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一种低腐蚀性的酸性氧化电位杀菌水及其制备方法技术

技术编号:8408673 阅读:175 留言:0更新日期:2013-03-13 23:50
本发明专利技术涉及杀菌消毒领域,特别涉及一种低腐蚀性的酸性氧化电位杀菌水及其制备方法。本发明专利技术的一种低腐蚀性的酸性氧化电位杀菌水的制备方法,包括以下步骤:(1)提供可以产生氢离子的A单元;(2)提供含有有效氯或者可以产生有效氯的B单元;(3)将所述A单元与所述B单元混合,得到酸性强氧化性溶液,所述酸性强氧化性溶液的pH值在2-7间,其氧化还原电位不低于700mV,其有效氯含量为3-3000mg/L,其氯离子含量不高于5500mg/L。与现有的通过酸性氧化电位水生成机生成的酸性氧化电位水相比,本发明专利技术的酸性氧化电位杀菌水可降低对金属的腐蚀性,从而扩大了应用范围。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及杀菌消毒领域,特别涉及。
技术介绍
消毒领域中引入氧化还原电位的概念是源于日本20世纪80年代研制生产的酸性氧化电位水生成机及由生成机产生的酸性氧化电位水。酸性氧化电位水(简称E0W)是指具有高氧化还原电位(ORP)、低pH值特性和低浓度有效氯(ACC)的水。 酸性氧化电位水杀菌的机理如下首先,由于自然界中大多数种类的微生物生活在pH 4-9的环境中,而酸性氧化电位水的pH值可影响微生物生物膜上的电荷以及养料的吸收、酶的活性,并改变环境中养料的可给性或有害物质的毒性,从而达到杀灭微生物的目的。其次,由于氢离子、钾离子、钠离子等在微生物生物膜内外的分布不同,使得膜内、外电位达到动态平衡时有一定的电位差,一般约为-700 +900mV。需氧细菌的生物膜内外的的电位差一般为+200 +800mV,而厌氧细菌的生物膜内外的的电位差一般为-700 +200mV。酸性氧化电位水中的氧化、还原物质和pH等因素,使其ORP高于IlOOmV,超出了微生物的生存范围。具有高ORP (即0RP>1 IOOmV)的EOW接触微生物后迅速夺取电子,干扰生物膜平衡,改变生物膜内外电位差、膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低腐蚀性的酸性氧化电位杀菌水的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)提供可以产生氢离子的A单元;(2)提供含有有效氯或者可以产生有效氯的B单元;(3)将所述A单元与所述B单元混合,得到酸性强氧化性溶液,所述酸性强氧化性溶液的pH值在2?7间,其氧化还原电位不低于700mV,其有效氯含量为3?3000mg/L,其氯离子含量不高于5500mg/L。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:邵鹏飞
申请(专利权)人:邵鹏飞
类型:发明
国别省市:

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