电磁屏蔽方法及制品技术

本发明专利技术提供一种电磁屏蔽方法，其包括如下步骤：提供基体；采用真空镀膜法，以硅靶为靶材，以氧气为反应气体，于基体上形成一绝缘层，该绝缘层为硅-氧层；采用真空镀膜法，以钨铜合金靶为靶材，于该绝缘层上形成一导电层，该导电层为钨铜合金层。本发明专利技术还提供了经由上述电磁屏蔽方法制得的制品。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电磁屏蔽方法及其制品。
技术介绍
现有技术，通常采用金属外罩、沉积有金属层的或结合有金属薄片的塑料复合屏蔽罩或金属纤维复合屏蔽罩来控制电磁干扰。然而，上述屏蔽罩均存在以下缺点：所占空间大、生产成本较高、安装时难以实现屏蔽罩与印刷电路板（PCB）或柔性线路板（FPC）之间无缝安装，如此导致屏蔽效率低下，PCB板或FPC板上的电子元件产生的热量难以散发出去，以及使得电子元件工作性能不稳定，甚至损坏电子元件。于PCB板或FPC板上直接沉积树脂绝缘层，再于该绝缘层上电镀或化学镀金属层，可实现电磁屏蔽。但是，为了保证该树脂绝缘层与PCB板或FPC板之间有良好的结合力，避免绝缘层发生剥落或龟裂等现象，对所使用的树脂的粘度值有严格的限制。而能满足上述粘度要求的树脂只限于某些特殊的有机树脂，这些特殊的有机树脂成分多、结构复杂、难以制造。此外，该绝缘层的厚度较大（难以控制在纳米级别），因而对电子元件的散热存在不良影响。另外，电镀或化学镀金属层对环境的污染较大。
技术实现思路
鉴于此，本专利技术提供一种电磁屏蔽方法。另外，本专利技术还提供一种经由上述电磁屏蔽方法制得的制品。一种制品，包括基体、形成于该基体上的一绝缘层及形成于该绝缘层上的导电层，该绝缘层为硅-氧层，该导电层为钨铜合金层。一种电磁屏蔽方法，其包括如下步骤：提供基体；采用真空镀膜法，以硅靶为靶材，以氧气为反应气体，于基体上形成一绝缘层，该绝缘层为硅-氧层；采用真空镀膜法，以钨铜合金靶为靶材，于该绝缘层上形成一导电层，该导电层为钨铜合金层。所述电磁屏蔽方法简单快捷、几乎没有环境污染，且形成该绝缘层的材料简单、易于获得。由于通过真空镀膜的方式形成的所述绝缘层及导电层的膜厚较小，可使电子元件产生的热量快速的散发出去，提高制品的散热性，进而提高了电子元件性能的稳定性。另一方面，该绝缘层及导电层所占的空间小，质量轻。此外，以真空镀膜方法形成的绝缘层及导电层与基体之间具有良好的结合力，可避免在使用过程中该绝缘层和/或导电层发生剥落或龟裂而降低制品的电磁屏蔽性能。所述绝缘层和导电层在平面处、凹处及折缝处沉积均匀，且可以做到与基体无缝结合，如此提高了基体的电磁屏蔽性能。附图说明图1是本专利技术一较佳实施例制品的剖视图。图2为本专利技术一较佳实施例真空镀膜机的示意图。主要元件符号说明制品10基体11电子元件112绝缘层13导电层15真空镀膜机100镀膜室20轨迹21硅靶22钨铜合金靶23气源通道24真空泵30如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式请参阅图1，本专利技术一较佳实施方式电磁屏蔽方法主要包括如下步骤：提供一基体11，该基体11可为印刷电路板或柔性线路板，还可为手机、数码相机及笔记本电脑等便携式电子产品的壳体。当所述基体11为印刷电路板或柔性线路板时，所述基体11上形成有至少一电子元件112。对基体11的表面进行氩气等离子体清洗，以去除基体11表面的油污，以及改善基体11表面与后续镀层的结合力。结合参阅图2，提供一真空镀膜机100，该真空镀膜机100包括一镀膜室20及连接于镀膜室20的一真空泵30，真空泵30用以对镀膜室20抽真空。该镀膜室20内设有转架(未图示)、相对设置的二硅靶22及相对设置的二钨铜合金靶23。转架带动基体11沿圆形的轨迹21公转，且基体11在沿轨迹21公转时亦自转。每一硅靶22及每一钨铜合金靶23的两端均设有气源通道24，气体经该气源通道24进入所述镀膜室20中。其中，所述钨铜合金靶23中铜的质量百分含量为60~85%。该等离子体清洗的具体操作及工艺参数可为：将基体11固定于真空镀膜机100的镀膜室20的转架上，将该镀膜室20抽真空至1.4×10-3~2.7×10-3Pa，然后向镀膜室20内通入流量约为100~400sccm(标准状态毫升/分钟)的氩气(纯度为99.999%)，并施加-200~-500V的偏压于基体11，对基体11或基体11及电子元件112的表面进行氩气等离子体清洗，清洗时间为10~20min。采用磁控溅射镀膜法，在经氩气等离子体清洗后的基体11表面溅镀绝缘层13。该绝缘层13为硅-氧（Si-O）层。溅镀该绝缘层13在所述真空镀膜机100中进行。开启硅靶22，并设定硅靶22的功率为5~8kw；以氧气为反应气体，调节氧气的流量为50~200sccm，以氩气为工作气体，调节氩气的流量为100~300sccm。溅镀时，对基体11施加-100~-300V的偏压，并加热所述镀膜室20至温度为20~80℃（即镀膜温度为20~80℃），镀膜时间为15~35min。该绝缘层13的厚度为0.8-5μm。当所述基体11为印刷电路板或柔性线路板时，所述绝缘层13沉积在所述电子元件112的表面及基体11的表面，以使电子元件112被封闭于所述绝缘层13内。采用磁控溅射镀膜法，在所述绝缘层13上溅射一导电层15。该导电层15为钨铜（WCu）合金层。开启钨铜合金靶23，并设定钨铜合金靶23的功率为10~15kw；以氩气为工作气体，调节氩气的流量为100~300sccm。溅镀时，对基体11施加-100~-300V的偏压，并保持所述镀膜室20的温度为20~80℃（即镀膜温度为20~80℃），镀膜时间为3~20min。可以理解的，若只需对基体11的部分区域进行电磁屏蔽处理时，可采用遮蔽治具（图未示）对不需要电磁屏蔽的区域进行遮蔽。可以理解的，所述绝缘层13及导电层15还可通过真空蒸镀及电弧离子镀等方式形成。所述电磁屏蔽方法简单快捷、几乎没有环境污染，且形成该绝缘层13的材料简单、易于获得。一种经由上述电磁屏蔽方法制得的制品10包括一基体11、形成于该基体11上的一绝缘层13及形成于该绝缘层13上的导电层15。所述基体11为印刷电路板或柔性线路板，还可为手机、数码相机及笔记本电脑等便携式电子产品的壳体。当所述基体11为印刷电路板或柔性线路板时，所述基体11上形成有至少一电子元件112。所述绝缘层13沉积在所述电子元件112的表面及基体11的表面，以使电子元件112被封闭于所述绝缘层13内。该绝缘层13为硅-氧层。该绝缘层13的厚度为0.8-5μm，优选为2-3μm。该导电层15为钨铜合金层。该导电层15的厚度以完全覆盖所述绝缘层为佳，优选为0.5-2μm，更优选为1-2μm。该绝缘层13及导电层15通过真空镀膜的方式形成。由于钨铜合金具有较好导热性、导电性和较高的硬度，因此，良好的导热性可提高所述导电层15的散热性，良好的导电性可提高所述导电层15的电磁屏蔽性，较高的硬度可使基体11在组装、使用等过程中不易被刮伤而影响其电磁屏蔽性能。通过真空镀膜的方式形成的所述绝缘层13及导电层15的膜厚较小，可使电子元件112产生的热量快速的散发出去，提高制品10的散热性，进而提高了电子元件112性能的稳定性。另一方面，该绝缘层13及导电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制品，包括基体，其特征在于：该制品还包括形成于该基体上的一绝缘层及形成于该绝缘层上的导电层，该绝缘层为硅?氧层，该导电层为钨铜合金层。

【技术特征摘要】
1.一种制品，包括基体，其特征在于：该制品还包括形成于该基体上的一绝缘层及形成于该绝缘层上的导电层，该绝缘层为硅-氧层，该导电层为钨铜合金层。
2.如权利要求1所述的制品，其特征在于：该绝缘层及导电层通过真空镀膜的方式形成。
3.如权利要求1所述的制品，其特征在于：该绝缘层的厚度为0.8-5μm。
4.如权利要求3所述的制品，其特征在于：该绝缘层的厚度为2-3μm。
5.如权利要求1所述的制品，其特征在于：该导电层的厚度为0.5-2μm。
6.如权利要求5所述的制品，其特征在于：该导电层的厚度为1-2μm。
7.如权利要求1所述的制品，其特征在于：该基体为印刷电路板或柔性线路板。
8.如权利要求7所述的制品，其特征在于：该基体上形成有至少一电子元件，所述绝缘层及所述导电层沉积在所述电子元件的表面及基体的表面，以使电子元件被封闭于所述绝缘层内。
9.一种电磁屏蔽方法，其包括如...

【专利技术属性】
技术研发人员：张新倍，陈文荣，陈正士，李聪，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：