用于逆变器的有源吸收电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种用于逆变器的有源吸收电路，其包括：插座(J1)、整流二极管单元、电阻(R2、R3、R4)、VMOS管(Q1)、微分电路和或非单元；所述插座(J1)、所述整流二极管单元、电阻(R2、R3)的并联结构、所述VMOS管(Q1)、所述微分电路、所述电阻(R4)和所述或非单元依次连接。本实用新型专利技术提供的用于逆变器的有源吸收电路，解决了输出正负半周交替时变压器原边能量不能完全释放，磁通不能正常回零，造成逆变器损坏的问题。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于电力电子领域，具体涉及一种用于逆变器的有源吸收电路。
技术介绍
如图2、3所示，现有的挽式方波变换器与其他方波变换器相比，具有输出电压特性好，电源电压利用率高，工作效率高，驱动电路相对简单，两个功率控制原件不会出现共同导通的可能性，所以推挽式方波变换器的可靠性高。但推挽式开关电源也有它固有的缺点，那就是两个开关器件需要很高的耐压，其耐压必须大于工作电压的两倍。因此，推挽式开关电源在220V交流供电设备中很少使用。另外，输出电压可调整式推挽开关电源输出电压的调整范围比较小，因此，推挽式开关电源不宜用于要求负载电压变化范围太大的场合，特别是负载很轻或是经常开路的场合。在一个开关周期内，这两功率转换器件交替的工作。若两个功率元件的驱动波形不完全对称，在驱动脉冲的死区时间内，变压器磁通复位又不彻底时，就会出现直流偏磁的现象，经过几个周期累计的偏磁，会使磁芯进入饱和状态，并导致功率变压器的励磁电流过大，甚至损坏开关管。
技术实现思路
为克服上述缺陷，本技术提供了一种用于逆变器的有源吸收电路，解决了输出正负半周交替时变压器原边能量不能完全释放，磁通不能正常回零，造成逆变器损坏的问题。为实现上述目的，本技术提供一种用于逆变器的有源吸收电路，其改进之处在于，其包括插座(Jl)、整流二极管单元、电阻(R2、R3、R4)、VM0S管(Ql)、微分电路和或非单元；所述插座(Jl)、所述整流二极管单元、电阻(R2、R3)的并联结构、所述VMOS管(Ql)、所述微分电路、所述电阻(R4)和所述或非单元依次连接。本技术提供的优选技术方案中，所述整流二极管单元包括4个二极管(Dl、D2、D3、D4);所述4个二极管(Dl、D2、D3、D4)组成桥式整流电路。本技术提供的第二优选技术方案中，所述微分电路是RC微分电路。本技术提供的第三优选技术方案中，所述或非单元包括两个并联的或非门(ula、ulb)ο与现有技术比，本技术提供的一种用于逆变器的有源吸收电路，解决了输出正负半周交替时变压器原边能量不能完全释放，磁通不能正常回零，造成逆变器损坏的问题；保证了输出正负半周交替时变压器磁通归零，保证了功率管不会因尖峰电压而损坏；同时也确保聊输出电压波形不奇变，而且，此电路也适用于类似的功率开关电子线路。附图说明图1为有源吸收电路的结构示意图。图2为现有的推挽逆变器原理图。图3为现有的逆变器驱动和输出电压波形。具体实施方式如图1所示，一种用于逆变器的有源吸收电路，其包括插座(J1)、整流二极管单元、电阻(R2、R3、R4)、VM0S管(Ql)、微分电路和或非单元；所述插座(Jl)、所述整流二极管单元、电阻(R2、R3)的并联结构、所述VMOS管(Ql)、所述微分电路、所述电阻(R4)和所述或非单元依次连接。所述整流二极管单元包括4个二极管(D1、D2、D3、D4);所述4个二极管(D1、D2、D3、D4)组成桥式整流电路。所述微分电路是RC微分电路。所述或非单元包括两个并联的或非门(ula、ulb)。下面通过实施例对有源吸收电路做进一步描述。一种有源吸收电路，在推挽式方波逆变器中，输出正负半周交替时变压器原边能量不能完全释放，磁通不能正常回零，造成逆变器损坏的有源吸收解决方案。此电路用在推挽输出的方波逆变器上，本电路由或非门(考虑驱动能力，或非门可用两只并联)，微分电路，VMOS管，负载电阻和交流整流电路构成。其中，或非门的两输入端A，B分别接入两路推挽驱动信号，或非门的输出信号经R1，Cl微分得到一个尖峰脉冲去驱动VMOS管。插座Jl接逆变器的交流输出，经D1-D4 二极管整流后，再经R2，R3给VMOS管供电。当VMOS管导通时将推挽输出电压切换舜间，输出变压器中来不急泄放的能量经R2，R3消耗掉。从而保证了输出正负半周交替时变压器磁通归零，保证了功率管不会因尖峰电压而损坏。同时也确保聊输出电压波形不奇变。此电路也适用于类似的功率开关电子线路。本技术通过以下技术方案实现(I).逆变器输出正负半周交替时，变压器中的剩余能量必须释放，因此，释放的时间必须在交替过零点时进行。(2).由于正负半周驱动脉冲之间都存在死区，因此使用或非门将死区检出，或非门的输出与微分电路相连，由RU Cl的参数控制位费时间宽度，从而控制VMOS管的导通时间。(3). VMOS管选用耐压三倍于电源电压，且导通电阻低的管子，以使变压器中的剩余能量在极短时间内消耗在R2、R3上。需要声明的是，本
技术实现思路
及具体实施方式意在证明本技术所提供技术方案的实际应用，不应解释为对本技术保护范围的限定。本领域技术人员在本技术的精神和原理启发下，可作各种修改、等同替换、或改进。但这些变更或修改均在申请待批的保护范围内。权利要求1.一种用于逆变器的有源吸收电路，其特征在于，其包括插座(JI)、整流二极管单元、电阻(R2、R3、R4)、VM0S管(Ql)、微分电路和或非单元；所述插座(Jl)、所述整流二极管单元、电阻(R2、R3)的并联结构、所述VMOS管(Ql)、所述微分电路、所述电阻(R4)和所述或非单元依次连接。2.根据权利要求1所述的有源吸收电路，其特征在于，所述整流二极管单元包括4个二极管(D1、D2、D3、D4);所述4个二极管(Dl、D2、D3、D4)组成桥式整流电路。3.根据权利要求1所述的有源吸收电路，其特征在于，所述微分电路是RC微分电路。4.根据权利要求1所述的有源吸收电路，其特征在于，所述或非单元包括两个并联的或非门(ula、ulb)。专利摘要本技术提供了一种用于逆变器的有源吸收电路，其包括插座(J1)、整流二极管单元、电阻(R2、R3、R4)、VMOS管(Q1)、微分电路和或非单元；所述插座(J1)、所述整流二极管单元、电阻(R2、R3)的并联结构、所述VMOS管(Q1)、所述微分电路、所述电阻(R4)和所述或非单元依次连接。本技术提供的用于逆变器的有源吸收电路，解决了输出正负半周交替时变压器原边能量不能完全释放，磁通不能正常回零，造成逆变器损坏的问题。文档编号H02M1/32GK202840930SQ201220449629公开日2013年3月27日 申请日期2012年9月5日 优先权日2012年9月5日专利技术者杜金龙, 鲁家厚 申请人:成都科方电源技术有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于逆变器的有源吸收电路，其特征在于，其包括：插座(J1)、整流二极管单元、电阻(R2、R3、R4)、VMOS管(Q1)、微分电路和或非单元；所述插座(J1)、所述整流二极管单元、电阻(R2、R3)的并联结构、所述VMOS管(Q1)、所述微分电路、所述电阻(R4)和所述或非单元依次连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杜金龙，鲁家厚，
申请(专利权)人：成都科方电源技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：