本发明专利技术涉及一种基于SRAM的PUF的片上自我注册系统及其实现方法，其技术特点是：该系统包括BISE控制器、电压调节器、温度调节器、累加器、SRAM1和SRAM2，BISE控制器输出端连接到电压调节器和温度调节器，该电压调节器和温度调节器的输出端连接到SRAM2上，BISE控制器分别与SRAM1、SRAM2和累加器相连接，SRAM1、SRAM2分别与累加器的两个输入端相连接，该累加器的输出端连接到SRAM1上，该SRAM1输出PUF单元；该方法包括步骤1：BISE控制器由初始态自动进入检测模式0，进行检测并输出检测模式0下的PUF单元；步骤2：BISE控制器自动进入检测模式1，进行检测并输出检测模式1下的PUF单元。本发明专利技术可广泛集成在需要保护的芯片内，具有设计合理、可靠性高、使用方便等特点。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于集成电路
，尤其是一种基于SRAM的PUF的片上自我注册系统及其实现方法。
技术介绍
传统芯片的防伪依赖于各种加密算法，在系统中(例如在非挥发性存储器中)储存关键秘密/密钥，能够被复制或较容易泄密。另外，由于非挥发性存储器在90nm以下工艺很难生产，因此，芯片防伪系统设计需要一个革命。当前芯片设计者和生产技术人员正在努力地消除工艺差别(Process Variation)以保证每一个生产出的芯片与下一个完全一致。但是工艺差别是不可能被完全消除的，我们可以利用这个工艺差别来区分每个芯片。这种工艺差别可以当做是芯片的指纹，也就是说每个芯片有独特的指纹，通过该对特的指纹可以识别芯片。由于，每个芯片都有一些独一无二的物理特性，并且没办法从合法的正版芯片中提取这些物理特性并复制到另一芯片上，因此，它们泛指“物理不可克隆功能”(Physical Unclonable Function,简称为PUF)。物理不可克隆功能(PUF)不可能是一种完全随机现象，尽管芯片与芯片之间不应有PUF相关性，但是同一芯片内PUF必定可以可靠地重复。换句话说，两个设备PUF应完全不同；同一芯片PUF不论在什么情况下必须完全一致。而PUF的可靠性恰恰是PUF难以广泛使用的关键。现有的芯片PUF主要基于两种物理特性一是芯片的路径延迟，二是静态存储器(SRAM)的上电初始态。无论哪种PUF，可靠性都是首要问题，因此，各种纠错和统计技术被应用到基于PUF的验证系统中。上述方法存在的问题是(I)纠错技术不是万能的，这是由于所选PUF的物理特性对环境变化如温度和电压的敏感性导致PUF的不可靠性，纠错技术的成功与否将取决于选择稳定可靠的PUF单元；(2)统计技术使得芯片注册非常麻烦，这是由于芯片注册过程就是通过不同环境下的重复实验得到稳定的物理特性，并将之记录在案的过程，这个过程阻碍PUF验证的实际应用。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种设计合理、可靠性高且使用方便的基于SRAM的PUF的片上自我注册系统及其实现方法。本专利技术解决其技术问题是采取以下技术方案实现的一种基于SRAM的PUF的片上自我注册系统，包括BISE控制器、电压调节器、温度调节器、累加器、SRAMl和SRAM2，BISE控制器输出端连接到电压调节器和温度调节器，该电压调节器和温度调节器的输出端连接到SRAM2上，BISE控制器分别与SRAMl、SRAM2和累加器相连接，SRAMU SRAM2分别与累加器的两个输入端相连接，该累加器的输出端连接到SRAMl上，该SRAMl输出PUF单元。而且，所述的SRAMl和SRAM2具有同样的大小和地址空间。而且，所述的电压调节器包括选择电压输出单元和多个分压电阻，工作电压VDD通过分压电阻连接到选择电压输出单元上，该选择电压输出单元在BISE控制器的控制下向SRAM2输出不同的电压。而且，所述的温度调节器包括计数器，该计数器在BISE控制器的控制下，向SRAM2循环交替写入“O”和“1”，从而调节SRAM2的温度。一种基于SRAM的PUF的片上自我注册系统的实现方法，包括以下步骤步骤1:BISE控制器由初始态自动进入检测模式0，进行检测并输出检测模式O下的PUF单元。步骤2 =BISE控制器自动进入检测模式1，进行检测并输出检测模式I下的PUF单J Li ο而且，所述检测模式O的检测过程为首先，SRAMl所有单元被初始化成“O”;然后，在各种环境参数组合下，SRAM2上电并读取SRAM2的每个单元的初始逻辑值，将该逻辑值和SRAMl相应单元的逻辑值进行逻辑“或”运算并把结果存入SRAMl相应单元，重复以上操作直到所有环境参数全部遍历完毕；最后，将稳定可靠的SRAM2 “O”的单元地址输出作为PUF特征地址，“O”作为这些特征地址的特征值。而且，所述检测模式I的检测过程为首先，SRAMl所有单元被初始化成“ I”;然后，在各种环境参数组合下，SRAM2上电并读取SRAM2的每个单元的初始逻辑值，将该逻辑值和SRAMl相应单元的逻辑值进行逻辑“与”运算并把结果存入SRAMl相应单元，重复以上操作直到所有环境参数全部遍历完毕；最后，将稳定可靠的SRAM2的“I”的单元地址输出作为PUF特征地址，“ I ”作为这些特征地址的特征值。本专利技术的优点和积极效果是本专利技术通过BISE控制器、电压调节器和温度调节器能够输出稳定的PUF单元，可广泛集成在需要保护的芯片内，具有设计合理、可靠性高、使用方便等特点。附图说明图1为SRAM的结构示意图；图2为本专利技术的系统连接示意图；图3为电压调节器的结构示意图；图4为温度调节器的结构示意图；图5为本专利技术的BISE控制器的处理流程图。具体实施例方式以下结合附图对本专利技术做进一步详述。一种基于SRAM的PUF的片上自我注册系统，如图1所示，是基于SRAM的PUF并集成在需要保护的芯片内，同样本自我注册系统(BuiId-1n-Self-EnrolIment)也可以应用到基于路径延迟的PUF验证系统。下面结合图1所示，对基于SRAM的PUF进行介绍。芯片PUF利用同一芯片设计在生产中由于工艺差别造成的独立物理特性来特征化每一芯片。由于SRAM几乎被每一计算机设备广泛应用，因此，其上电初始态可被用作PUF。一个互补式金属氧化物半导体(CMOS)静态随机存取存储器(SRAM)的单元是由六个场效应管(FET)形成的交叉耦合反相器，如图1所示，一个反相器驱动A，另一个反相器驱动B。当断电时，AB=OO,这是一个非稳态；一旦来电，这个非稳态就会变成一个稳态“O”(AB=Ol)或者“I”(AB=10)。究竟会变成“O”还是“ I”取决于以下两个条件(I)两边FET阈值电压差(Vth);(2)热噪声(由Lrff，Vnoise和Tsub决定)。如果两边FET阈值电压差较大，那么这个SRAM单元的初始态就会稳定地偏向“O”或者偏向“I”而不受热噪声影响。如果两边FET阈值电压差较小，那么这个SRAM单元的初始态就会由热噪声决定随机地偏向“O”或者偏向“I”。不同SRAM单元会表现随机并彼此独立。因此，本自我注册系统就是要找到一些初始态为稳定的“O”或“I”的单元，从而形成这个芯片的特征地址/特征值序列；同时,不同芯片由于Process Variation会形成不同的特征地址/特征值序列。下面结合图2给出的自我注册系统体系结构对本专利技术进行说明。一种基于SRAM的PUF的片上自我注册系统，包括BISE控制器、电压调节器、温度调节器、累加器、SRAMl和SRAM2，BISE控制器输出端连接到电压调节器和温度调节器相连接控制电压调节和温度调节，BISE控制器分别与SRAM1、SRAM2和累加器相连接，电压调节器和温度调节器的输出端连接到SRAM2上，SRAMU SRAM2分别与累加器的两个输入端相连接，该累加器的输出端连接到SRAMl上，该SRAMl输出可靠的PUF单元。所述的SRAMl和SRAM2有同样的大小和地址空间。下面对系统中的各个部分分别进行说明BISE控制器作为系统的核心，内置有自我注册系统处理软件和包括预设定的一系列的电压和温度的组合的环境参数，通过该处理软件控制电压调节器和温度调节器遍历所本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种基于SRAM的PUF的片上自我注册系统，其特征在于：包括BISE控制器、电压调节器、温度调节器、累加器、SRAM1和SRAM2，BISE控制器输出端连接到电压调节器和温度调节器，该电压调节器和温度调节器的输出端连接到SRAM2上，BISE控制器分别与SRAM1、SRAM2和累加器相连接，SRAM1、SRAM2分别与累加器的两个输入端相连接，该累加器的输出端连接到SRAM1上，该SRAM1输出PUF单元。
【技术特征摘要】
1.一种基于SRAM的PUF的片上自我注册系统，其特征在于包括BISE控制器、电压调节器、温度调节器、累加器、SRAMl和SRAM2，BISE控制器输出端连接到电压调节器和温度调节器，该电压调节器和温度调节器的输出端连接到SRAM2上，BISE控制器分别与SRAM1、SRAM2和累加器相连接，SRAMU SRAM2分别与累加器的两个输入端相连接，该累加器的输出端连接到SRAMl上，该SRAMl输出PUF单元。2.根据权利要求1所述的基于SRAM的PUF的片上自我注册系统，其特征在于所述的SRAMl和SRAM2具有同样的大小和地址空间。3.根据权利要求1所述的基于SRAM的PUF的片上自我注册系统，其特征在于所述的电压调节器包括选择电压输出单元和多个分压电阻，工作电压VDD通过分压电阻连接到选择电压输出单元上，该选择电压输出单元在BISE控制器的控制下向SRAM2输出不同的电压。4.根据权利要求1所述的基于SRAM的PUF的片上自我注册系统，其特征在于所述的温度调节器包括计数器，该计数器在BISE控制器的控制下，向SRAM2循环交替写入“O”和“ I ”，从而调节SRAM2的温度。5.一种如权利要求1至4任一项所述片上自我注册系统的实现方法，其特征在于包括以下步骤 步骤1:BISE控制器由初始态自动进入检测模式O，进行检测并输出检...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄宇，
申请(专利权)人：天津联芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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