滤波器中TEM模金属腔与TM模介质腔可调电耦合结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种滤波器中TEM模金属腔与TM模介质腔可调电耦合结构，包括壳体和盖板，所述壳体内包括开有TM模介质腔和TEM模金属腔的三个腔室和谐振杆、金属耦合螺杆，其中相邻的TM模介质腔与TEM模金属腔之间设有电耦合导带，所述电耦合带为折弯成阶梯状的带状金属片，与一个腔室对应的盖板上开有矩形槽孔，电耦合导带阶梯状的上部位于TM模介质腔部位盖板的顶面，于盖板顶面的部分的电耦合导带沿长度方向开有长孔，电耦合导带阶梯状的上部通过穿过长孔内的螺钉与盖板固定，电耦合导带阶梯状的下部位于相邻的另一个腔室内。本实用新型专利技术通过调节电耦合导带伸进拉出腔室内的深度实现电交叉耦合的增强或减弱，实现电交叉耦合的调节目的。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子通信领域，具体是一种滤波器中TEM模金属腔与TM模介质腔可调电耦合结构。
技术介绍
目前，由于无线通讯系统频率资源愈加紧缺，导致频谱之间的间隔越来越小，因此滤波器需要拥有较高带外抑制性能。为了实现较高的抑制指标，则需要采用广义切比雪夫函数滤波器，即交叉耦合滤波器。交叉耦合滤波器需利用非相邻谐振器之间的交叉耦合来在滤波器响应中引入传输零点，从而使滤波器响应曲线的阻带更为陡峭，抑制度更高。传统滤波器中，TEM模金属腔与TEM模金属腔之间或TM模介质腔与TM模介质腔之间，都是采用聚四氟乙烯架一根金属杆造成电交叉耦合实现传输零点，但TEM模金属腔与TM模介质 腔由于电磁场分布不同，无法直接采用这种方式。现有TEM模金属腔与TM模介质腔之间交叉耦合结构一般采用金属耦合片，即在TEM模金属腔与TM模介质腔之间设置金属耦合片进行耦合，该金属耦合片一端用螺钉固定在滤波器TM模介质腔上面的盖板上,另一端固定在TEM模金属腔的底部。由于该金属I禹合片在滤波器内是固定结构，因此，滤波器内 Μ模金属谐振杆和TM模介质谐振杆之间的电交叉耦合量的大小无法调节，限制了滤波器的使用范围。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决上述
技术介绍
存在的不足，提出一种结构简单、能调整电交叉耦合量的滤波器中TEM模金属腔与TM模介质腔可调电耦合结构。为了实现以上目的，本技术采用如下技术方案一种滤波器中TEM模金属腔与TM模介质腔可调电稱合结构，包括壳体I和盖板8,所述壳体I内包括开有TM模介质腔4a和TEM模金属腔4b的三个腔室，在TM模介质腔4a中央设有一个TM模介质谐振杆2，在TEM模金属腔4b中央设有一个TEM模金属谐振杆3,上述三个腔室两两相交,相交部位分别设有金属耦合螺杆5，其中相邻的TM模介质腔4a与TEM模金属腔4b之间设有电耦合导带6,所述电I禹合导带6 —端位于TM模介质腔4a内，另一端位于TEM模金属腔4b内，其特征在于所述电耦合带6为折弯成阶梯状的带状金属片，与一个腔室对应的盖板8上开有能穿过电耦合带6竖直折弯部分的矩形槽孔8. 1，电耦合导带6阶梯状的上部位于TM模介质腔4a部位盖板8的顶面，于盖板8顶面的部分的电耦合导带6沿长度方向开有长孔6. 1，电耦合导带6阶梯状的上部通过穿过长孔6.1内的螺钉与盖板8固定，电耦合导带6阶梯状的下部位于相邻的另一个腔室内，并与另一个腔室底部相连。作为本技术的优选方案所述电耦合导带6与另一个腔室的底部通过金属圆柱7相连。作为本技术的优选方案所述金属圆柱7设置在该腔室的谐振杆与腔壁之间。在上述方案中，所述壳体I内的三个腔室为两个TM模介质腔4a和一个TEM模金属腔4b，或者为一个TM模介质腔4a和两个TEM模金属腔4b。在上述方案中，所述壳体I内的三个腔室优选为圆形腔室。优选地，所述位于三个腔室内的谐振杆呈等边三角形布置。优选地，所述电稱合导带6位于相邻两个腔室中的TM模介质腔4a圆心与TEM模金属腔4b圆心连线中部。本技术通过电耦合导带的折弯部位可实现对耦合量的微调，通过调节电耦合导带6伸进拉出腔室内的深度实现电交叉耦合的增强或减弱，实现电交叉耦合的调节目的。本技术结构简单、易于实现，通过电耦合导带在TEM模金属腔与TM模介质腔 中实现的非相邻谐振杆之间的电交叉耦合，在滤波器响应中引入了传输零点，从而实现了滤波器较好的带外抑制，提高了选择性。附图说明图1为本技术的结构示意图；图2为图1中电耦合导带的结构示意图；图3为图1中电耦合导带部位侧视图；图中壳体1、TM模介质谐振杆2、TEM模金属谐振杆3、圆形空腔4、TM模介质腔4a、TEM模金属腔4b、金属稱合螺杆5、电稱合导带6、长孔6.1、金属圆柱7、盖板8、矩形槽孔 8.1。具体实施方式以下结合附图及实施例对本技术作进一步说明。实施例如图1至图3所示，本技术所设计的一种TEM模金属腔与TM模介质腔可调电耦合结构包括壳体I和盖板8。所述壳体I内设有两个圆形TM模介质腔4a和一个圆形TEM模金属腔4b，上述三个圆形空腔两两相交但不三个重叠。在两个圆形TM模介质腔4a中央分别设有一个TM模介质谐振杆2，在一个圆形TEM模金属腔4b中央设有一个TEM模金属谐振杆3，两个TM模介质谐振杆2和一个TEM模金属谐振杆3呈等边三角形布置。上述两个圆形TM模介质腔4a和一个圆形TEM模金属腔4b两两相交部位分别设有金属稱合螺杆5。所述其中任意一个TM模介质腔4a的圆心与TEM模金属腔4b的圆心连线中部设有电耦合导带6，电耦合带6为折弯成阶梯状的带状金属片，其一端位于TM模介质腔4a范围内，另一端位于TEM模金属腔4b内。所述盖板8上开有能穿过电耦合带6竖直折弯部分的矩形槽孔8. 1，电耦合导带6阶梯状的上部位于TM模介质腔4a部位盖板8的顶面，于盖板8顶面的部分的电耦合导带6沿长度方向开有长孔6.1，电耦合导带6阶梯状的上部通过穿过长孔6.1内的螺钉与盖板8固定。电耦合导带6阶梯状的下部位于TEM模金属腔4b内，并与TEM模金属腔4b内的金属圆柱7用螺钉相连。所述金属圆柱7设置在TEM模金属腔4b内TEM模金属谐振杆3与腔壁之间。本实施例所述电耦合导带6伸进TM模介质腔内的长度可以通过调节盖板上穿过电耦合导带长孔6.1内的螺钉在长孔6.1内的水平位置进行调节。由于本实施例的电耦合导带6采用很薄的铜片，它很容易变形，因此上述调整很容易实现。本技术通过金属耦合螺杆5与电耦合导带6实现TEM模金属谐振杆3和TM模介质谐振杆2之间的电交叉耦合，电交叉耦合量的大小可以通过改变金属圆柱7与TEM模金属谐振杆3之间的距离进行调节，也可以通过调节电耦合导带6伸进拉出TM模介质腔内的长度进行调节，还可以通过改变金属耦合螺杆5旋进的深度进行调节。具体调节过程为，金属圆柱7与TEM模金属谐振杆3距离越近、电耦合导带6伸进越多、金属耦合螺杆5旋进深度越深都会使电交叉耦合量变大，反之变小。上述实施例也可以采用一个TM模介质腔4a和两个TEM模金属腔4b的结构，三个谐振杆之间也可以呈其它非等边三角形的方式布置。以上所述，仅是本技术的较佳实施例而已，并非对本技术结构做任何形 式上的限制。凡是依据本技术的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本技术的技术方案的范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种滤波器中TEM模金属腔与TM模介质腔可调电耦合结构，包括壳体（1）和盖板（8），所述壳体（1）内包括开有TM模介质腔（4a）和TEM模金属腔（4b）的三个腔室，在TM模介质腔（4a）中央设有一个TM模介质谐振杆（2），在TEM模金属腔4b中央设有一个TEM模金属谐振杆（3），上述三个腔室两两相交，相交部位分别设有金属耦合螺杆（5），其中相邻的TM模介质腔（4a）与TEM模金属腔（4b）之间设有电耦合导带（6），所述电耦合导带（6）一端位于TM模介质腔（4a）内，另一端位于TEM模金属腔（4b）内，其特征在于：所述电耦合带（6）为折弯成阶梯状的带状金属片，与一个腔室对应的盖板（8）上开有能穿过电耦合带（6）竖直折弯部分的矩形槽孔（8.1），电耦合导带（6）阶梯状的上部位于TM模介质腔（4a）部位盖板（8）的顶面，于盖板（8）顶面的部分的电耦合导带（6）沿长度方向开有长孔（6.1），电耦合导带（6）阶梯状的上部通过穿过长孔（6.1）内的螺钉与盖板（8）固定，电耦合导带（6）阶梯状的下部位于相邻的另一个腔室内，并与另一个腔室底部相连。

【技术特征摘要】
1.一种滤波器中TEM模金属腔与TM模介质腔可调电稱合结构，包括壳体(I)和盖板 (8),所述壳体(I)内包括开有TM模介质腔(4a)和TEM模金属腔(4b)的三个腔室，在TM模介质腔(4a)中央设有一个TM模介质谐振杆(2),在TEM模金属腔4b中央设有一个TEM模金属谐振杆(3)，上述三个腔室两两相交，相交部位分别设有金属耦合螺杆(5)，其中相邻的TM模介质腔(4a)与TEM模金属腔(4b)之间设有电耦合导带(6)，所述电耦合导带(6) — 端位于TM模介质腔(4a)内，另一端位于TEM模金属腔(4b)内，其特征在于所述电I禹合带(6)为折弯成阶梯状的带状金属片，与一个腔室对应的盖板(8)上开有能穿过电耦合带(6) 竖直折弯部分的矩形槽孔(8. 1)，电耦合导带(6)阶梯状的上部位于TM模介质腔(4a)部位盖板(8)的顶面，于盖板(8)顶面的部分的电耦合导带(6)沿长度方向开有长孔(6. 1)，电耦合导带(6)阶梯状的上部通过穿过长孔(6.1)内的螺钉与盖板(8)固定，电耦合导带(6)阶梯状的下部位于相邻的另一个腔室内，并与另一个腔室底部相连。2.根据权利要求1所述的滤波器中T...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈耀，
申请(专利权)人：武汉凡谷电子技术股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：