金属膜形成方法及具有金属膜的制品技术

提供一种金属膜难以剥离的配线基板。包括以下步骤：在基体表面设置包含如下化合物（α）的剂材的步骤（X）；以及在所述化合物（α）的表面通过湿镀的方法设置金属膜的步骤（Y），所述化合物（α）是一分子内具有OH基或OH生成基、叠氮基、以及三嗪环的化合物，所述基体使用聚合物而成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种金属膜形成方法及具有金属膜的制品。
技术介绍
一种基板由ABS树脂(高分子材料)制成的电镀制品(例如车标等机动车用装饰电镀制品)，在此种电镀制品中，重要的特性是在基板上通过电镀方法设置的金属膜(镀膜)的附着性。如果附着力小，则金属膜容易剥离。如果金属膜的附着性大，则意味着制品的可靠性增加。为了实现上述附着性的提高，提出了在基板表面形成微细的凹凸。即，提出了使基板的表面粗糙化。由此，期待所谓的锚定效果(侵入效果)，提高附着力。为了使基板的表面粗糙化，已知例如利用氧化剂(例如过锰酸盐、六价铬酸等的水溶液)进行蚀刻。但是，可以采用由六价铬酸进行蚀刻的技术的情况，是树脂被限定在例如 ABS树脂的具有不饱和基的树脂的情况。因此，对基板材料有制约。而且，对于六价铬酸的使用，近年来限制较高。因此，正在探索代替六价铬酸的物质。但是，现状是仍然没有有效的对策。随着技术的进步，对电路基板要求闻集成化、闻密度化。因此，关于电路基板，优选基板的铜箔表面所存在的凹凸少。但是，经蚀刻的基板表面上所设置的金属膜(例如Cu膜) 上会存在凹凸。如果金属膜(Cu膜)上存在凹凸，则流过金属膜的信号的传递距离变长。传递损失(信号的减衰)也变大。而且会引起发热。因此，优选金属膜(Cu膜)的凹凸度小。SP， 期望表面粗糙度小的基板。为了应对Cu的资源问题、配线图案微细化趋势，在电路基板中构筑配线电路时， 开始采用半加成法(semiadditive)。从这种观点来看,也期望表面粗糙度小的基板。为了提高基板与金属膜的附着性，已知一种电晕放电处理(或等离子体放电处理)。通过此种处理，在基板表面导入OH基。可以说，由于该OH基的存在，提高了设置在其上的镀膜的附着性。但是，电晕放电处理(或等离子体放电处理)有可能使基板劣化。而且，即使所谓生成OH基，其数量也不多。因此，附着力的提高存在极限。而且，电晕放电处理(或等离子体放电处理)在被处理物的形状或大小方面存在制约。此外,放电处理的操作性也不佳。现有技术文件 专利f件专利文件1:日本特开2006-213677号公报专利文件2 :日本特开2007-17921号公报专利文件3 :日本特开2007-119752号公报 _4] 非专利文件非专利文件1:日本接着学会誌，《21世紀O接着技術》，森邦夫，vol. 43 (6)， 242-248 (2007)非专利文件2 :表面技術誌，《六価^ n A 7 U —樹脂A ^备》，森邦夫、阿部四郎， vol.59 (5)，299-304 (2008)
技术实现思路
本专利技术者认为，在通过湿镀方法将金属膜设置在聚合物制基板上的情况下，金属膜的附着现象应是粘接现象的一种。并且认为，如果在聚合物制基板上设置与前述基板和金属膜两者都键合的剂材(例如，本专利技术者提出的称为分子粘接剂的剂材)，则金属膜的附着性应会提闻。但是，即使使用被称为分子粘接剂的化合物，设置在聚合物制基板上的金属镀膜的附着强度也无法令人满意。原因是，使用迄今为止的分子粘接剂的前提是，对基板表面进行电晕放电处理(或等离子体放电处理)。因此，本专利技术所要解决的问题是提供一种即使不采用利用酸(例如六价铬酸等)的蚀刻、电晕放电处理(等离子体放电处理)，所形成的金属膜的附着力也较高的技术。上述问题通过如下金属膜形成方法而解决，该金属膜形成方法包括在基体表面设置包含如下化合物(α )的剂材的步骤(X);以及在所述化合物(α )的表面通过湿镀的方法设置金属膜的步骤(Y)，其中，所述化合物(α )是一分子内具有OH基或OH生成基、叠氮基、以及三嗪环的化合物，所述基体使用聚合物而成。优选通过如下金属膜形成方法而解决，在所述步骤(X)后且所述步骤(Y)前，进一步包括对所述基体的表面所存在的所述化合物(α )照射规定图案的光的步骤(W)。优选通过如下金属膜形成方法而解决，通过所述步骤(W)的光照射，所述基体与所述化合物(α )的叠氮基发生化学反应，从而在所述基体的表面键合所述化合物(α )。优选通过如下金属膜形成方法而解决，所述光为紫外线。优选通过如下金属膜形成方法而解决，所述OH基或OH生成基是烷氧基硅烷基，其中，所述烧氧基娃烧基中的烧氧基也可为OH基。 优选通过如下金属膜形成方法而解决，所述化合物(α )是通式[I]表示的化合物。优选通过如下金属膜形成方法而解决，所述化合物(α )是通式[Ιο]表示的化合物。优选通过如下金属膜形成方法而解决，所述化合物(α )是通式[la]表示的化合物。优选通过如下金属膜形成方法而解决，所述化合物(α )为通式[Ib]表示的化合物。优选通过如下金属膜形成方法而解决，在所述步骤(X)后且所述步骤(Y)前，进一步包括在所述化合物(α )的表面设置通式[II]表示的物质的步骤(V)。优选通过如下金属膜形成方法而解决，在所述步骤(X)后且所述步骤(Y)前，进一步包括在所述化合物(α )的表面设置具有烷氧基硅烷基、烷氧基铝酸酯基及/或烷氧基钛酸酯基的化合物(β )的步骤(U)。优选通过如下金属膜形成方法而解决，所述化合物(β )是通式[Τ]表示的化合物。优选通过如下金属膜形成方法而解决，所述化合物(β )为通式[III]表示的化合物。优选通过如下金属膜形成方法而解决，所述化合物(β )是通式[IV]表示的化合物。优选通过如下金属膜形成方法而解决，所述基体是配线基板，所述金属膜的一部分是至少包含Cu的镀膜。上述问题通过如下具有金属膜的制品而解决，该具有金属膜的制品包括基体；设置于所述基体的表面的如下化合物(α );以及设置于所述化合物(α )上的湿镀金属膜，其中，所述化合物(α )是一分子内具有OH基或OH生成基、叠氮基、以及三嗪环的化合物，所述基体使用聚合物而成。优选通过如下具有金属膜的制品而解决，所述基体与所述化合物(α )化学键合。优选通过如下具有金属I吴的制品而解决，所述OH基或OH生成基是烧氧基娃烧基， 其中，所述烷氧基硅烷基中的烷氧基也可为OH基。优选通过如下具有金属膜的制品而解决，所述化合物(α )是通式[I]表示的化合物。优选通过如下具有金属膜的制品而解决，所述化合物(α )是通式[Ιο]表示的化合物。优选通过如下具有金属膜的制品而解决，所述化合物(α )是通式[la]表示的化合物。优选通过如下具有金属膜的制品而解决，所述化合物(α )是通式[Ib]表示的化合物。优选通过如下具有金属膜的制品而解决，通式[II]表示的物质设置于所述化合物(α )的表面。优选通过如下具有金属膜的制品而解决，具有烷氧基硅烷基、烷氧基铝酸酯基及/ 或烷氧基钛酸酯基的化合物(β )设置于所述化合物(α )的表面。优选通过如下具有金属膜的制品而解决，所述化合物(β )是通式[Τ]表示的化合物。优选通过如下具有金属膜的制品而解决，所述化合物(β )是通式[III]表示的化合物。优选通过如下具有金属膜的制品而解决，所述化合物(β )是通式[IV]表示的化合物。优 选通过如下具有金属膜的制品而解决，所述基体是配线基板。通式[I]通式[I]中，E为任意的基团；F为OH基或OH生成基；-Q为-N3 或-NR1 (R2) ^NR1 (R2)的 R1 和 R2 为 H、碳数 I 24 的烃基、或-RSi (R' 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.10.04 JP 2010-2251651.一种金属膜形成方法，其包括以下步骤 在基体表面设置包含如下化合物(α )的剂材的步骤(X);以及 在所述化合物(α )的表面通过湿镀的方法设置金属膜的步骤(Y)， 其中，所述化合物(α )是一分子内具有OH基或OH生成基、叠氮基、以及三嗪环的化合物， 所述基体使用聚合物而成。2.根据权利要求1所述的金属膜形成方法，其特征在于，在所述步骤(X)后且所述步骤(Y)前，进一步包括对所述基体的表面所存在的所述化合物(α )照射规定图案的光的步骤(W)。3.根据权利要求2所述的金属膜形成方法，其特征在于，通过所述步骤(W)的光照射，所述基体与所述化合物(α )的叠氮基发生化学反应，从而在所述基体的表面键合所述化合物(α )。4.根据权利要求2所述的金属膜形成方法，其特征在于，所述光为紫外线。5.根据权利要求1所述的金属膜形成方法，其特征在于，所述OH基或OH生成基是烷氧基硅烷基，其中，所述烷氧基硅烷基中的烷氧基也可为OH基。6.根据权利要求1所述的金属膜形成方法，其特征在于，所述化合物(α)是通式[I]表示的化合物 通式[I]7.根据权利要求1所述的金属膜形成方法，其特征在于，所述化合物(α)是通式[Ιο]表示的化合物 通式[Ιο]8.根据权利要求1所述的金属膜形成方法，其特征在于，所述化合物(α)是通式[la]表示的化合物 通式[la]9.根据权利要求1所述的金属膜形成方法，其特征在于，所述化合物(α)为通式[Ib]表示的化合物10.根据权利要求1所述的金属膜形成方法，其特征在于，在所述步骤(X)后且所述步骤(Y)前，进一步包括在所述化合物(α )的表面设置通式[II]表示的物质的步骤(V) 通式[II]11.根据权利要求1所述的金属膜形成方法，其特征在于，在所述步骤(X)后且所述步骤(Y)如，进一步包括在所述化合物(α )的表面设置具有烧氧基娃烧基、烧氧基招酸酷基及/或烷氧基钛酸酯基的化合物(β )的步骤(U)。12.根据权利要求10所述的金属膜形成方法，其特征在于，在所述步骤(V)后且所述步骤(Y)如，进一步包括在所述化合物(α )的表面设置具有烧氧基娃烧基、烧氧基招酸酷基及/或烷氧基钛酸酯基的化合物(β )的步骤(U)。13.根据权利要求11或12所述的金属膜形成方法，其特征在于，所述化合物(β)是通式[Τ]表示的化合物 通式[Τ] L-Si (Mi )n (OM)3-H, 通式[Τ]中，L为有机基团,该有机基团可以包含碳、氧以外的兀素,该有机基团可以为脂肪族、芳香族、链状、环状的有机基团W为碳数I 4的链状烃基M为H、或碳数I 4的链状烃基η为O ...

【专利技术属性】
技术研发人员：森邦夫，松野祐亮，森克仁，工藤孝广，道胁茂，宫胁学，
申请(专利权)人：森邦夫，株式会社硫黄化学研究所，名幸电子有限公司，
类型：
国别省市：