基于LM2576系列的功率限制电路制造技术

技术编号:8359504 阅读:272 留言:0更新日期:2013-02-22 07:20
本实用新型专利技术涉及一种基于LM2576系列的功率限制电路,其不同之处在于:其包括LM2576系列芯片,LM2576系列芯片的信号输入端通过电阻R2连接到三极管Q1的基极,三极管Q1的发射极连接到24V电源,三极管Q1的发射极与LM2576系列芯片的信号输入端之间连接有电阻R1,三极管Q1的发射极与基极之间连接有电容C1,LM2576系列芯片的信号输入端通过电容接地,三极管Q1的集电极连接到LM2576系列芯片的FB脚。对比现有技术,本实用新型专利技术技术方案具有以下优点:当负载出现短路时,因为输入端仍在继续工作,三极管Q1处于导通状态,LM2576系列芯片的FB脚电压也不会变成零,起到管路保护作用。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种基于LM2576系列的功率限制电路
技术介绍
在很多应用场合中,电源与设备之间不是紧密连接的,如本公司给平安城市开发的综合电源箱,当时的具体要求为AC220V输入,AC24V输出和DC12V (3A)输出,初期交货后出现很多IC (2576)发热损坏现象,后经观察,是安装设备时不注意DC12V极性且实际通电又远落后安装期而造成DC12V长期短路,因而损坏。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的缺点,提供一种具有保护功能的基于LM2576系列的功率限制电路。为解决以上技术问题,本技术的技术方案为基于LM2576系列的功率限制电路,其特征在于其包括LM2576系列芯片,LM2576系列芯片的信号输入端通过电阻R2连接到三极管Ql的基极,三极管Ql的发射极连接到24V电源,三极管Ql的发射极与LM2576系列芯片的信号输入端之间连接有电阻Rl,三极管Ql的发射极与基极之间连接有电容Cl,LM2576系列芯片的信号输入端串联电容后接地,三极管Ql的集电极连接到LM2576系列芯片的FB脚。对比现有技术,本技术技术方案具有以下优点当负载出现短路时,因为输入端仍在继续工作,本文档来自技高网...

【技术保护点】
基于LM2576系列的功率限制电路,其特征在于:其包括LM2576系列芯片,LM2576系列芯片的信号输入端通过电阻R2连接到三极管Q1的基极,三极管Q1的发射极连接到24V电源,三极管Q1的发射极与LM2576系列芯片的信号输入端之间连接有电阻R1,三极管Q1的发射极与基极之间连接有电容C1,LM2576系列芯片的信号输入端串联电容后接地,三极管Q1的集电极连接到LM2576系列芯片的FB脚。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王文俊
申请(专利权)人:湖北融通三立科技有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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