一种10KW高能束调频调宽不对称交变微弧氧化电源制造技术

一种10KW高能束调频调宽不对称交变微弧氧化电源，它涉及交变电源领域，89C51单片机脉冲控制系统与电源合成模块连接，正半周电源与电源合成模块连接，负半周电源与电源合成模块连接，电源合成模块分别与交流整形不对称输出模块、直流脉冲输出模块连接，直流脉冲输出模块与显示仪表连接，反馈及调整显示模块与89C51单片机脉冲控制系统连接。所述的正半周电源、负半周电源为不等幅电源，且正半周电源的电压幅值是负半周电源的电压幅值的三点五倍，且正半周电源、负半周电源的电压供给均为恒压。本实用新型专利技术设计新颖，一反工业用微弧氧化恒流电源的常态，它具有恒压、调频、调宽、交直流两用等特点，实用范围更广泛。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

—种10KW高能束调频调宽不对称交变微弧氧化电源
本技术涉及一种微弧氧化电源，具体涉及一种IOKW高能束调频调宽不对称 交变微弧氧化电源。
技术介绍
恒流电源是一种电网电压及其他影响量在一定范围内改变时，能提供稳定输出电 流的电源。目前市场上还没有一种高能束、恒压、调频、调宽、交直流两用不等幅微弧氧化电 源。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种IOKW高能束调频调宽不对称交变微弧氧化电源， 它具有恒压、调频、调宽、交直流两用等特点，实用范围更广泛。为了解决
技术介绍
所存在的问题，本技术是采用以下技术方案它包括 89C51单片机脉冲控制系统1、正半周电源2、负半周电源3、电源合成模块4、交流整形不对 称输出模块5、直流脉冲输出模块6、反馈及调整显示模块7、显示仪表8，89C51单片机脉冲 控制系统I与电源合成模块4连接，正半周电源2与电源合成模块4连接，负半周电源3与 电源合成模块4连接，电源合成模块4分别与交流整形不对称输出模块5、直流脉冲输出模 块6连接，直流脉冲输出模块6与显示仪表8连接，反馈及调整显示模块7与89C51单片机 脉冲控制系统I连接。所述的正半周电源2、负半周电源3为不等幅电源，且正半周电源2的电压幅值是 负半周电源的电压幅值的三点五倍，且正半周电源2、负半周电源3的电压供给均为恒压。本技术反馈信号从输出级取出并将信号输入给89C51单片机控制系统，经A/ D转换后变成数字信号，经89C51单片机控制系统处理后又经D/A转换控制，调整不同的恒 压值。调整范围为0-700V均为稳定工作范围；电源输入经由EMI电磁滤波送达三相不可控 整流，加入EMI电磁滤波可防止外界对电源本身的干扰，也防止了电源本身对线路的馈送 干扰，本电路能做到40KW功率而电磁干扰达标；不可控整流输出520V直流电压经全桥逆变 后再经二次高频滤波得到所需电压，从输出端取出反馈量输入脉宽调控IC控制板完成各 项功能调控如恒压、恒流控制，过流，短路，过热保护等；本电源的脉冲形成及驱动由89C51 单片机及SG3525共同组成，89C51单片机系统完成时序控制，D/A，A/D转换，采样，输出各种 控制保护指令，脉冲形成及图腾输出由SG3525完成；89C51单片机及SG3525系统输出可控 脉宽调制信号，经过4路EXB841驱动器输出瞬时峰值电流2A以上的驱动信号来确保IGBT 全桥逆变电路的充分导通与截止，EXB841是一款专用于IGBT驱动用的驱动模块，它可以 驱动1200V-600A的IGBT，其输出波形上下沿陡峭无明显毛刺，由此进一步保证了 IGBT的 正常工作，本机的高能束由SG3525的独特设计调宽来保证；由SG3525给出一电压值，通过 电位器的调整把不同的电压值加到SG3525的控制端(手动时)，在自动调整状态由平台的 上位机给出调整信号(4-20mA或0-4V)完成了定压条件下的脉宽调整，本电路的脉宽可以从O. 3% 到85%连续调整；当开关频率选定为20KHz时，在最小脉宽状态，其阶跃值可 以达到0—0. 075微秒内电压幅值从O冲到750V，如果需要也可以跃升到30000V甚至更高 (如介质阻挡放电电源)。本技术设计新颖，一反工业用微弧氧化恒流电源的常态，，它具有恒压、调频、 调宽、交直流两用等特点，实用范围更广泛，此款电源对于各大专院校化学工程研究实验， 各科研院所实施研究，开发均有其实用价值。附图说明图1是本技术的结构框图；图2是正半周电源2的工作框图；图3是正半周电源2的电路原理图；图4是本技术脉冲形成及控制调整电路结构图。具体实施方式参看图1-图4，本具体实施方式采用以下技术方案它包括89C51单片机脉冲控 制系统1、正半周电源2、负半周电源3、电源合成模块4、交流整形不对称输出模块5、直流 脉冲输出模块6、反馈及调整显示模块7、显示仪表8，89C51单片机脉冲控制系统I与电源 合成模块4连接，正半周电源2与电源合成模块4连接，负半周电源3与电源合成模块4连 接，电源合成模块4分别与交流整形不对称输出模块5、直流脉冲输出模块6连接，直流脉冲 输出模块6与显示仪表8连接，反馈及调整显示模块7与89C51单片机脉冲控制系统I连 接。所述的正半周电源2、负半周电源3为不等幅电源，且正半周电源2的电压幅值是 负半周电源的电压幅值的三点五倍，且正半周电源2、负半周电源3的电压供给均为恒压。本具体实施方式反馈信号从输出级取出并将信号输入给89C51单片机控制系统， 经A/D转换后变成数字信号，经89C51单片机控制系统处理后又经D/A转换控制，调整不同 的恒压值。调整范围为0-700V均为稳定工作范围；电源输入经由EMI电磁滤波送达三相不 可控整流，加入EMI电磁滤波可防止外界对电源本身的干扰，也防止了电源本身对线路的 馈送干扰，本电路能做到40KW功率而电磁干扰达标；不可控整流输出520V直流电压经全 桥逆变后再经二次高频滤波得到所需电压，从输出端取出反馈量输入脉宽调控IC控制板 完成各项功能调控如恒压、恒流控制，过流，短路，过热保护等；本电源的脉冲形成及驱动由 89C51单片机及SG3525共同组成，89C51单片机系统完成时序控制，D/A，A/D转换，采样，输 出各种控制保护指令，脉冲形成及图腾输出由SG3525完成；89C51单片机及SG3525系统输 出可控脉宽调制信号，经过4路EXB841驱动器输出瞬时峰值电流2A以上的驱动信号来确 保IGBT全桥逆变电路的充分导通与截止，EXB841是一款专用于IGBT驱动用的驱动模块，它 可以驱动1200V-600A的IGBT，其输出波形上下沿陡峭无明显毛刺，由此进一步保证了 IGBT 的正常工作，本机的高能束由SG3525的独特设计调宽来保证；由SG3525给出一电压值，通 过电位器的调整把不同的电压值加到SG3525的控制端(手动时)，在自动调整状态由平台 的上位机给出调整信号(4-20mA或0-4V)完成了定压条件下的脉宽调整，本电路的脉宽可 以从O. 3% 到85%连续调整；当开关频率选定为20KHz时，在最小脉宽状态，其阶跃值可以达到0—0. 075微秒内电压幅值从O冲到750V，如果需要也可以跃升到30000V甚至更 高(如介质阻挡放电电源)。本具体实施方式设计新颖，一反工业用微弧氧化恒流电源的常态，，它具有恒压、 调频、调宽、交直流两用等特点，实用范围更广泛，此款电源对于各大专院校化学工程研究 实验，各科研院所实施研究，开发均有其实用价值。以上显示和描述了本技术的基本原理和主要特征和本技术的优点。本行 业的技术人员应该了解，本技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述 的只是说明本技术的原理，在不脱离本技术精神和范围的前提下，本技术还 会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内。本技术 要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种10KW高能束调频调宽不对称交变微弧氧化电源，其特征在于它包括89C51单片机脉冲控制系统(1)、正半周电源(2)、负半周电源(3)、电源合成模块(4)、交流整形不对称输出模块(5)、直流脉冲输出模块(6)、反馈及调整显示模块(7)、显示仪表(8)，89C51单片机脉冲控制系统(1)与电源合成模块(4)连接，正半周电源(2)与电源合成模块(4)连接，负半周电源(3)与电源合成模块(4)连接，电源合成模块(4)分别与交流整形不对称输出模块(5)、直流脉冲输出模块(6)连接，直流脉冲输出模块(6)与显示仪表(8)连接，反馈及调整显示模块(7)与89C51单片机脉冲控制系统(1)连接。

【技术特征摘要】
1.一种IOKW高能束调频调宽不对称交变微弧氧化电源，其特征在于它包括89C51单片机脉冲控制系统(I)、正半周电源(2)、负半周电源(3)、电源合成模块(4)、交流整形不对称输出模块(5)、直流脉冲输出模块(6)、反馈及调整显示模块(7)、显示仪表(8)，89C51单片机脉冲控制系统(I)与电源合成模块(4)连接，正半周电源(2)与电源合成模块(4)连接，负半周电源(3)与电源合成模块(4)连接，电源合成模块(4)分...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈耀荣，
申请(专利权)人：天津荣鑫新材料科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：