高频点低相噪的恒温晶体振荡电路制造技术

技术编号:8291318 阅读:152 留言:0更新日期:2013-02-01 04:20
一种高频点低相噪的恒温晶体振荡电路,涉及晶体振荡器技术领域,所解决的是现有电路起振困难,及相位噪声高的技术问题。该电路,包括晶体谐振器、低相噪三极管、输出电容;所述晶体谐振器的一端接到低相噪三极管的基极,另一端接外部输入的压控电压,并经一变容管接到地;所述输出电容的一端接低相噪三极管的集电极,另一端构成振荡电路输出端;其特征在于:还包括一辅助电感,所述辅助电感与晶体谐振器并联;所述低相噪三极管的发射极经一调节电容接到低相噪三极管的基极,经另一调节电容接到地,并依次经一调节电感、一调节电阻接到地。本实用新型专利技术提供的电路,可用于小体积恒温晶体振荡器。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及晶体振荡器技术,特别是涉及一种高频点低相噪的恒温晶体振荡电路的技术。
技术介绍
高频点恒温晶体振荡器在雷达通信、测量测试仪器领域里是个关键的频率基数部件,其低相位噪声和小体积也是市场需求的前景,但是高频点恒温晶体振荡器往往会因为晶体的等效阻抗(ESR)较大而导致振荡器起振困难、停振。如图2所不,传统的晶体振荡线路有功负载时会消耗一定的功率,从而会导致晶 体谐振器Yll的Q值降低,使得晶体谐振器Yll的稳定性下降,容易受周边有源组件影响,处于不稳定状态,出现时振时不振现象,相位噪声也受到了影响。以采用传统振荡线路的IOOMHz频点的高频恒温晶体振荡器为例,其晶体谐振器起振困难,噪声指标一致性差,且不利于量产,在输出频率为IKHz时,相位噪声指标一般在-135dBc/Hz,在输出频率为IOKHz时,相位噪声指标一般在-145dBc/Hz,在输出频率为IOOKHz时,相位噪声指标可以达到-150dBc/Hzo
技术实现思路
针对上述现有技术中存在的缺陷,本技术所要解决的技术问题是提供一种容易起振,且相位噪声低的高频点低相噪的恒温晶体振荡电路。为了解决上述技术问题,本技术所提供的一种高频点低相噪的恒温晶体振荡电路,包括晶体谐振器、低相噪三极管、输出电容;所述晶体谐振器的一端接到低相噪三极管的基极,另一端接外部输入的压控电压,并经一变容管接到地;所述低相噪三极管的基极经一偏置电阻接到地,并经另一偏置电阻接外部输入的供电电压,低相噪三极管的集电极经一负载电阻接到外部输入的供电电压;所述输出电容的一端接低相噪三极管的集电极,另一端构成振荡电路输出端;其特征在于还包括一辅助电感,所述辅助电感与晶体谐振器并联;所述低相噪三极管的发射极经一调节电容接到低相噪三极管的基极,经另一调节电容接到地,并依次经一调节电感、一调节电阻接到地。本技术提供的高频点低相噪的恒温晶体振荡电路,在晶体谐振器两脚间并联了一个辅助电感,从外部消除了晶体谐振器内部的静态电容CO值,使得晶体谐振器的内阻抗相比传统晶体振荡电路更小,更加容易起振,而且通过调节电感、调节电阻及两个调节电容可以提高低相噪三极管Ql的互导和电流的放大倍数,使电路更容易起振,且晶体谐振器的Q值没有受到较大影响,噪声也得到了优化,噪声指标一致性较好,可以达到95%左右,有利于大量生产。附图说明图I是本技术实施例的闻频点低相噪的恒温晶体振荡电路的电路图;图2是传统的晶体振荡线路的电路图。具体实施方式以下结合附图说明对本技术的实施例作进一步详细描述,但本实施例并不用于限制本技术,凡是采用本技术的相似结构及其相似变化,均应列入本技术的保护范围。如图I所示,本技术实施例所提供的一种高频点低相噪的恒温晶体振荡电路,包括晶体谐振器Yl、低相噪三极管Q1、输出电容C5 ;所述晶体谐振器Yl的一端经一电容Cl接到低相噪三极管Ql的基极,另一端接外部输入的压控电压VC,并经一变容管CRl接到地;所述低相噪三极管Ql的基极经一偏置电阻R2接到地,并经另一偏置电阻Rl接外部输入的供电电压VCC supply,低相噪三极管Ql的集电极经一负载电阻R3接外部输入的供电电压VCC supply ;所述输出电容C5的一端接低相噪三极管Ql的集电极,另一端构成振荡电路输出端;其特征在于还包括一辅助电感L2,所述辅助电感L2与晶体谐振器Yl并联;所述低相噪三极管Ql的发射极经一调节电容C2接到低相噪三极管Ql的基极,经另一调节电容C3接到地,并依次经一调节电感LI、一调节电阻R4接到地。本技术实施例中,所述晶体谐振器Yl是100M AT切型5次泛音晶体,所述低相噪三极管Ql的型号为BFR92AW,所述变容管CRl的型号为BB202。本技术实施例的工作原理如下外部输入的压控电压VC输入到晶体谐振器Y1,在辅助电感L2的作用下,从外部消除了晶体谐振器Yi内部的静态电容CO值,使得晶体谐振器Yl的内阻抗相对较小,更加容易起振,晶体谐振器Yl的输出经低相噪三极管Ql互导和放大后通过输出电容C5输出;通过适当的调节两个调节电容C2、C3的电容值,能提高低相噪三极管Ql的互导和电流的放大倍数,使电路更容易起振。本技术实施例适用于输出频点在50-200MHZ范围内的恒温晶体振荡器,可用于小体积恒温晶体振荡器,易于起振,噪声指标一致性较好,可以达到95%左右,有利于大量生产,在输出频率为IKHz时,相位噪声指标可以达到-145dBc/Hz,在输出频率为IOKHz时,相位噪声指标可以达到-158dBc/Hz,在输出频率为IOOKHz时,相位噪声指标可以达到-162dBc/Hz。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高频点低相噪的恒温晶体振荡电路,包括晶体谐振器、低相噪三极管、输出电容;所述晶体谐振器的一端接到低相噪三极管的基极,另一端接外部输入的压控电压,并经一变容管接到地;所述低相噪三极管的基极经一偏置电阻接到地,并经另一偏置电阻接外部输入的供电电压,低相噪三极管的集电极经一负载电阻接到外部输入的供电电压;所述输出电容的一端接低相噪三极管的集电极,另一端构成振荡电路输出端;其特征在于:还包括一辅助电感,所述辅助电感与晶体谐振器并联;所述低相噪三极管的发射极经一调节电容接到低相噪三极管的基极,经另一调节电容接到地,并依次经一调节电感、一调节电阻接到地。

【技术特征摘要】
1.一种高频点低相噪的恒温晶体振荡电路,包括晶体谐振器、低相噪三极管、输出电容; 所述晶体谐振器的一端接到低相噪三极管的基极,另一端接外部输入的压控电压,并经一变容管接到地; 所述低相噪三极管的基极经一偏置电阻接到地,并经另一偏置电阻接外部输入的供电电压,低相噪三极管的集电极经一负...

【专利技术属性】
技术研发人员:梁远勇冯培培曹海燕
申请(专利权)人:上海鸿晔电子科技有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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