LED植物助长灯制造技术

本发明专利技术提供了一种LED植物助长灯。该LED植物助长灯包括基座、LED光源、灯罩，其中，灯罩的内表面和/或外表面设置有量子点材料层，LED光源发出的光通过量子点材料层后的发射光谱波段包括两个或两个以上400～1100nm范围内的发射峰。本发明专利技术通过量子点材料组成元素的选择和粒径的调节，可以很方便地实现发射光谱波段的发射峰位置在400～1100nm全波段范围内的调节；量子点材料与稀土荧光粉等传统的发光材料相比，不仅发射光谱波段的峰位可调，而且半峰宽也比较窄，对于调制特异性光谱十分有利；只需使用一种LED光源，避免了电路和驱动电源的复杂设计，而且还可以使得发出的光均匀一致，避免出现混光不完全的现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及LED灯具领域，具体而言，涉及一种LED植物助长灯。
技术介绍
光照是植物生长的必备条件，但太阳光的强度随着地理纬度、季节和天气状况而变化，所以往往会出现光照不足，以至光照条件达不到植物生长需要的情况。而且，不同波长的光对植物生长有不同的影响，如附图说明图1和表I所示，波长在400 520nm的蓝光、610 720nm的红光以及720 IlOOnm的远红光对植物光合作用具有显著的促进作用。表I

【技术保护点】
一种LED植物助长灯，包括基座、LED光源（1）、灯罩（2），其特征在于，所述灯罩（2）的内表面和/或外表面设置有量子点材料层（3），所述LED光源（1）发出的光通过所述量子点材料层（3）后的发射光谱波段包括两个或两个以上400～1100nm范围内的发射峰。

【技术特征摘要】
1.一种LED植物助长灯，包括基座、LED光源(I)、灯罩(2)，其特征在于， 所述灯罩(2)的内表面和/或外表面设置有量子点材料层(3)，所述LED光源(I)发出的光通过所述量子点材料层(3)后的发射光谱波段包括两个或两个以上400 IlOOnm范围内的发射峰。2.根据权利要求1所述的LED植物助长灯，其特征在于，所述发射光谱波段包括至少一个范围在400 720nm可见光波段的发射峰和至少一个范围在720 IlOOnm远红光波段的发射峰。3.根据权利要求1或2所述的LED植物助长灯，其特征在于，所述量子点材料层(3)中的量子点材料包括I1-VI族、II1-V族、IV-VI族、1-1I1-VI族和/或I1-1I1-VI族量子点。4.根据权利要求3所述的LED植物助长灯，其特征在于，所述量子点材料层(3)中的量子点材料包括 由选自第II族元素Zn、Cd、Hg中的任一种元素和选自第VI族元素0、S、Se、Te中的任一种元素组成的I1-VI族量子点； 由选自第IV族元素Ge、Sn、Pb中的任一种元素和选自第VI族元素0、S、Se、Te中的任一种元素组成的IV-VI族量子点； 由选自第III族元素Al、Ga、In中的任一种元素和选自第V族元素N、P、As、Sb中的任一种元素组成的II1-V族量子点；由选自第I族元素Cu，Ag中的任一种元素，选自第III族元素Al、Ga、In中的任一种元素以及选自第VI族元素0、S、Se、Sb中的任一种元素组成的1-1I1-VI族量子点；和/或由选自第II族元素Zn，Cd、Hg中的任一种元素，选自第III族元素Al、Ga、In中的任一种元素以及选自第VI族元素O、S、Se、Sb中的任一种元素组成的I1-1I1-VI族量子点。5.根据权利要求1或2所述的LED植物助长灯，其特征在于，所述量子点材料层(3)中的量子点材料为核壳结构纳米晶，其中， 所述核壳结构纳米晶的晶核包括 由选自第II族元素Zn、Cd、Hg中的任一种元素和选自第VI族元素0、S、Se、Te中的任一种元素组成的I1-VI族量子点； 由选自第IV族元素Ge、Sn、Pb中的任一种元素和选自第VI族元素O、S、Se、Te中的任一种元素组成的IV-VI族量子点； 由选自第III族元素Al、Ga、In中的任一种元素和选自第V族元素N、P、As、Sb中的任一种元素组成的II1-V族量子点；由选自第I族元素Cu，Ag中的任一种元素，选自第III族元素Al、Ga、In中的任一种元素以及选自第VI族元素0、S、Se、Sb中的任一种元素组成的1-1I1-VI族量子点；和/或由选自第II族元素Zn，Cd...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴浩全，赵飞，李卫阳，刘炜，
申请(专利权)人：杭州纳晶科技有限公司，浙江铭洋照明科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：