区熔炉加热装置的电极制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种区熔炉加热装置的电极，涉及电加热技术领域，解决了现有加热装置中电极的输出效率低，且电极间易产生拉弧放电现象，导致区熔炉的安全性降低的问题。本发明专利技术中，由于电极绝缘套能使柱状本体与第一电极下头、电极筒及第一电极法兰电绝缘，并在第一和第二电极下头之间设置了第一电极绝缘片、在第一和第二电极法兰之间设置了第二电极绝缘片，使得第一电极和第二电极能通过固体绝缘材料相互电绝缘，绝缘性能好，避免了拉弧放电现象，且由于电极筒置于绝缘套内，使其与区熔炉绝缘，提高了区熔炉的安全性，同时最大限度减少了高频电源输出损耗，提高了高频电源输出功率。本发明专利技术主要用在对硅材料进行提纯和单晶生长的区熔炉中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电加热
，尤其涉及一种区熔炉加热装置的电极。
技术介绍
区熔炉是在真空惰性气体环境下利用悬浮区熔技术在悬浮区熔区对硅材料进行提纯和单晶娃生长的设备，用于生广无污染、闻电阻、闻寿命、闻纯度的半导体材料。区熔炉采用高频感应加热方式对原料进行加热，加热装置包括感应线圈，该感应线圈的两端分别通过电极连接至高频电源柜，通过高频电源柜通电和电极的导电完成加热线圈的加热，从而对原材料进行加热。传统电极中，与高频电源连接的电极法兰的厚度小， 导致电极的输出功率小。随着拉制的单晶硅材料直径越来越大，对高频电源提供的电流大小和电极输出功率的要求越来越高，所以在提高高频电源的输出功率后，需要改变传统电极的结构和厚度，来提高电极的输出功率，满足加工大直径区熔炉硅单晶的工艺需求。高频电源输出功率提高后，在使用原有的电极结构时，会导致输出功率不能高效输出，无法满足加工大直径区熔硅单晶的工艺需求，且当在两个电极上施加较高电压时，电极在较高电压的作用下，容易在电极间产生拉弧放电现象，导致区熔炉的安全性降低。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种区熔炉加热装置的电极，解决了现有加热装置中电极的输本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种区熔炉加热装置的电极，其特征在于，包括：柱状本体、第一电极下头、第二电极下头、第一电极法兰、第二电极法兰、电极筒、第一电极绝缘片、第二电极绝缘片及电极绝缘套；所述柱状本体内设有互不连通的第一通孔和第二通孔，所述第一通孔的轴线、所述第二通孔的轴线及所述柱状本体的轴线相互平行；所述电极筒穿过所述第一通孔，所述电极绝缘套设在所述第一通孔内，位于所述第一通孔内壁与所述电极筒外壁之间，使所述电极筒安置于所述柱状本体内部；所述第一电极下头的一端连接所述电极筒的一端；所述电极筒的另一端连接所述第一电极法兰；所述电极绝缘套用于将所述柱状本体与所述第一电极下头、所述电极筒及所述第一电极法兰电绝缘；所述第二电...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：袁静，李岩，张继宏，徐振斌，
申请(专利权)人：北京京运通科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：