一种低腐蚀性的氧化电位杀菌水及其制备方法技术

本发明专利技术涉及杀菌消毒领域，特别涉及一种低腐蚀性的氧化电位杀菌水及其制备方法。本发明专利技术的低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法，包括以下步骤：（1）提供含有有效氯或者可以产生有效氯的有效氯提供单元；（2）提供pH值调节单元；（3）将所述pH值调节单元与所述有效氯提供单元混合，得到强氧化性溶液，所述强氧化性溶液的pH值在2-8间，其氧化还原电位不低于600mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其高卤酸根离子的总含量不高于0.55mol/L。与现有的酸性氧化电位杀菌水相比，本发明专利技术的氧化电位杀菌水的制备方法制备的杀菌水可降低对金属的腐蚀性，从而扩大了应用范围。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及杀菌消毒领域，特别涉及。
技术介绍
消毒领域中引入氧化还原电位的概念是源于日本20世纪80年代研制生产的酸性氧化电位水生成机及由生成机产生的酸性氧化电位水。酸性氧化电位水(简称E0W)是指具有高氧化还原电位(ORP)、低pH值特性和低浓度有效氯(ACC)的水。酸性氧化电位水杀菌的机理如下首先，自然界中大多数种类的微生物生活在pH4_9的环境中，而酸性氧化电位水的PH值可影响微生物生物膜上的电荷以及养料的吸收、酶的活性，并改变环境中养料的可给性或有害物质的毒性，从而快速杀灭微生物。其次，由于氢离子、钾离子、钠离子等在微生物生物膜内外的分布不同，使得膜内、外电位达到动态平衡时有一定的电位差，一般约为-700 +900mV。需氧细菌的生物膜内外的电位差一般为+200 +800mV,而厌氧细菌的生物膜内外的电位差一般为-700 +200mV。酸性氧化电位水中的氧化、还原物质和pH等因素，使其ORP高于IlOOmV,超出了微生物的生存范围。具有高ORP (即0RP>1 IOOmV)的EOW接触微生物后迅速夺取电子，干扰生物膜平衡，改变生物膜内外电位差、膜内外的渗透压，导致本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：?（1）提供含有有效氯或者可以产生有效氯的有效氯提供单元；?（2）提供pH值调节单元；?（3）将所述pH值调节单元与所述有效氯提供单元混合，得到强氧化性溶液，所述强氧化性溶液的pH值在2?8间，其氧化还原电位不低于600mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其高卤酸根离子的总含量不高于0.55mol/L。

【技术特征摘要】
1.一种低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法，其特征在于，包括以下步骤(1)提供含有有效氯或者可以产生有效氯的有效氯提供单元；(2)提供pH值调节单元；(3)将所述pH值调节单元与所述有效氯提供单元混合，得到强氧化性溶液，所述强氧化性溶液的pH值在2-8间，其氧化还原电位不低于600mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其高卤酸根离子的总含量不高于O. 55mol/L。2.如权利要求1所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法，其特征在于，所述强氧化性溶液的pH值在5-7间，其氧化还原电位为600-1 IOOmV,其有效氯含量为3-1000mg/L，其高卤酸根离子的总含量不高于O. Olmol/L。3.如权利要求1或2所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法，其特征在于，所述高卤酸根离子为高氯酸根离子、高溴酸根离子、高碘酸根离子的其中一种或几种。4.如权利要求1所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法，其特征在于，在步骤(I)中还包括对所述有效氯提供单元进行降低高卤酸根离子的总含量的预处理。5.如权利要求1所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法，其特征在于，在步骤(2)中还包括对所述pH值调节单元进行降低高卤酸根离子的总含量的预处理。6.如权利要求1所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法，其特征在于，在步骤(3)中还包括对所述pH值调节单元与所述有效氯提供单元混合后的混合液进行降低高卤酸根离子的总含量的后处理。7.如权利要求4或5或6所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法，其特征在于， 所述降低高卤酸根离子的总含量的处理方法可选自加入高卤酸根离子失活剂、膜分离法、 电化学法、层析法、吸附法或离子交换法中的一种或者几种。8.如权利要求1所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法，其特征在于，所述有效氯提供单元含有液氯、二氧化氯、次氯酸盐、次氯酸盐的复盐、亚氯酸盐或有效氯前体物质中的一种或几种，所述有效氯前体物质是指与酸或水反应可以生成有效氯的含氯物质。9.如权利要求1所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法，其特征在于，所述有效氯提供单元为中性或者碱性。10.如权利要求1所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法，其特征在于，所述pH 值调节单元包含酸性物质、...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵鹏飞，
申请(专利权)人：邵鹏飞，
类型：发明
国别省市：