闪存介质控制器中的元数据处理制造技术

本发明专利技术公开了闪存介质控制器中的元数据处理，其中，处理存储在闪存介质控制器中的闪存存储器的页中的元数据的方法总体上包括（ⅰ）在每个上下文的基础上定义元数据，其中，上下文基于每个页来定义，（ii）当元数据的大小小于等于预定阈值时，将完整的元数据存储在上下文结构中，以及（iii）当元数据的大小大于预定阈值时，定义上下文中的元数据指针。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体涉及闪存介质系统，特别地，涉及用于处理闪存介质控制器中的元数据的方法和/或装置。
技术介绍
闪存存储器在海量存储环境中是有吸引力的，因为闪存存储器系统没有硬盘相关的机械延迟。因此，闪存存储器系统允许更高的性能和相对较低的成本、功率、发热(heating)和空间使用率。然而，由于某些技术上的限制，闪存存储器还没有传统地用于这些环境中。第一个技术问题是写入速度，其可能与机械硬盘驱动器上的顺序访问的速度的十分之一一样慢。写入速度慢是由于在没有较长的擦除周期之前数据不能被覆写(overwrite)在NAND闪存器件上。因为擦除周期直接影响写入性能，大部分闪存设计将写入数据移动到新位置，并往后延迟擦除。在繁忙的系统中，直到处理器用尽空闲闪存页并必须停止以创建新的闪存页，才可以构建被延迟的擦除周期，这大大影响系统性能。第二个技术问题是，对单级单元(“SLC”)器件的各闪存页100，000次擦除周期以及对多级单元(“MLC”)器件10，000次周期的具体限制。擦除周期的数量限制，引发了数据中心的具体问题，其中，不可预知的数据流可能导致特定的高度使用的存储器分区受限于大量擦除。第三个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于在闪存介质控制器中处理存储在闪存存储器的页中的元数据的方法，所述方法包括：在每个上下文的基础上定义所述元数据，其中，所述上下文是基于每个页定义的；当所述元数据的大小小于等于预定阈值时，将完整的元数据存储在上下文结构中；以及当所述元数据的大小大于所述预定阈值时，在所述上下文中定义元数据指针。

【技术特征摘要】
2011.07.14 US 61/507,659;2011.12.22 US 13/334,5991.一种用于在闪存介质控制器中处理存储在闪存存储器的页中的元数据的方法，所述方法包括在每个上下文的基础上定义所述元数据，其中，所述上下文是基于每个页定义的； 当所述元数据的大小小于等于预定阈值时，将完整的元数据存储在上下文结构中；以及当所述元数据的大小大于所述预定阈值时，在所述上下文中定义元数据指针。2.根据权利要求1所述的方法，还包括使用错误校正码来保护所述元数据。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述元数据包含管理数据。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述预定阈值指定每页的字节数。5.根据权利要求1所述的方法，其中，在闪存编程周期期间，将来自所述上下文结构的所述元数据存储在闪存目标中，并且在读取周期期间，将从所述闪存目标读取的所述元数据存回所述上下文结构中。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述元数据指针提供地址指针，以在闪存编程周期期间从外部系统存储器检索所述元数据，并且将来自闪存读取命令的所述元数据存储至所述外部系统存储器中由所述上下文指定的所述元数据指针所指示的位置处。7.根据权利要求1所述的方法，其中在闪存编程周期期间，将被存储在闪存目标中的元数据的第一部分来自所述上下文结构，并且将被存储在所述闪存目标中的所述元数据的第二部分来自外部系统存储器中由所述上下文指定的所述元数据指针所指示的位置；以及在读取周期期间，将从所述闪存目标中读取的所述元数据的所述第一部分存回所述上下文结构中，并且将所述第二部分存储在所述外部系统存储器中由所述上下文指定的所述元数据指针所指示的位置处。8.根据权利要求1所述的方法，其中，当页大小为主机大小的倍数时，将所述元数据在多个主机用户数据扇区的每一个之间分配。9.一种装置，包括包含多个闪存介质器件的闪存存储器，所述闪存存储器被组织成多个页；闪存介质控制器，被配置为将元数据存储在所述闪存存储器的一个或多个页中，其中，(i)所述闪存介质控制器在每个页的...

【专利技术属性】
技术研发人员：维奈·阿肖克·苏曼纳切，迈克尔·S·希肯，帕米拉·S·亨普斯特德，蒂莫西·W·斯瓦托什，杰克逊·L·埃利斯，马丁·S·德尔，
申请(专利权)人：LSI公司，
类型：发明
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