一种超高Q值片上可调电感制造技术

一种超高Q值片上可调电感，包括电感单元、电容调控单元和负阻调控单元，电感单元设有电磁耦合的主电感及副电感，主电感的两端与射频输出连接；电容调控单元设有两个串接的可变电容C1及C2，其串接端连接外部控制信号VC1，可变电容C1及C2的另一端分别连接副电感的同相端及反相端；负阻调控单元设有五个晶体管，晶体管M1的栅极连接外部输入的控制信号VC2，晶体管M1的源极接地，漏极与晶体管M2及M3的源极连接在一起，晶体管M2的栅极与晶体管M3的漏极、晶体管M5的漏极、晶体管M4的栅极以及副电感的反相端连接在一起，晶体管M3的栅极与晶体管M2的漏极、晶体管M4的漏极、晶体管M5的栅极以及副电感的同相端连接在一起，晶体管M4及M5的源极均连接电源VDD。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及片上电感，尤其是一种超高Q值片上可调电感，属于射频电路
本专利技术可以有效地应用在射频电路设计中，具有增加电路的可重构性、改善电路噪声、 提闻谐振腔的选频特性和减小电路尺寸等效果。
技术介绍
片上电感在射频电路中有着广泛的应用，其作用主要包括串并联谐振、滤波和阻抗变换等作用。当电路工作频率较低时，对应的电感感值很大，占用面积会非常大，并且其欧姆损耗和衬底损耗比较严重，导致品质因数非常差，其进一步的后果就是射频电路的性能不佳。因此提升片上电感性能一直是射频电路设计的关键问题。传统优化电感品质因数的途径有(I)采用高导电率材料；(2)采用厚金属层；增加绝缘厚度；(4)采用高电阻率衬底；(5)电感下方采用悬浮金属隔离。但是在给定工艺条件下，这些途径都受到限制，电感Q值的提高非常有限。如在CMOS工艺中，金属导电率和介质层参数均由工艺决定，衬底电阻率约为10 Ω · cm，在此基础条件下设计的电感性能通常比较差，其品质因数在低频通常小于10。这样的片上电感大大限制了射频电路的性倉泛。可调片上电感的实现方法并不多，常见的方法有(I)通过MOS管开关来切换电感的线圈数量，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超高Q值片上可调电感，其特征是：包括电感单元、电容调控单元和负阻调控单元，其中：电感单元设有一个主电感和一个副电感，两者之间电磁耦合，主电感的两端直接与射频电路输出连接；电容调控单元设有两个串接的可变电容C1及C2，其串接端作为控制端连接外部输入的控制信号VC1，可变电容C1及C2的另一端分别连接电感单元中副电感的同相端及反相端；负阻调控单元设有五个晶体管M1、M2、M3、M4及M5，晶体管M1的栅极作为控制端连接外部输入的另一控制信号VC2，晶体管M1的源极接地，晶体管M1的漏极与晶体管M2及M3的源极连接在一起，晶体管M2的栅极与晶体管M3的漏极、晶体管M5的漏极、晶体管M4的栅极以及...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李智群，曹佳，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：