蓄能装置及其制造方法制造方法及图纸

提供一种能够提高放电容量的蓄能装置和/或提供一种能够减小由反复充放电导致的电极退化的蓄能装置。提供一种包括用作活性材料层的晶体硅层的蓄能装置的电极。晶体硅层包括晶体硅区域、以及具有从该晶体硅区域向上突出的多个突起物的须状晶体硅区域。这些突起物包括第一突起物和第二突起物，第二突起物具有比第一突起物更大的沿轴的长度以及更尖锐的顶端。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的
涉及蓄能(energy storage)装置及其制造方法。注意，蓄能装置表示具有蓄电功能的所有元件及装置。
技术介绍
近年来，对如锂离子二次电池、锂离子电容器以及空气电池等蓄能装置进行了开发。用于蓄能装置的电极是通过在集电器(current collector)的一个表面或相反的表面上提供活性材料来制造的。作为活性材料，例如使用碳或硅等能够吸收并放出用作载流子的离子的材料。另外，硅或掺杂了磷的硅具有比碳大的理论容量，所以在增加蓄能装置 的容量方面是有利的(例如专利文献I)。 日本专利申请公开2001-210315号公报。
技术实现思路
然而，即使将硅用作如负极活性材料等活性材料时，获得理论容量那样的高放电容量也是很困难的。鉴于以上情况，本专利技术的一个实施方式的目的在于提供一种放电容量高的。另外，本专利技术的一个实施方式中，另一目的在于通过例如减轻由反复充放电导致的电极退化，来提供一种性能得到改进的。另外，本专利技术的一个实施方式中，另一目的在于通过例如提高放电容量或充电容量，来提供一种性能得到改进的。在所公开的蓄能装置中，利用晶体硅层作为活性材料层。另外，该晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：栗城和贵，汤川干央，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：
国别省市：