一种像素电路及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术实施例提供一种像素电路及显示装置，涉及显示技术领域，可以有效地补偿TFT的阈值电压漂移，提高显示装置发光亮度的均匀性，提升显示效果。包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、存储电容以及发光器件，本实用新型专利技术实施例用于制造显示面板。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及显示
，尤其涉及一种像素电路及显示装置。
技术介绍
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode, OLED)作为一种电流型发光器件，因其所具有的自发光、快速响应、宽视角和可制作在柔性衬底上等特点而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。OLED按驱动方式可分为PMOLED (Passive Matrix Driving0LED，无源矩阵驱动有机发光二极管)和AMOLED (Active Matrix DrivingOLED，有源矩阵驱动有机发光二极管)两种。传统的PMOLED随着显示装置尺寸的增大，通常需要降低单个像·素的驱动时间，因而需要增大瞬态电流，从而导致功耗的大幅上升。而在AMOLED技术中，每个OLED均通过TFT (Thin Film Transistor,薄膜晶体管)开关电路逐行扫描输入电流,可以很好地解决这些问题。在现有的AMOLED面板中，TFT开关电路多采用低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)或氧化物薄膜晶体管(Oxide TFT)。与一般的非晶硅薄膜晶体管(amorphous-Si TFT)相比，LTPS TFT和Oxide TFT具有更高的迁移率和更稳定的特性，更适合应用于AMOLED显示中。但是由于晶化工艺和制作水平的限制，导致在大面积玻璃基板上制作的TFT开关电路常常在诸如阈值电压、迁移率等电学参数上出现非均匀性，从而使得各个TFT的阈值电压偏移不一致，这将导致OLED显示器件的电流差异和亮度差异，并被人眼所感知；另外，在长时间加压和高温下也会导致TFT的阈值电压出现漂移，由于显示画面不同，面板各部分TFT的阈值漂移量不同，从而造成显示亮度差异，由于这种差异与之前显示的图像有关，因此常呈现为残影现象。
技术实现思路
本技术的实施例提供一种像素电路及显示装置，可以有效地补偿TFT的阈值电压漂移，提高显示装置发光亮度的均匀性，提升显示效果。为达到上述目的，本技术的实施例采用如下技术方案本技术实施例的一方面，提供一种像素电路，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、存储电容以及发光器件；所述第一晶体管的第一极连接所述发光器件的一端，其第二极连接第一电源电压；所述第二晶体管的栅极连接第一控制线，其第一极连接重置电压，其第二极连接所述第一晶体管的栅极；所述第三晶体管的栅极连接第二控制线，其第一极连接所述第四晶体管的第二极，其第二极连接所述第一晶体管的栅极；所述第四晶体管的栅极连接所述第一控制线，其第一极连接数据线；所述第五晶体管的栅极连接第三控制线，其第一极连接所述第一晶体管的第一极，其第二极连接所述重置电压；所述存储电容位于所述第一晶体管的第一极与所述第三晶体管的第一极之间；所述发光器件的另一端连接第二电源电压。其中，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管以及所述第五晶体管均为N型晶体管；或，所述第一晶体管为N型晶体管，所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管以及所述第五晶体管均为P型晶体管；所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管以及所述第五晶体管的第一极均为源极，所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管的第二极均为漏极。进一步地，所述重置电压小于所述发光器件最低灰阶的驱动电压。所述发光器件为有机发光二级管。本技术实施例的另一方面，提供一种显示装置，包括如上所述的像素电路。本技术实施例提供的像素电路及显示装置，通过多个晶体管和电容对电路进行开关和充放电控制，可以使得存储电容保持第一晶体管栅极和源极之间的栅源电压不变，从而使得通过第一晶体管的电流与该第一晶体管的阈值电压无关，补偿了由于第一晶体管的阈值电压的不一致或偏移所造成的流过发光器件的电流差异，提高了显示装置发光亮度的均匀性，显著提升了显示效果。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术实施例提供的一种像素电路的连接结构示意图；图2为驱动图1所示像素电路时各信号线的时序图；图3为图1所示像素电路在预充阶段的等效电路示意图；图4为图1所示像素电路在补偿阶段的等效电路示意图；图5为图1所示像素电路在发光阶段的等效电路示意图；图6为本技术实施例提供的一种像素电路驱动方法的流程示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本技术实施例提供的像素电路1，如图1所示，包括第一晶体管Tl、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、存储电容C以及发光器件L。第一晶体管Tl的第一极连接发光器件L的一端，其第二极连接第一电源电压(Vdd)。第二晶体管T2的栅极连接第一控制线G1，其第一极连接重置电压，其第二极连接第一晶体管Tl的栅极。第三晶体管T3的栅极连接第二控制线G2，其第一极连接第四晶体管T4的第二极，其第二极连接第一晶体管Tl的栅极。第四晶体管T4的栅极连接第一控制线Gl，其第一极连接数据线DATA。第五晶体管T5的栅极连接第三控制线G3，其第一极连接第一晶体管Tl的第一极，其第二极连接重置电压。存储电容C位于第一晶体管Tl的第一极与第三晶体管T3的第一极之间。发光器件L的另一端连接第二电源电压(Vss)。需要说明的是，本技术实施例中的发光器件L可以是现有技术中包括LED (Light Emitting Diode,发光二极管)或 OLED (OrganicLight Emitting Diode,有机发光二极管)在内的多种电流驱动发光器件。在本技术实施例中，是以OLED为例进行的说明。本技术实施例提供的像素电路，通过多个晶体管和电容对电路进行开关和充放电控制，可以使得存储电容保持第一晶体管栅极和源极之间的栅源电压不变，从而使得通过第一晶体管的电流与该第一晶体管的阈值电压无关，补偿了由于第一晶体管的阈值电压的不一致或偏移所造成的流过发光器件的电流差异，提高了显示装置发光亮度的均匀性，显著提升了显示效果。其中，第一晶体管Tl、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4以及第五晶体管T5均可以为N型晶体管；或者第一晶体管Tl为N型晶体管，第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4以及第五晶体管T5均为P型晶体管。当采用不同类型的晶体管时，像素电路的外部控制信号也各不相同。例如，以N型晶体管为例，在本技术实施例所提供的像素电路中，第一晶体管Tl、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4以及第五晶体管T5均可以为N型增强型TFT(Thin FilmTransistor，薄膜晶体管)或N型耗尽型TFT。其中，第一晶体管Tl、第二晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素电路，其特征在于，包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、存储电容以及发光器件；所述第一晶体管的第一极连接所述发光器件的一端，其第二极连接第一电源电压；所述第二晶体管的栅极连接第一控制线，其第一极连接重置电压，其第二极连接所述第一晶体管的栅极；所述第三晶体管的栅极连接第二控制线，其第一极连接所述第四晶体管的第二极，其第二极连接所述第一晶体管的栅极；所述第四晶体管的栅极连接所述第一控制线，其第一极连接数据线；所述第五晶体管的栅极连接第三控制线，其第一极连接所述第一晶体管的第一极，其第二极连接所述重置电压；所述存储电容位于所述第一晶体管的第一极与所述第三晶体管的第一极之间；所述发光器件的另一端连接第二电源电压。

【技术特征摘要】
1.一种像素电路，其特征在于，包括 第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、存储电容以及发光器件； 所述第一晶体管的第一极连接所述发光器件的一端，其第二极连接第一电源电压；所述第二晶体管的栅极连接第一控制线，其第一极连接重置电压，其第二极连接所述第一晶体管的栅极； 所述第三晶体管的栅极连接第二控制线，其第一极连接所述第四晶体管的第二极，其第二极连接所述第一晶体管的栅极； 所述第四晶体管的栅极连接所述第一控制线，其第一极连接数据线； 所述第五晶体管的栅极连接第三控制线，其第一极连接所述第一晶体管的第一极，其第二极连接所述重置电压； 所述存储电容位于所述第一晶体管的第一极与所述第三晶体管的第一极之间； 所述发光器件的另一端连接第二电源...

【专利技术属性】
技术研发人员：盖翠丽，吴仲远，段立业，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：