一种测试成品电池片扩散层电阻的方法技术

本发明专利技术公布了一种测试成品电池片扩散层电阻的方法，主要是通过测试多组已知硅片扩散后和成品电池方块电阻，在扩散后方块电阻与成品电池方块电阻之间建立数学模型，然后推导得出成品电池的扩散层方块电阻。与以往技术相比，本发明专利技术具有以下优点：本发明专利技术能够快速准确地测试出成品电池片的扩散层薄层电阻；本发明专利技术简单易行且不会额外增加测试费用，易于操作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏行业，晶体硅电池性能测试领域，具体涉及。
技术介绍
太阳能是用之不尽，取之不绝的能源，也被认为最有潜力的替代传统石化能源的产品。太阳能电池是将太阳辐射直接转化为电能的器件，因为太阳能电池无机械运动，使用寿命长，维护费用低等特点，是目前最理想的光电转化设备。其中晶体硅电池由于其光电转化效率高，性能稳定等特点在太阳能市场中占据了 90%以上的份额。常规晶体硅太阳电池是在P型硅片上扩磷制造P-N结，利用P-N结的内建电场产生光电压，其制造工艺主要包括表面织构化、高温扩磷制P-N结、PECVD镀减反射膜、电极印刷。其中P-N结是太阳电池的心脏，它的好坏直接影响到电池的光电转换效率，因而磷扩散是电池制造过程中至关重要的一步。电池生产过程中，一般是通过抽测扩散后硅片的扩散层电阻的方式，对电池进行品质监控。但是，一旦镀膜后或制成电池片成品后，其扩散层电阻就无法测试。目前电池生产过程中，方块电阻抽检比例在2%左右，一旦某些电池效率出现异常，其真正的方块电阻就无从得知，无法判定是否扩散的问题。因而建立一种通过测试电池片扩散层电阻的方法，对于电池生产异常查因和品质管控具有重要意义。专本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种测试成品电池片扩散层电阻的方法，其特征在于包括以下步骤：（1）取品质相近的硅片若干，将硅片进行分组；（2）对硅片进行清洗和制绒；（3）以不同目标方阻值对每组硅片进行扩散，然后在每片硅片上以固定位置测试扩散层方块电阻；（4）硅片镀膜，并且测量硅片固定位置的方块电阻；（5）硅片金属化，并且测量电池片固定位置的方块电阻；（6）每组的扩散后和成品电池方块电阻取该组硅片的平均值，在成品电池片的方块电阻平均值与扩散后方块电阻平均值之间建立数学模型，然后通过所述数学模型推导得出成品电池的扩散层方块电阻。

【技术特征摘要】
1.一种测试成品电池片扩散层电阻的方法，其特征在于包括以下步骤(1)取品质相近的硅片若干，将硅片进行分组；(2)对硅片进行清洗和制绒；(3)以不同目标方阻值对每组硅片进行扩散，然后在每片硅片上以固定位置测试扩散层方块电阻；(4)硅片镀膜，并且测量硅片固定位置的方块电阻；(5)硅片金属化，并且测量电池片固定位置的方块电阻；(6)每组的扩散后和成品电池方块电阻取该组硅片的平均值，在成品电池片的方块电阻平均值与扩散后方块电阻平均值之间建立数学模型，然后通过所述数学模型推导得出成品电池的扩散层方块电阻。2....

【专利技术属性】
技术研发人员：崔会英，谢贤清，刘海燕，邢国强，
申请(专利权)人：奥特斯维能源太仓有限公司，
类型：发明
国别省市：