一种混合粒度虚级联延时补偿的方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了混合粒度虚级联延时补偿的方法，根据收到的数据、数据位置指示和虚容器VC时隙编号，生成用于写入第一存储器的各个VC数据的写方向控制指针，每个写方向控制指针含有VC时隙编号和偏移量；为各VC指定VCG端口号，并以各VCG最后到达的VC成员为基准构造用来从第一存储器读取各VCG中VC的读方向控制指针，每个读方向控制指针含有VC时隙编号和偏移量；根据写方向控制指针的偏移量及第一存储器写操作数据位宽，把状态有效的VC的数据写入存储器中；根据读方向控制指针的偏移量及第一存储器读操作数据位宽，把状态有效的VC的数据从第一存储器中读出。本发明专利技术解决了虚级联恢复数据占用资源过多的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种混合粒度虚级联延时补偿的方法及装置
本专利技术涉及SDH(SynchronousDifitalHierarchy，同步数字体系)的信号传输处理方法，特别涉及一种混合粒度虚级联延时补偿的方法与装置。
技术介绍
SDH设备作为传送网的主流设备，在通信领域业已得到广泛应用。SDH体系的帧信息结构有着丰富的开销字节，方便信息的传输和网络管理，统一的接口参数能使不同厂商的设备一起组网工作，实现地域甚至全球的通讯网络互通。近年来，数据业务得到飞速发展，人们对于数据业务的需求强劲，但是建立完全的数据网络投资大，周期长，而充分利用现有的SDH网络资源，实现高速率、大容量和长距离的数据传送是一个比较合适的方式。SDH是一套可进行同步信息传输、复用、分插和交叉连接的标准化数字信号的结构层次。SDH的帧结构为块状帧结构，其中有丰富的控制信息，用于网络管理，同时具备灵活的复用与映射结构，允许将不同级别的信号经处理后放入不同的VC-n(VirtualContainer，虚容器)。VC-n(n＝2、3、4、11、12)是用来支持SDH通道层连接的信息机构，它是SDH通道的信息终端，由安排在块状帧结构中的信息本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种混合粒度虚级联延时补偿的方法，其特征在于，所述方法包括：A)根据收到的数据、数据位置指示和虚容器VC时隙编号，生成用于写入第一存储器的各个VC数据的写方向控制指针，每个写方向控制指针含有VC时隙编号和偏移量；B)为所述各个VC指定虚容器组VCG端口号，并以各VCG最后到达的VC成员为基准构造用来从第一存储器读取各VCG中VC的读方向控制指针，每个读方向控制指针含有VC时隙编号和偏移量；C)根据所述写方向控制指针的偏移量及第一存储器写操作数据位宽，把状态有效的VC的数据写入第一存储器中；D)根据所述读方向控制指针的偏移量及第一存储器读操作数据位宽，把状态有效的VC的数据从所述第一存储器中读出...

【技术特征摘要】
1.一种混合粒度虚级联延时补偿的方法，其特征在于，所述方法包括：A)根据收到的数据、数据位置指示和虚容器VC时隙编号，生成用于写入第一存储器的各个VC数据的写方向控制指针，每个写方向控制指针含有VC时隙编号和偏移量；B)为所述各个VC指定虚容器组VCG端口号，并以各VCG最后到达的VC成员为基准构造用来从第一存储器读取各VCG中VC的读方向控制指针，每个读方向控制指针含有VC时隙编号和偏移量；C)根据所述写方向控制指针的偏移量及第一存储器写操作数据位宽，把状态有效的VC的数据写入第一存储器中；D)根据所述读方向控制指针的偏移量及第一存储器读操作数据位宽，把状态有效的VC的数据从所述第一存储器中读出。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中，所述步骤C)包括：C1)根据所述写方向控制指针的偏移量及第一存储器写操作数据位宽，判断写方向VC的状态，若所述偏移量代表的VC的数据量满足第一存储器写操作数据位宽，则确定状态有效；C2)按照VC时隙编号查询写方向VC状态，以便读取其状态有效的写方向VC的写方向控制指针；C3)将读取的写方向控制指针转换成第一存储器写地址，并按写地址把数据写入第一存储器中。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中，所述步骤D)包括：D1)根据所述读方向控制指针的偏移量及第一存储器读操作数据位宽，判断读方向VC的状态，若所述偏移量所代表的VC的数据量满足第一存储器读操作数据位宽，则确定状态有效；D2)按照VC时隙编号查询读方向VC状态，以便读取其状态有效的读方向VC的读方向控制指针；D3)将读取的读方向控制指针转换成第一存储器读地址，并按读地址从所述第一存储器中读出数据。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括在步骤D之后执行的虚级联恢复业务数据步骤E，包括：从所述第一存储器读出的数据以读控制指针存储到第二存储器中；以所述VCG端口号进行地址累加，得到所述第二存储器的当前读地址，以便从第二存储器中读出数据。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，其中，所述步骤E还包括：按所述VCG端口号将所述第二存储器的写地址存储到第三存储器中；将从第三存储器读出的写地址与所述第二存储器的当前读地址进行比较；若所述第二存储器的当前读地址小于从所述第三存储器读出的写地址，则从所述第二存储器中读出数据；若所述第二存储器的当前读地址大于或等于从所述第三存储器读出的写地址，则停止从所述第二存储器中读出数据。6.一种混合粒度虚级联延时补偿的装置，其特征在于，所述装置包括：DDRSDRAM读写控制处理器,用于根据收到的数据、数据位置指示和虚容器VC时隙编号，生成用于写入存储器的各个VC数据的写方向控制指针，每个写方向控制指针含有VC时隙编号和偏移量，还用于为所述各个...

【专利技术属性】
技术研发人员：张艳辉，
申请(专利权)人：中兴通讯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：