基于超材料的微带线制造技术

本发明专利技术涉及基于超材料的微带线，该微带线包括金属带、介质基板以及接地板，所述微带线还包括超材料薄膜，所述超材料薄膜和金属带位于所述介质基板的一侧，且均紧贴于所述介质基板，其中，所述超材料薄膜覆盖所述所述金属带，所述接地板位于所述介质基板的另一侧；所述介质基板为超材料基板，所述超材料基板由多个具有相同折射率分布的第一超材料片层组成。本发明专利技术基于超材料的微带线通过超材料薄膜和超材料基板，有效的限制了微带线空间波形式的泄露，进而大大降低了微带线之间的电磁波串扰。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微带线领域，更具体的说，涉及一种基于超材料的微带线。
技术介绍
微带线(Microstrip Line)是目前混合微波集成电路(Hybrid MicrowaveIntegrated Circuits, HMIC)和单片微波集成电路(Monolithic Mictowave IntegratedCircuits,MMIC)中使用最多的一种平面型传输线。从结构上看，微带线是由很薄的金属带以远小于波长的间隔置于一接地板上，金属带与接地板之间用介质基板隔开。微带线的突出优点是结构小巧、重量轻，可以用刻板、光刻、腐蚀等工艺在不大的体积内制成复杂的微波电路，并且容易与其他的微波器件集成，实现微波部件和系统的集成化。随着微波元器件和系统的日益小型化，在一些对体积和重量要求苛刻的场合，可以采用微带传输线取代波导来构成微波电路并在同一块基板上组成各种不同的复杂平面电路，包括桥型电路、匹配负载、衰减器天线等。但是采用微带线传输同样存在缺点，即微带线损耗较大、易泄漏电磁能量造成串扰、Q值低、难以实现微调、功率容量小等。在使用微带线传输过程中，微带线上的导行电磁波沿微带线轴向不断向空间辐射能量而产生漏波，其中电磁波泄露有两种形式表面波形式2和空间波形式1，如图I所示。目前已经知道微带线在高频段存在一个泄漏主模，这个泄漏主模以表面波的形式向外泄漏电磁波能量；而在低频段，微带线的各个高次模则以空间波的形式向外泄漏电磁波能量。不管是表面波泄漏还是空间波泄漏，在集成电路中，这些漏波都是有害的，它不仅带来传输功率的下降，而且其泄漏的能量还会给周围其他电路带来电磁干扰问题，从而使得系统总体性能下降，因此需要抑制它。现有技术中，对于抑制微带线主模泄漏的方法主要采用在微带线上敷一层介电常数足够大的薄的介质层；然而，对于微带线高次模泄漏的抑制，则没有什么简单有效的方法。这主要是由于微带线主模泄漏与高次模泄漏的物理机制不同而造成的，微带线高次模的空间波泄漏几乎很难被完抑制掉。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术中微带线高次模的空间波泄露的缺陷，提供基于超材料的微带线，该微带线能够有效的抑制空间波泄露，解决微带线之间电磁波串扰的问题。为了达到上述目的，本专利技术采用的如下技术方案基于超材料的微带线，所述微带线包括金属带、介质基板以及接地板，所述微带线还包括超材料薄膜，所述超材料薄膜和金属带位于所述介质基板的一侧，且均紧贴于所述介质基板，其中，所述超材料薄膜覆盖所述所述金属带，所述接地板位于所述介质基板的另一侧；所述介质基板为超材料基板，所述超材料基板由多个具有相同折射率分布的第一超材料片层组成。进一步地，所述超材料薄膜由多个第二超材料片层堆叠而成，且多个超材料片层具有相同折射率分布。 进一步地，所述第一超材料片层和第二超材料片层均由多个超材料单元组成。进一步地，所述超材料单元包括人造微结构和供人造微结构附着的单元基材。进一步地，所述第一超材料片层的折射率分布规律为与所述金属带正下方处的折射率最小，且往远离所述金属带两侧的地方折射率逐渐增大。 进一步地，所述第二超材料片层的折射率分布规律为所述第二超材料片层内的折射率分布是均匀的，且其折射率的取值范围为0 I。进一步地，所述人造微结构为由至少一根金属丝组成对电磁场有响应的平面结构或立体结构，所述金属丝为铜丝或银丝。进一步地，所述金属丝通过蚀刻、电镀、钻刻、光刻、电子刻或离子刻的方法附着在所述单元基材上。进一步地，所述人造微结构为雪花状或雪花状的衍生形任意一种。进一步地，所述单元基材由陶瓷材料、环氧树脂、聚四氟乙烯、FR-4复合材料或F4B复合材料制得。本专利技术相对于现有技术，具有以下有益效果I、本专利技术采用超材料作为介质基板，通过调节超材料基板内部的折射率分布,有效的抑制了微带线的空间波泄露。 2、本专利技术通过改变超材料内部的介电常数的变化来实现实际应用中需要的折射率，工艺简单，且易于批量生产。3、利用超材料作为基板材料，免除了介质拼接技术,节约了成本。4、本专利技术一种基于超材料的微带线通过在介质基板上设置一层超材料薄膜，且所述超材料薄膜覆盖金属带，有效的抑制了微带线空间波形式的漏波，减小了相邻微带线的电磁波串扰。附图说明图I是现有技术中微带线漏波形式的示意图；图2是本专利技术基于超材料的微带线的结构示意图；图3是本专利技术所述超材料基板的结构示意图；图4是本专利技术所述超材料薄膜结构示意图；图5是本专利技术所述超材料单元结构示意图。具体实施例方式下面结合实施例及附图，对本专利技术作进一步地详细说明，但本专利技术的实施方式不限于此。如图2所示，基于超材料的微带线，所述微带线包括金属带10、介质基板30以及接地板20,所述微带线还包括超材料薄膜40,所述超材料薄膜40和金属带10位于所述介质基板30的一侧，且均紧贴于所述介质基板30，其中，所述超材料薄膜40覆盖所述所述金属带10，所述接地板20位于所述介质基板30的另一侧；所述介质基板30为超材料基板30，所述超材料基板30由多个具有相同折射率分布的第一超材料片层301组成。所述超材料薄膜40由多个第二超材料片层401堆叠而成，且多个超材料片层401具有相同折射率分布。所述第一超材料片层301和第二超材料片层401均由多个超材料单元50组成，所述超材料单元50包括人造微结构502和供人造微结构502附着的单元基材501。所述第一超材料片层301的折射率分布规律为与所述金属带10正下方处的折射率最小，且往远离所述金属带10两侧的地方折射率逐渐增大。所述第二超材料片层401内的折射率分布是均匀的，但是折射率取值范围在O和I之间，因为这个折射率范围是制造隐身衣的介质折射率范围，用这样的超材料薄膜覆盖金属带10，能够有效的抑制微带线的空间波形式泄露，减少相邻微带线的电磁波串扰。本专利技术·较佳的实施例中，第二超材料片层401内的折射率的取值为O. 7。为使超材料介质30内的每一第一超材料片层301的折射率实现图3所示的折射率的变化，以及使超材料薄膜40内的每一第二超材料片层401实现图4所示折射率的变化，经过理论和实际证明，可对所述人造微结构502的拓扑结构、几何尺寸以及其在单元基材501上分布的设计，单元基材501采用介电绝缘材料制成，可以为陶瓷材料、高分子材料、铁电材料、铁氧材料、铁磁材料等，高分子材料例如可以是、环氧树脂或聚四氟乙烯。人造微结构502为以一定的几何形状附着在单元基材501上能够对电磁波有响应的金属线，金属线可以是剖面为圆柱状或者扁平状的铜线、银线等，一般采用铜，因为铜丝相对比较便宜，当然金属线的剖面也可以为其他形状，金属线通过蚀刻、电镀、钻刻、光刻、电子刻或离子刻等工艺附着在单元基材501上，每一超材料单元50都具有一个人造微结构502，每一个超材料单元50都会对通过其中的电磁波产生响应，从而影响电磁波在其中的传输，每个超材料单元50的尺寸取决于需要响应的电磁波，通常为所需响应的电磁波波长的十分之一，否则空间中包含人造微结构502的超材料单元50所组成的排列在空间中不能被视为连续。在单元基材501的选定的情况下，通过调整人造微结构502的形状、尺寸及其在单元基材501上的空间分布，可以调整超材料上各处的等效介电常数及等效磁导率进而改变超材料各处本文档来自技高网...

【技术保护点】
基于超材料的微带线，所述微带线包括金属带、介质基板以及接地板，其特征在于，所述微带线还包括超材料薄膜，所述超材料薄膜和金属带位于所述介质基板的一侧，且均紧贴于所述介质基板，其中，所述超材料薄膜覆盖所述所述金属带，所述接地板位于所述介质基板的另一侧；所述介质基板为超材料基板，所述超材料基板由多个具有相同折射率分布的第一超材料片层组成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘若鹏，季春霖，岳玉涛，李星昆，周添，宿超，杨树坤，
申请(专利权)人：深圳光启高等理工研究院，深圳光启创新技术有限公司，
类型：发明
国别省市：