一种晶体振荡器驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种晶体振荡器驱动电路，包括信号输入端通过一个耦合电阻连接低压驱动的CMOS管的栅极，所述CMOS管的源极接直流电源，所述CMOS管的漏极接驱动电压输出端，其漏极还通过一个电阻接地,所述CMOS管的栅极还并联一个保护电阻接地。本实用新型专利技术采用低压驱动的CMOS器件来做驱动电路，满足不同的电路多样性需求，减少电路的能耗，使得电路的驱动电压提高，从而提高电路的能效，减少电路的复杂设计。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种简单稳定的驱动电路。
技术介绍
在晶体振荡器信号输出的电路设计中，往往会遇到提高电路驱动能力以及电压匹配的问题。用三极管提高电路驱动能力以及电压匹配是设计人员经常会想到的。而因为三极管的压降相对来说比较大，当用一个三极管驱动能力不够时，会再加一个三极管，使驱动能力再增加，或者通过提高输入端的电压来实现。目前因为普通三级管的压降比较大(都会有0. 7v的压降)，使得电源电压损失过大，无法达到高电平所需电压值，电路能耗大，电路应用范围受限制，满足不了各种客户对电路的不同需求，一般客户通过提高输入端的电压来弥补三极管的压降。显然这样会使得电路复杂度提高。而电路复杂度的增加不仅使得电路成本增加，更会降低电路的可靠性，电压的增加使一些器件工作在临界状态容易损坏，减少了器件的使用寿命。在电路集成度越来越高的今天，这点尤为突出。特别是在晶振电路的设计上，因为该晶振的线路板设计空间比较小，并且要求成本以及功耗越低越好。
技术实现思路
针对此问题，本技术采用低压驱动的CMOS器件来做驱动电路，满足不同的电路多样性需求，减少电路的能耗，使得电路的驱动电压提闻，从而提闻电路的能效，减少电路的复杂设计。一种晶体振荡器驱动电路，驱动电路的信号输入端通过一个耦合电阻连接低压驱动的CMOS管的栅极，所述CMOS管的源极接直流电源，所述CMOS管的漏极接驱动电压输出端，其漏极还通过一个电阻接地。所述CMOS管的栅极还并联一个保护电阻接地。所述信号输入端连接MCU芯片控制输出脚，所述驱动电压输出端连接晶体振荡器。本技术电路结构简单，可减少电路的能耗，使得电路的驱动电压提高，从而提闻电路的能效。附图说明图1是本技术实施例提供的晶体振荡器驱动电路结构示意图。具体实施方式如图1所示，本技术实施例提供的一种晶体振荡器驱动电路，驱动电路的信号输入端通过一个IK欧姆的耦合电阻Rl连接低压驱动的CMOS管Ql的栅极，所述CMOS管的源极接直流电源3V，所述CMOS管的漏极接驱动电压输出端，其漏极还通过一个电阻RL接地。所述CMOS管的栅极还并联一个IOk欧姆的保护电阻接地。所述信号输入端连接MCU芯片控制IO输出脚，所述驱动电压输出端Vout连接晶体振荡器。本技术采用一个低压驱动的CMOS管来实现(例如芯片mi3004)，能减少电路的复杂度。以mi3004为例，当驱动脚的电压为2. 5v时，CMOS管的阻值为0. 054欧姆，当驱动脚的电压为4. 5v时，CMOS管的阻值为0. 035欧姆，该CMOS管的的电阻小到可以忽略，输出电压近似输入电压，假设要求的负载为50欧的负载，输入电压是3. 0V，可以如下计算输出电压Vout= 3. 0/ (0. 054+50) *50=2. 996V近似3. 0V,可见该电路低压驱动的CMOS部分带来的压降很少，还能满足不同电压的器件之间的电压转换，比如一个要求是3. 3V的输入信号，计算它的最低输入电压，3. 3*0. 7=2. 31V,可见一个MOS管就能轻松实现电压转换，另外低压驱动的CMOS管的的驱动能力也比三极管强。用LVCMOSs管代替传统三极管的使得驱动电路部分的器件减少，降低了电路复杂度，而且器件都工作在的额定电压下，增加了电路的可靠性。该电路不单单用晶体振荡器电路，还能应用到其它电路上。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体振荡器驱动电路，其特征在于，包括信号输入端通过一个耦合电阻连接低压驱动的CMOS管的栅极，所述CMOS管的源极接直流电源，所述CMOS管的漏极接驱动电压输出端，其漏极还通过一个电阻接地。

【技术特征摘要】
1.一种晶体振荡器驱动电路，其特征在于，包括信号输入端通过一个耦合电阻连接低压驱动的CMOS管的栅极，所述CMOS管的源极接直流电源，所述CMOS管的漏极接驱动电压输出端，其漏极还通过一个电阻接地。2.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐道勇，
申请(专利权)人：广东中晶电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：