【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及通信
，特别涉及一种LLC变压器及电源设备。
技术介绍
随着人们对电磁干扰的重视，目前几乎所有的电源产品必须进行电磁干扰测试，产品的电磁噪声必须低于国际上关于电磁干扰规定的限值。现有技术中为了减少产品对外的电磁干扰，通常做法是在产品的端口增加EMI(Electromagnetic Interference,电磁干扰)滤波电路。通过该EMI滤波电路来降低电源的电磁干扰。但是随着电源特别是开关电源、开关频率和开关速度的不断提高以及业界对电磁干扰的要求越来越严，对EMI滤波电路的性能要求也越来越高，随着EMI滤波电路性能的提高，需要的EMI滤波电路的尺寸也越来越大。所以怎样实现在降低电源的电磁噪声的同时，又减少EMI滤波电路的尺寸是需要解决的问题。
技术实现思路
为了降低对EMI滤波电路的尺寸的要求，本专利技术实施例中提供了一种LLC变压器及电源设备。所述技术方案如下第一方面，提供了一种LLC变压器，所述变压器包括磁芯中柱，依次围绕所述磁芯中柱的第一原边绕组、第一副边绕组，第二副边绕组和第二原边绕组，所述变压器还包括至少两个屏蔽层；所述第一屏蔽层位于所述第一原边绕组和所述第一副边绕组之间，所述第二屏蔽层位于所述第二原边绕组和所述第二副边绕组之间，且所述第一屏蔽层的一端和所述第二屏蔽层的一端分别接地；其中，所述第一副边绕组的内侧面与所述第一屏蔽层的外侧面间的距离及所述第二副边绕组的外侧面与所述第二屏蔽层的内侧面间的距离分别为(13和d4，所述第一副边绕组的内侧面与所述第一屏蔽层的外侧面之间的绝缘层的介电常数及所述第二副边绕组的外侧面与所述第二屏蔽...
【技术保护点】
一种串并联谐振变换LLC变压器，所述变压器包括磁芯中柱，依次围绕所述磁芯中柱的第一原边绕组、第一副边绕组、第二副边绕组和第二原边绕组，其特征在于，所述变压器还包括：至少两个屏蔽层；所述第一屏蔽层位于所述第一原边绕组和所述第一副边绕组之间，所述第二屏蔽层位于所述第二原边绕组和所述第二副边绕组之间，且所述第一屏蔽层的一端和所述第二屏蔽层的一端分别接地；其中，所述第一副边绕组的内侧面与所述第一屏蔽层的外侧面间的距离及所述第二副边绕组的外侧面与所述第二屏蔽层的内侧面间的距离分别为d3和d4，所述第一副边绕组的内侧面与所述第一屏蔽层的外侧面之间的绝缘层的介电常数及所述第二副边绕组的外侧面与所述第二屏蔽层的内侧面之间的绝缘层的介电常数分别为ε3和ε4，所述第一副边绕组在所述第一屏蔽层上感应出的电势及所述第二副边绕组在所述第二屏蔽层上感应出的电势分别为E3和E4，所述第一副边绕组到所述磁芯中柱的圆环的半径及所述第二副边绕组到所述磁芯中柱的圆环的半径分别为r3和r4，分别调整d3和d4，ε3和ε4，E3和E4，使得所述第一原边绕组和所述第一副边绕组上的感应电荷与所述第二原边绕组和所述第二副边绕组上的感...
【技术特征摘要】
1.一种串并联谐振变换LLC变压器，所述变压器包括磁芯中柱，依次围绕所述磁芯中柱的第一原边绕组、第一副边绕组、第二副边绕组和第二原边绕组，其特征在于，所述变压器还包括至少两个屏蔽层； 所述第一屏蔽层位于所述第一原边绕组和所述第一副边绕组之间，所述第二屏蔽层位于所述第二原边绕组和所述第二副边绕组之间，且所述第一屏蔽层的一端和所述第二屏蔽层的一端分别接地； 其中，所述第一副边绕组的内侧面与所述第一屏蔽层的外侧面间的距离及所述第二副边绕组的外侧面与所述第二屏蔽层的内侧面间的距离分别为d3和d4，所述第一副边绕组的内侧面与所述第一屏蔽层的外侧面之间的绝缘层的介电常数及所述第二副边绕组的外侧面与所述第二屏蔽层的内侧面之间的绝缘层的介电常数分别为83和S4，所述第一副边绕组在所述第一屏蔽层上感应出的电势及所述第二副边绕组在所述第二屏蔽层上感应出的电势分别为E3和E4，所述第一副边绕组到所述磁芯中柱的圆环的半径及所述第二副边绕组至IJ所述磁芯中柱的圆环的半径分别为rjPr4，分别调整屯和山，83和e4，EjPE4，使得所述第一原边绕组和所述第一副边绕组上的感应电荷...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋清亮，陈庆彬，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，福州大学，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。