)对单质硅进行加热,直至单质硅融化;2)冷却熔融的单质硅,并使其凝固,进行长晶,形成硅锭;3)对硅锭进行多次退火处理,且退火温度逐次降低。

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅铸锭工艺,其特征在于,包括步骤1)对单质硅进行加热,直至单质硅融化;2)冷却熔融的单质硅,并使其凝固,进行长晶,形成硅锭;3)对硅锭进行多次退火处理,且退火温度逐次降低。2.根据权利要求1所述的多晶硅铸锭工艺,其特征在于,对硅锭进行多次退火处理,且退火温度逐渐降低具体为31)将硅锭降温至第一设定温度,并保温第一设定时间段;32)第一次冷却;33)将硅锭降温至第二设定温度,并保温第...

【专利技术属性】
技术研发人员:唐自成刘华王悦王玉卓任建华
申请(专利权)人:天津英利新能源有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1