一种离线低压直流输出电路及其晶片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种离线低压直流输出电路及其晶片。所述离线低压直流输出电路包括：第一输入端口和第二输入端口，用以接收交流输入信号；输出端口，用以提供整流输出信号；第一耗尽型高压传输晶体管，提供第一电压；第二耗尽型高压传输晶体管，提供第二电压；以及整流桥，具有第一输入端子、第二输入端子和输出端子，其第一输入端子耦接至第一耗尽型高压传输晶体管接收第一电压，其第二输入端子耦接至第二耗尽型高压传输晶体管接收第二电压，其输出端子耦接至输出端口。所述离线低压直流输出电路减小了晶片面积并降低了成本。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种离线(offline)电路，更具体地说，本技术涉及一种离线低压直流输出电路及其晶片。
技术介绍
在很多低功耗的离线应用中，通常需要经过整流输出电压用以给逻辑电路、唤醒电路、启动电路、转调器、传感器、继电器等供电。图1为现有离线低压直流输出电路50的电路结构示意图。如图1所示，离线低压直流输出电路50包括变压器和整流桥，所述变压器接收交流输入电压，并基于交流输入电压提供降低的交流电压；所述整流桥接收降低的交流电压，并基于降低的交流电压提供直流输出。但是，离线低压直流输出电路50需要变压器来降低交流输入电压，增大了系统的体积和重量，并增加了成本。
技术实现思路
因此本技术的目的在于解决现有技术的上述技术问题，提出一种改进的离线低压直流输出电路。为实现上述目的，根据本技术的实施例，提出了一种离线低压直流输出电路，包括第一输入端口和第二输入端口，用以接收交流输入信号；输出端口，用以提供整流输出信号；第一耗尽型高压传输晶体管，耦接至第一输入端口接收交流输入信号，基于所述交流输入信号，所述第一耗尽型高压传输晶体管提供第一电压；第二耗尽型高压传输晶体管，耦接至第二输入端口接收交流输入信号，基于所述交流输入信号，所述第二耗尽型高压传输晶体管提供第二电压；以及整流桥，具有第一输入端子、第二输入端子和输出端子，其第一输入端子耦接至第一耗尽型高压传输晶体管接收第一电压，其第二输入端子耦接至第二耗尽型高压传输晶体管接收第二电压，其输出端子耦接至输出端口。根据本技术的实施例，还提出了一种集成离线低压直流输出电路的晶片，包括一系列少子产生器件；一系列N井可合并的器件；一系列不可合并的器件；被分别设置在所述晶片左右两侧的第一区域和第二区域；被放置在第一区域和第二区域之间的N型井岛；以及晶片密封环；其中少子产生器件被放置在第一区域和第二区域#井可合并的器件被放置在N型井岛；不可合并的器件被放置在晶片上靠近晶片密封环处或者靠近晶片边缘处。根据本技术各方面的上述离线低压直流输出电路和集成离线低压直流输出电路的晶片，减小了晶片面积并降低了成本。附图说明图1为现有离线低压直流输出电路50的电路结构示意图；图2为根据本技术一实施例的离线低压直流输出电路100的电路结构示意图；图3示意性地示出了图2所示离线低压直流输出电路100中的整流输出信号Vo和交流输入信号AC的时序波形图；图4示意性地示出了典型传输晶体管的布局图；图5示出了根据本技术另一实施例的离线低压直流输出电路200的电路结构示意图；图6示出了当电路中不包含镇流电阻206时第一耗尽型高压传输晶体管203和与之并联耦接的组成整流桥205的二极管51的等效电路结构示意图；图7示出了当电路中包含镇流电阻206时第一耗尽型高压传输晶体管203和与之并联稱接的组成整流桥205的_■极管51的等效电路结构不意图；图8为根据本技术又一实施例的离线低压直流输出电路300的电路结构示意图；图9a和图9b示意性地示出了根据本技术实施例的集成离线低压直流输出电路的晶片400的俯视图。具体实施方式下面将详细描述本技术的具体实施例，应当注意，这里描述的实施例只用于举例说明，并不用于限制本技术。在以下描述中，为了提供对本技术的透彻理解，阐述了大量特定细节。然而，对于本领域普通技术人员显而易见的是不必采用这些特定细节来实行本技术。在其 他实例中，为了避免混淆本技术，未具体描述公知的电路、材料或方法。在整个说明书中，对“ 一个实施例”、“实施例”、“ 一个示例”或“示例”的提及意味着结合该实施例或示例描述的特定特征、结构或特性被包含在本技术至少一个实施例中。因此，在整个说明书的各个地方出现的短语“在一个实施例中”、“在实施例中”、“一个示例”或“示例”不一定都指同一实施例或示例。此外，可以以任何适当的组合和/或子组合将特定的特征、结构或特性组合在一个或多个实施例或示例中。此外，本领域普通技术人员应当理解，在此提供的附图都是为了说明的目的，并且附图不一定是按比例绘制的。应当理解，当称元件“耦接到”或“耦接到”另一元件时，它可以是直接耦接或耦接到另一元件或者可以存在中间元件。相反，当称元件“直接耦接到”或“直接耦接到”另一元件时，不存在中间元件。相同的附图标记指示相同的元件。这里使用的术语“和/或”包括一个或多个相关列出的项目的任何和所有组合。图2为根据本技术一实施例的离线低压直流输出电路100的电路结构示意图。如图2所示，所述离线低压直流输出电路100包括第一输入端口 101和第二输入端口 102，用以接收交流输入信号AC ;输出端口 106，用以提供整流输出信号V。；第一耗尽型高压传输晶体管103,稱接至第一输入端口 101接收交流输入信号AC,基于所述交流输入信号AC，所述第一耗尽型高压传输晶体管103提供第一电压；第二耗尽型高压传输晶体管104，耦接至第二输入端口 102接收交流输入信号AC，基于所述交流输入信号AC，所述第二耗尽型高压传输晶体管104提供第二电压；以及整流桥105，具有第一输入端子105A、第二输入端子105B和输出端子105C，其第一输入端子105A耦接至第一耗尽型高压传输晶体管103接收第一电压，其第二输入端子105B耦接至第二耗尽型高压传输晶体管104接收第二电压，其输出端子105C耦接至输出端口 106。在一个实施例中，所述第一耗尽型高压传输晶体管103包括第一耗尽型高压结型场效应晶体管(junction field effect transistor, JFET);第二耗尽型高压传输晶体管104包括第二耗尽型高压JFET。在一个实施例中，整流桥105还包括耦接至参考地的第四输入端子10 。在一个实施例中，第一耗尽型高压传输晶体管103和第二耗尽型高压传输晶体管104各包括耦接至参考地的门极。在一个实施例中，所述整流桥105包括四个二极管。所述二极管可以包括肖特基二极管、常规二极管或基极-集电极连接在一起的双极型晶体管等所属
人员所熟知的二极管。由于第一耗尽型高压传输晶体管103和第二耗尽型高压传输晶体管104在其门极耦接在参考地时就存在导电沟道，因此当交流输入信号AC的绝对值小于第一 /第二耗尽型高压传输晶体管的夹断电压Vt时，整流输出信号Vtj跟随交流输入电压；当交流输入信号AC的绝对值大于第一 /第二耗尽型高压传输晶体管的夹断电压Vt时，第一 /第二耗尽型高压传输晶体管与整流桥105的连接节点处的电压被保持在第一 /第二耗尽型高压传输晶体管的夹断电压VT。因此，整流输出信号\的电压将等于第一 /第二耗尽型高压传输晶体管的夹断电压Vt减去二极管的导通压降VD，即m图3示意性地示出了图2所示离线低压直流输出电路100中的整流输出信号\和交流输入信号AC的时序波形图。在前述实施例中，第一耗尽型高压传输晶体管103和第二耗尽型高压传输晶体管104的门极均耦接至参考地，也就是说，第一耗尽型高压传输晶体管103和第二耗尽型高压传输晶体管104的衬底耦接至参考地。在比较典型的应用中，传输晶体管的门极包括P型衬底和单独的P型注入区，其中P型衬底作为底栅，单独的P型注入区作为顶栅。而传输晶体管的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种离线低压直流输出电路，其特征在于，所述离线低压直流输出电路包括：第一输入端口和第二输入端口，用以接收交流输入信号；输出端口，用以提供整流输出信号；第一耗尽型高压传输晶体管，耦接至第一输入端口接收交流输入信号，基于所述交流输入信号，所述第一耗尽型高压传输晶体管提供第一电压；第二耗尽型高压传输晶体管，耦接至第二输入端口接收交流输入信号，基于所述交流输入信号，所述第二耗尽型高压传输晶体管提供第二电压；以及整流桥，具有第一输入端子、第二输入端子和输出端子，其第一输入端子耦接至第一耗尽型高压传输晶体管接收第一电压，其第二输入端子耦接至第二耗尽型高压传输晶体管接收第二电压，其输出端子耦接至输出端口。

【技术特征摘要】
2011.09.30 US 13/251,0671.一种离线低压直流输出电路，其特征在于，所述离线低压直流输出电路包括 第一输入端口和第二输入端口，用以接收交流输入信号； 输出端口，用以提供整流输出信号； 第一耗尽型高压传输晶体管，耦接至第一输入端口接收交流输入信号，基于所述交流输入信号，所述第一耗尽型高压传输晶体管提供第一电压； 第二耗尽型高压传输晶体管，耦接至第二输入端口接收交流输入信号，基于所述交流输入信号，所述第二耗尽型高压传输晶体管提供第二电压；以及 整流桥，具有第一输入端子、第二输入端子和输出端子，其第一输入端子耦接至第一耗尽型高压传输晶体管接收第一电压，其第二输入端子耦接至第二耗尽型高压传输晶体管接收第二电压，其输出端子耦接至输出端口。2.如权利要求1所述的离线低压直流输出电路，其特征在于，其中所述第一耗尽型高压传输晶体管和第二耗尽型高压传输晶体管均包括耦接至参考地的门极。3.如权利要求1所述的离线低压直流输出电路，其特征在于，所述离线低压直流输出电路进一步包括镇流电阻，耦接在第一耗尽型高压传输晶体管和第二耗尽型高压传输晶体管的衬底和参考地之间。4.如权利要求3所述的离线低压直流输出电路，其特征在于，其中所述镇流电阻包括寄生电阻或定义电阻。5.如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：约瑟夫俄依恩扎，
申请(专利权)人：成都芯源系统有限公司，
类型：实用新型
国别省市：