【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种获得缺陷态的两种二维声子晶体结构。
技术介绍
人们在光子晶体的研究方面已取得了重大进展，鉴于声子晶体与光子晶体的类比性，近十年来，声子晶体逐渐成为了新的研究热点。声子晶体的一个重要特征是其声波带隙，即在该带隙频率范围内弹性波(声波)不能通过声子晶体。人们进一步研究又发现，如果在具有周期性结构的声子晶体中引入缺陷，则可能在原本不允许声波通过的带隙(或禁带) 中出现声子能带，称之为缺陷能带，对应的状态称为缺陷态，这使得声子晶体具有广阔的实际应用前景，比如，我们可以根据这一新思想和新理论设计和制造出一种获得某种特定频率缺陷带的材料。声子晶体材料可望在环保和建筑工业中得到广泛应用。目前声子晶体中引入缺陷的方法通常是改变材料、散射体形状和方位、晶格结构、填充率。本方法改变散射体的位置使其产生缺陷态，此方法对制备技术要求相对较低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种获得缺陷态的两种二维声子晶体结构。为实现上述目的，本专利技术的技术方案为第一种获得缺陷态的二维声子晶体结构所述的二维声子晶体结构由若干个二维晶格单元周期排列组成，所述的二维晶格单元由相互平行...
【技术保护点】
一种获得缺陷态的两种二维声子晶体结构，其特征在于：第一种获得缺陷态的二维声子晶体结构：所述的二维声子晶体结构由若干个二维晶格单元周期排列组成，所述的二维晶格单元由相互平行的第一水柱体（2）及第一缺陷水柱体（3）在水银中按二维晶格排列；所述第一水柱体（2）和第一缺陷水柱体（3）的半径相等，其半径是0.12a～0.26a；改变第一缺陷水柱体（3）的位置，使其位于偏离上述二维晶格单元排列中心的距离为0.001a～（0.50a？rd），其中a为晶格常数，rd为第一缺陷水柱体半径；第二种获得缺陷态的二维声子晶体结构：所述的二维声子晶体结构由若干个二维晶格单元周期排列组成，所述的二维晶...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吴福根，何云，张欣，姚源卫，闫舒雅，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：
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