一种减反射异质结太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种减反射异质结太阳能电池及其制备方法，该电池包括硅片衬底、钝化层、背电极、发射层、透明导电薄膜层、减反层和前电极；该方法包括使用HF溶液对硅片衬底进行表面清洗；在硅片衬底的背表面沉积钝化层；在钝化层表面利用磁控溅射方法沉积背电极；在硅片衬底的正表面沉积发射层；在发射层上利用磁控溅射沉积透明导电薄膜层；在透明导电薄膜层上利用PECVD方法沉积减反层；在减反层上通过丝网印刷前电极。本发明专利技术利用Si3N4层和透明的金属氧化物层来降低电池表面的光反射，避免电池表面有较大的织构，有利于得到高质量的硅薄膜层，形成良好的硅薄膜/晶硅界面，可以提高电池的电流密度和开路电压，从而提高异质结电池太阳的转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及的是一种异质结太阳能电池及其制备方法，尤其涉及的是。
技术介绍
薄膜硅/晶体硅异质结太阳能电池是一种可以采用低成本实现的高效晶体硅太阳能电池。这种太阳能电池具有转换效率高、温度系数低、制造工艺简单、低温工艺能耗小的特点。日本三洋电机最早从1990年开始研究带有本征层的非晶硅薄膜/晶体硅异质结太阳能电池(HIT电池)。2009年在实用面积(100cm2)上获得电池转换效率23%，为世界最闻水平。量广电池平均效率达19. 7%,超过目如单晶娃电池效率。在国内，中科院研究生院在“十五”973项目的支持下，采用不同于三洋HIT结构的纳米晶硅/晶体硅异质结结构， 在单面结、无陷光的条件下，实现了转换效率17. 3%的突破，为当时同类电池的国际先进水平。薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池一般采用表面织构形成绒面的办法来减小电池表面光反射，织构后的硅片衬底具有比较高的缺陷态密度，容易形成载流子的复合中心；而且绒面会对随后沉积其上的硅薄膜质量形成不利影响，难以得到高质量的硅薄膜层和良好的硅薄膜/晶硅界面，钝化难度大，影响了异质结电池的开路电压，这样就阻碍了电池效率的进一步提升。
技术实现思路
本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种减反射异质结太阳能电池，其特征在于，该电池包括硅片衬底(1)、钝化层(2)、背电极(3)、发射层(4)、透明导电薄膜层(5)、减反层(6)和前电极(7)；其中：硅片衬底(1)的背表面上沉积钝化层(2)，背电极(3)沉积在钝化层(2)上，硅片衬底(1)的正表面上沉积发射层(4)，发射层(4)上沉积透明导电薄膜层(5)，透明导电薄膜层(5)上沉积至少一层减反层(6)，减反层(6)上设置前电极(7)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张杰，
申请(专利权)人：国电光伏江苏有限公司，
类型：发明
国别省市：