【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路,并且更具体地,涉及用于集成电路的振荡器电路。
技术介绍
数字集成电路经常包含模拟电路。例如,某些数字集成电路包含模拟锁相环电路。诸如模拟锁相环的模拟电路可以包含压控振荡器。典型的压控振荡器由连接在环路中的多个倒相器构成。在每个倒相器的输出处可以提供变容二极管。变容二极管可以充当电容性负载的可控源。可以为每个变容二极管施加模拟控制电源,以控制由该变容二极管产生的电容。当调节变容二极管使其产生相对较大的电容时,环路中的倒相器将相对较慢地切换,并且压控振荡器的输出将具有相对较低的频率。当调节变容二极管使其产生相对较小的电容时,环路中的变容二极管将相对较快地切换,并且压控振荡器的输出将具有相对较高的频率。随着集成电路的尺寸随集成电路处理技术的发展而缩小,将前几代的模拟电路设计移植到下一代平台上变得越发困难。这是因为在使用更新的制造工艺时,模拟电路可能对晶体管速度的变化以及直接受到集成电路上的晶体管以及其它部件改变影响的其它电路参数的变化是敏感的。模拟电路还可能比数字电路更易受到噪声的影响。例如,诸如压控振荡器的模拟电路可能易受其压控输入上噪声的影 ...
【技术保护点】
一种调节被耦合到至少第一可调节电容器和第二可调节电容器的倒相器环的方法,包括:向所述第一可调节电容器应用第一数控字,所述第一数控字可操作以指示所述第一可调节电容器产生第一电容值;向所述第二可调节电容器应用第二数控字,所述第二数控字可操作以指示所述第二可调节电容器产生不同于所述第一电容值的第二电容值;以及确保所述第一数控字和所述第二数控字包含差别不超过给定数目的相应数目的逻辑高信号,以避免所述第一电容值与所述第二电容值之间的过度电容失配。
【技术特征摘要】
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