光接收机制造技术

技术编号:8361598 阅读:167 留言:0更新日期:2013-02-22 22:03
本实用新型专利技术公开了一种光接收机,具体包括:第一PIN型光电探测器、第二PIN型光电探测器、第一跨阻放大器、第二跨阻放大器、一电阻装置、一电容装置、一金属氧化物半导体场效应晶体管、初始增益电路以及限幅放大器,其中的第二跨阻放大器、电阻装置和电容装置构成检测电路,第二PIN型光电探测器、检测电路和初始增益电路构成自动增益控制电路;通过引进第二光电探测器和第二跨阻放大器使得原本增益控制电路和跨阻放大器电路在部分性能指标上的牵制得到了有效的缓解,降低了AGC的稳定时间,降低了输入到AGC电路中的噪声,从而提高了控制精度。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种光接收机,具体包括:第一PIN型光电探测器、第二PIN型光电探测器、第一跨阻放大器、第二跨阻放大器、一电阻装置、一电容装置、一金属氧化物半导体场效应晶体管、初始增益电路以及限幅放大器,其中,所述的第一PIN型光电探测器用于将输入的光信号转化为电流信号;所述的第一跨阻放大器用于将所述的第一PIN型光电探测器产生的电流信号转化为电压信号;所述的限幅放大器用于放大第一跨阻放大器输出的电压信号,限幅放大器的输出端作为所述的光接收机的输出端;所述的第二PIN型光电探测器用于将输入的光信号转化为电流信号;所述的第二跨阻放大器用于将所述的第二PIN型光电探测器产生的电流信号转化为电压信号,所述的电阻装置连接于第二跨阻放大器输出端和初始增益电路输入端之间,所述的电容装置连接于初始增益电路输入端与地电位之间;所述的金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极与初始增益电路的输出端相连接,源极和漏极分别与第一跨阻放大器的输入端和输出端相连接;所述初始增益电路用于产生一个与输入的光信号无关的初始电压,使得所述的金属氧化物半导体场效应晶体管处于深线性工作区,并且为第一跨阻放大器提供初始增益。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张有润吴浩然刘影张波
申请(专利权)人:电子科技大学
类型:实用新型
国别省市:

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