一种液晶显示设备及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种液晶显示设备及其制造方法。该液晶显示设备包括：栅极绝缘层，具有一沟槽；数据线，位于所述沟槽内；像素，位于所述栅极绝缘层的上方；第一保护层，位于所述数据线的上方以及所述像素的上方；以及共通电极层，位于所述第一保护层的上方，该像素上方的共通电极层呈现一预设图案。采用本发明专利技术，在栅极绝缘层挖出一沟槽，并将数据线沉积于该沟槽内，然后形成一图案化的第一保护层在数据线的上方和像素的上方，从而可有效地缩小数据线与像素之间的段差，避免PI?rubbing不良情形的发生，而且还可维持第一保护层的厚度不被减薄，因此不会增加RC负荷。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种液晶显示设备以及该液晶显示设备的制造方法。
技术介绍
当前，影响液晶显示器发光效果的参数之一为像素开口率(像素的透光面积与像素面积之比率)，例如，像素开口率增加时，液晶显示器的耗电更低，亮度更高。在传统的薄膜晶体管液晶显不器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display, LCD)设计中，为了增加像素开口率，一种解决方案是在于，将像素电极(pixelelectrode)，诸如铟锡氧化物(Indium Tin Oxide, ITO)透明电极，的面积增加，且与栅极电路以及源极/漏极电路重叠，便可使像素开口率增加大约109Γ20%左右。然而，该设计将会像素电极更趋于接近数据线(data line)。一旦像素电极与数据线过于接近，二者间将进一步产生较大的寄生电容·(parasitic capacitance)。另一方面，通常在像素电极与数据线之间设置较高介电常数的介电质，如，氮化硅薄膜。较高的介电常数将导致寄生电容增大。如果该寄生电容的电容值过高，将进一步致使像素电极上充饱的电荷在下一个画面转换前，受到数据线传送不同电压的影响，从而产生串音效应(cross talk)。为此，可设置一保护层，藉由共通电极线与像素电极之间的距离增大来降低寄生电容的影响，但二者间的距离增大同时也会减小其存储电容。若要维持总的存储电容保持不变，势必会增加与存储电容相关的电极表面积，而电极表面积的增加将反过来降低了像素开口率。此外，AHVA (Advanced Hyper Viewing Angle,超视角高清晰技术)通过增加PEP(Photo Engraving Process,完成一次黄光制程称之为一个PEP)的数量,改善a_Si薄膜晶体管的像素开口率，从而提供超高分辨率的高画质图像效果。但是，此种设计方案将会使数据线与像素之间的段差过大，造成Cell段制程时易出现PIrubbing (PI膜取向)不良的情形。如果将数据线上方的保护层减薄，降低数据线与像素之间的段差，虽然PI rubbing不良现象可得到改善，但随之而来的是数据线与共通电极之间的距离缩短，增加了 RC负荷。有鉴于此，如何设计一种改进的液晶显示设备，在无需减薄数据线上方的保护层厚度的同时，还可减小数据线与像素之间的段差，避免PI rubbing不良情形的发生，是业内相关技术人员亟待解决的课题。
技术实现思路
针对现有技术中的液晶显示设备所存在的上述缺陷，本专利技术提供了一种新颖的液晶显示设备及其制造方法。依据本专利技术的一个方面，提供了一种液晶显示设备的制造方法，包括以下步骤形成一栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层挖出一沟槽；沉积一数据线于所述沟槽内；形成一像素于所述栅极绝缘层的上方；形成一图案化的第一保护层于所述数据线的上方以及所述像素的上方；以及形成一图案化的共通电极层于所述第一保护层的上方，其中，所述像素上方的共通电极层呈现一预设图案。优选地，第一保护层为一非晶硅层。 优选地，共通电极层的材质为铟锡氧化物。依据本专利技术的另一个方面，提供了一种液晶显示设备的制造方法，包括以下步骤形成一栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层挖出一沟槽；沉积一数据线于所述沟槽内；形成一像素于所述栅极绝缘层的上方；填注一第二保护层于所述沟槽，以包围所述数据线；形成一图案化的第一保护层于所述第二保护层的上方以及所述像素的上方；以及形成一图案化的共通电极层于所述第一保护层的上方，其中，所述像素上方的共通电极层呈现一预设图案，其中，藉由所述第一保护层和所述第二保护层对所述数据线进行保护。优选地，第一保护层的材质为氧化铝，第二保护层的材质为铟镓锌氧化物或聚合物复合层。优选地，共通电极层的材质为铟锡氧化物。依据本专利技术的又一个方面，提供了一种液晶显示设备，包括一栅极绝缘层，具有一沟槽；一数据线，位于所述沟槽内；一像素，位于所述栅极绝缘层的上方；一第一保护层，位于所述数据线的上方以及所述像素的上方；以及一共通电极层，位于所述第一保护层的上方，其中，所述像素上方的共通电极层呈现一预设图案。优选地，该液晶显示设备还包括一第二保护层，位于所述数据线与所述第一保护层之间，藉由所述第一保护层和所述第二保护层对所述数据线进行保护。优选地，第一保护层的材质为氧化铝，第二保护层的材质为铟镓锌氧化物或聚合物复合层。优选地，共通电极层的材质为铟锡氧化物。采用本专利技术的液晶显示设备及其制造方法，在栅极绝缘层挖出一沟槽，并将数据线沉积于该沟槽内，然后形成一图案化的第一保护层在数据线的上方和像素的上方，从而可有效地缩小数据线与像素之间的段差，避免PI rubbing不良情形的发生，而且还可维持第一保护层的厚度不被减薄，因此不会增加RC负荷。附图说明读者在参照附图阅读了本专利技术的具体实施方式以后，将会更清楚地了解本专利技术的各个方面。其中，图I示出现有技术中的一种液晶显示设备的结构框图；图2为依据本专利技术的一实施方式的液晶显示设备的结构框图；图3A 3E示出用来制造图2中的液晶显示设备的一具体实施例的分解步骤示意图；以及图4A 4F示出用来制造图2中的液晶显示设备的另一具体实施例的分解步骤示意图。具体实施例方式为了使本申请所揭示的
技术实现思路
更加详尽与完备，可参照附图以及本专利技术的下述各种具体实施例，附图中相同的标记代表相同或相似的组件。然而，本领域的普通技术人员应当理解，下文中所提供的实施例并非用来限制本专利技术所涵盖的范围。此外，附图仅仅用于示意性地加以说明，并未依照其原尺寸进行绘制。下面参照附图，对本专利技术各个方面的具体实施方式作进一步的详细描述。图I示出现有技术中的一种液晶显示设备的结构框图。参照图I,该液晶显示设备包括一栅极绝缘层(Gate Insulated Layer) 101、一数据线103和一像素105。其中，数据线103位于栅极绝缘层101的上方，且对应于液晶显示设备的非显示区域；像素105亦位于栅极绝缘层101的上方,且对应于液晶显示设备的显示区域(Active Area, AA) 此外，在数据线103和像素105的上方，沉积有一图案化的保护层107，通过该保护层107对数据线103和像素105进行保护。接着，在保护层107的上方沉积一共通电极层，按照非显示区域和显示区域的位置区分，该共通电极层包括共通电极部109和共通电极部111。如图I所示，非显示区域所对应的共通电极部109为连续型的，显示区域对应的共通电极部111呈现为一预设图案。如前文所述，液晶显示设备通过增加PEP的数量，可改善a-Si薄膜晶体管的像素开口率，从而提供超高分辨率的高画质图像效果。但是，此种设计会使数据线103与像素105之间的段差过大，造成Cell段制程易出现PI rubbing不良的情形。为了缓解数据线103与像素105之间的段差过大，虽然可借助减薄数据线103上方的保护层107，但随之而来会缩短数据线103与共通电极109之间的距离，增加RC负荷。为了有效地改进或消除上述缺陷，本专利技术提出了一种液晶显示设备以及该液晶显示设备的制造方法。图2为依据本专利技术的一实施方式的液晶显示设备的结构框图。参照图2，本专利技术的液晶显示设备包括一栅极绝缘层201、一数据线203、一像素205、一第一保本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示设备的制造方法，其特征在于，该制造方法包括以下步骤：形成一栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层挖出一沟槽；沉积一数据线于所述沟槽内；形成一像素于所述栅极绝缘层的上方；形成一图案化的第一保护层于所述数据线的上方以及所述像素的上方；以及形成一图案化的共通电极层于所述第一保护层的上方，其中，所述像素上方的共通电极层呈现一预设图案。

【技术特征摘要】
1.一种液晶显示设备的制造方法，其特征在于，该制造方法包括以下步骤 形成一栅极绝缘层； 在所述栅极绝缘层挖出一沟槽； 沉积一数据线于所述沟槽内； 形成一像素于所述栅极绝缘层的上方； 形成一图案化的第一保护层于所述数据线的上方以及所述像素的上方；以及形成一图案化的共通电极层于所述第一保护层的上方，其中，所述像素上方的共通电极层呈现一预设图案。2.根据权利要求I所述的制造方法，其特征在于，所述第一保护层为一非晶硅层。3.根据权利要求I所述的制造方法，其特征在于，所述共通电极层的材质为铟锡氧化物。4.一种液晶显示设备的制造方法，其特征在于，该制造方法包括以下步骤 形成一栅极绝缘层； 在所述栅极绝缘层挖出一沟槽； 沉积一数据线于所述沟槽内； 形成一像素于所述栅极绝缘层的上方； 填注一第二保护层于所述沟槽，以包围所述数据线； 形成一图案化的第一保护层于所述第二保护层的上方以及所述像素的上方；以及形成一图案化的共通电极层于所述第一保护层的上方，其中，所述像素上方的共通电极层呈现一预设图案， 其中，藉由所述第一保护层...

【专利技术属性】
技术研发人员：张祖翰，黄国有，陈勃学，陈茂松，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：