电学器件制造技术

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于凝聚态物理领域，涉及一种电学器件，尤其涉及一种能够获得较大的反常霍尔电阻的电学器件。
技术介绍
霍尔效应(Hall effect, HE)是由美国物理学家霍尔(E. H. Hall)于1879年在研究金属的导电结构时发现的。当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差，这一现象便是霍尔效应。随后科学家们在磁性材料中发现了反常霍尔效应(anomalous Hall effect, AHE)以及在半导体中发现了自旋霍尔效应(spin Hall effect, SHE)。从理论上讲，这三种霍尔效应在一定的条件下应该存在其相应的量子化形式。1980年，德国物理学家克利青(K. V.·Klitzing)等在研究极低温度和强磁场中的半导体二维电子气的输运性质时发现了量子霍尔效应(quantum Hall effect, QHE) (Klitzing Κ. V. et al. , New Method forHigh-Accuracy Determination of the Fine-Structure Constant Based on 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电学器件，其特征在于，包括：绝缘基底，该绝缘基底具有相对的第一表面及第二表面；磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜，该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜设置在该第一表面，该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜的材料由化学式Cry(BixSb1?x)2?yTe3表示，其中0

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：薛其坤，何珂，马旭村，陈曦，王立莉，王亚愚，吕力，常翠祖，冯硝，
申请(专利权)人：清华大学，中国科学院物理研究所，
类型：发明
国别省市：