一种液晶显示设备及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种液晶显示设备及其制造方法。该液晶显示设备包括：栅极绝缘层，具有一沟槽；数据线，位于所述沟槽内；像素，位于所述栅极绝缘层的上方；第一保护层，位于所述数据线的上方以及所述像素的上方；以及共通电极层，位于所述第一保护层的上方，该像素上方的共通电极层呈现一预设图案。采用本发明专利技术，在栅极绝缘层挖出一沟槽，并将数据线沉积于该沟槽内，然后形成一图案化的第一保护层在数据线的上方和像素的上方，从而可有效地缩小数据线与像素之间的段差，避免PI?rubbing不良情形的发生，而且还可维持第一保护层的厚度不被减薄，因此不会增加RC负荷。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种液晶显示设备以及该液晶显示设备的制造方法。
技术介绍
当前，影响液晶显示器发光效果的参数之一为像素开口率(像素的透光面积与像素面积之比率)，例如，像素开口率增加时，液晶显示器的耗电更低，亮度更高。在传统的薄膜晶体管液晶显不器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display, LCD)设计中，为了增加像素开口率，一种解决方案是在于，将像素电极(pixelelectrode)，诸如铟锡氧化物(Indium Tin Oxide, ITO)透明电极，的面积增加，且与栅极电路以及源极/漏极电路重叠，便可使像素开口率增加大约109Γ20%左右。然而，该设计将会像素电极更趋于接近数据线(data line)。一旦像素电极与数据线过于接近，二者间将进一步产生较大的寄生电容·(parasitic capacitance)。另一方面，通常在像素电极与数据线之间设置较高介电常数的介电质，如，氮化硅薄膜。较高的介电常数将导致寄生电容增大。如果该寄生电容的电容值过高，将进一步致使像素电极上充饱的电荷在下一个画面转换前，受到数本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示设备的制造方法，其特征在于，该制造方法包括以下步骤：形成一栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层挖出一沟槽；沉积一数据线于所述沟槽内；形成一像素于所述栅极绝缘层的上方；形成一图案化的第一保护层于所述数据线的上方以及所述像素的上方；以及形成一图案化的共通电极层于所述第一保护层的上方，其中，所述像素上方的共通电极层呈现一预设图案。

【技术特征摘要】
1.一种液晶显示设备的制造方法，其特征在于，该制造方法包括以下步骤 形成一栅极绝缘层； 在所述栅极绝缘层挖出一沟槽； 沉积一数据线于所述沟槽内； 形成一像素于所述栅极绝缘层的上方； 形成一图案化的第一保护层于所述数据线的上方以及所述像素的上方；以及形成一图案化的共通电极层于所述第一保护层的上方，其中，所述像素上方的共通电极层呈现一预设图案。2.根据权利要求I所述的制造方法，其特征在于，所述第一保护层为一非晶硅层。3.根据权利要求I所述的制造方法，其特征在于，所述共通电极层的材质为铟锡氧化物。4.一种液晶显示设备的制造方法，其特征在于，该制造方法包括以下步骤 形成一栅极绝缘层； 在所述栅极绝缘层挖出一沟槽； 沉积一数据线于所述沟槽内； 形成一像素于所述栅极绝缘层的上方； 填注一第二保护层于所述沟槽，以包围所述数据线； 形成一图案化的第一保护层于所述第二保护层的上方以及所述像素的上方；以及形成一图案化的共通电极层于所述第一保护层的上方，其中，所述像素上方的共通电极层呈现一预设图案， 其中，藉由所述第一保护层...

【专利技术属性】
技术研发人员：张祖翰，黄国有，陈勃学，陈茂松，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：