一种变压器结构制造技术

技术编号:8474343 阅读:145 留言:0更新日期:2013-03-24 19:09
本实用新型专利技术公开一种变压器结构,至少包括一绕线基座,一初级绕线和一次级绕线,所述初级绕线和所述次级绕线分别缠绕在所述绕线基座上;所述初级绕线与所述次级绕线之间设有绝缘层,包含左磁芯、右磁芯,所述左磁芯和所述右磁芯插入所述绕制基座,所述初级绕线的外层绕线的分布靠近所述左磁芯与所述右磁芯的衔接处。可以提高对磁感线的利用,从而使效果更佳。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种变压器结构
技术介绍
变压器为各式电气设备中经常使用的电子组件,传统的变压器主要包含铁心组、绕线基座、初级绕线、次级绕线以及壳体等。其中,初级绕线及次级绕线分别缠绕在绕线基座上,且与磁芯产生电磁交互作用,以达到电压转换的目的。在实际生产变压器的过程中,初级绕线和次级绕线都需绕制多圈线圈,可能轴向沿着绕线基座绕制第一层绕线之后,还需要绕制第二层绕线,现有做法是将第二层绕线稀疏绕制在第一层绕线上,以满足轴向布满整个绕线基座,上述方法并不理想,亟待改进。
技术实现思路
针对现有技术存在的问题,本技术的目的在于提出一种变压器结构,通过本技术的实施,可以提高磁感线的利用,从而使变压器效果更佳。为达此目的,本技术采用以下技术方案一种变压器结构,至少包括一绕线基座,一初级绕线和一次级绕线,所述初级绕线和所述次级绕线分别缠绕在所述绕线基座上;所述初级绕线与所述次级绕线之间设有绝缘层,包含左磁芯、右磁芯,所述左磁芯和所述右磁芯插入所述绕制基座,所述初级绕线的外层绕线的分布靠近所述左磁芯与所述右磁芯的衔接处。所述次级绕线的外层绕线的分布靠近所述左磁芯与所述右磁芯的衔接处。在所述绕制基座的两端设有防止所述初级绕线和/或所述次级绕线脱落的挡圈。基于以上技术方案的公开,本技术具备如下有益效果本技术实施后,初级绕线的外层绕线和次级绕线的外层绕线均绕在靠近左磁芯与右磁芯的衔接处的位置,可以提高对磁感线的利用,相对于现有技术来说,效果更佳。附图说明图I是本技术实施例I的整体结构示意图其中11、左磁芯;12、右磁芯;2、基座;3、绝缘层;4、初级绕线;41、外层绕线;5、次级绕线;51、外层绕线。具体实施方式以下结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本技术的技术方案实施例I提出一种变压器结构,至少包括一绕线基座2,一初级绕线4和一次级绕线5,初级绕线4和次级绕线5分别缠绕在绕线基座2上;初级绕线4与次级绕线5之间设有绝缘层3,包含左磁芯11、右磁芯12,左磁芯11和右磁芯12插入绕制基座2,初级绕线4的外层绕线41的分布靠近左磁芯11与右磁芯12的衔接处。次级绕线5的外层绕线51的分布靠近左磁芯11与右磁芯12的衔接处。在绕制基座2的两端设有防止初级绕线4和次级绕线5 脱落的挡圈21。实施例I中,初级绕线4的外层绕线41和次级绕线5的外层绕线51均绕在靠近左磁芯11与右磁芯12的衔接处的位置,可以提高对磁感线的利用,相对于现有技术来说, 效果更佳。以上所述,仅为本技术较佳的具体实施方式,但本技术的保护范围并不局限于此,任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内,根据本技术的技术方案及其技术构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种变压器结构,至少包括一绕线基座(2),一初级绕线(4)和一次级绕线(5),所述初级绕线(4)和所述次级绕线(5)分别缠绕在所述绕线基座(2)上;所述初级绕线(4)与所述次级绕线(5)之间设有绝缘层(3),其特征在于,包含左磁芯(11)、右磁芯(12),所述左磁芯(11)和所述右磁芯(12)插入所述绕制基座(2),所述初级绕线(4)的外层绕线(41)的分布靠近所述左磁芯(11)与所述右磁芯(12)的衔接处。

【技术特征摘要】
1.一种变压器结构,至少包括一绕线基座(2),一初级绕线(4)和一次级绕线(5),所述初级绕线(4)和所述次级绕线(5)分别缠绕在所述绕线基座(2)上;所述初级绕线(4)与所述次级绕线(5)之间设有绝缘层(3),其特征在于,包含左磁芯(11 )、右磁芯(12),所述左磁芯(11)和所述右磁芯(12)插入所述绕制基座(2),所述初级绕线(4)的外层绕线...

【专利技术属性】
技术研发人员:周俊徐叔平
申请(专利权)人:安徽省科林电子有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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