包含二噻吩并苯并二噻吩衍生物的有机半导体材料前体、油墨、绝缘构件、电荷传输构件以及有机电子器件制造技术

一种包含通式I表示的二噻吩并苯并二噻吩衍生物的有机半导体材料前体：在通式I中，X和Y代表在施予外部刺激时键合在一起形成从通式I表示的化合物消除的X-Y的基团；R1和R2各自代表取代或未取代的烷基，或取代或未取代的芳基；且R3至R10各自代表氢原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的烷硫基、或取代或未取代的芳基。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含二噻吩并苯并二噻吩衍生物的有机半导体材料前体、 油墨、绝缘构件、电荷传输构件以及有机电子器件
本专利技术涉及一种含有二噻吩并苯并二噻吩衍生物的新的有机半导体材料前体、包含该有机半导体材料前体的油墨、以及使用该油墨的绝缘构件、电荷传输构件和有机电子器件。
技术介绍
近年来已积极研究使用有机半导体材料的有机电子器件。有机半导体材料可通过如印刷及旋转涂布的简单湿法形成薄膜。因此，其具有超过使用传统的无机半导体材料的电子器件的优点，例如降低生产工艺温度及成本。因为有机半导体材料的使用可降低生产工艺的温度及成本，所以薄膜可形成于通常具有低耐热性的塑料基板上。因此可降低诸如显示器的所得电子器件的重量或成本，且可预期利用塑料基板弹性的各种用途及其应用。迄今已提出一些有机半导体材料，例如聚(3-烷基噻吩)(参见NPL1)以及二烷基芴与二噻吩的共聚物(参见NPL2)。因为这些有机半导体材料对溶剂具有一些溶解度，虽然是低溶解度，但是该材料可通过涂布或印刷而不使用诸如真空沉积的技术形成薄膜。然而， 这些聚合物材料在其纯化方法上存在限制。因此，仍有一些问题存在。例如，要获得高纯度材料是复杂且费时的，而且材料品质不稳定，因为其分子量分布有差异。另一方面，亦已提出低分子量有机半导体材料，例如并苯材料(例如，并五苯)(例如，参见PTL1)。已报道包括由并五苯所形成的有机半导体层的有机薄膜晶体管具有相对高的电子迁移率。然而，这些并苯材料对普通溶剂具有极低的溶解度。因此，这些材料必须经真空沉积以形成其作为有机薄膜晶体管的有机半导体层的薄膜。而且，此种有机薄膜晶体管具有差的空气稳定性。因为该原因，这些材料不符合本领域的提供可以以前述湿法(例如涂布或印刷)形成薄膜的有机半导体材料的要求。此外，有一些关于对溶剂具有溶解度的低分子量有机半导体材料的报道。然而，这些材料仍有问题。例如，由此种材料以湿法所形成的膜为无定形态，且因此由于材料的晶体性质而难以使用此种材料形成连续膜。此外，不能由此种材料获得适合的膜特征。因此，仍然强烈要求发展可以湿法加工的新颖有机半导体材料。文献列表专利文献PTLl 日本专利申请特许公开案(JP-A)第05-55568号非专利文献NPLl Appl. Phys. Lett.，69 (26)，4108 (1996)NPL2 Science, 290，2123(2000)专利技术概述技术问题本专利技术致力于提供一种包含二噻吩并苯并二噻吩衍生物的有机半导体材料前体(其具有足以通过诸如印刷的简单方法形成膜的溶解度，在形成膜后通过容易的处理变成不可溶，在后续步骤中接受较小的损伤，且在处理成不可溶后发挥出色的半导体性质)、包含该有机半导体材料前体的油墨、使用该油墨所生产的绝缘构件、电荷传输构件和有机电子器件。解决技术问题的方案本专利技术的专利技术人已通过仔细研究以实现前述目的，且达到下列深刻理解。用于解决前述问题的手段如下。<1> 一种包含通式I表示的二噻吩并苯并二噻吩衍生物的有机半导体材料前体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.06.15 JP 2010-135664;2011.02.14 JP 2011-029071. 一种包含通式I表示的二噻吩并苯并二噻吩衍生物的有机半导体材料前体2.根据权利要求I的有机半导体材料前体，其中X和Y中一个是氢原子，而另一个是羟基或具有醚结构、酯结构和硫酯结构中任一种的基团。3.根据权利要求2的有机半导体材料前体，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：匂坂俊也，山本谕，冈田崇，窱田雅人，后藤大辅，松本真二，毛利匡贵，油谷圭一郎，加藤拓司，田野隆德，
申请(专利权)人：株式会社理光，
类型：
国别省市：