功率放大器及控制功率放大器的方法技术

一种功率放大器及控制功率放大器的方法，该功率放大器包含有一第一晶体管、一第二晶体管以及一偏压产生器，其中该第一晶体管具有一栅极、一第一电极以及一第二电极，且该栅极耦接于该功率放大器的一信号输入端点；该第二晶体管具有一栅极、一第一电极以及一第二电极，且该第二晶体管的该第二电极连接于该第一晶体管的该第一电极，且该第二晶体管的该第一电极耦接于该功率放大器的一信号输出端点。该偏压产生器耦接于该第二晶体管，用来产生一偏压值以使得该第二晶体管的该栅极被偏压至该偏压值，其中该偏压值小于该功率放大器的一供应电压。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种功率放大器,尤指一种级联功率放大器(cascode amplifier)以及控制级联功率放大器的方法。
技术介绍
由于在不同的通讯系统中具有不同调变信号的方式，因此所需要的功率发射器的规格也不相同，近年来由于无线网络802. lla、802. lib,802. Ilg所使用的正交分频多任务(Orthogonal Frequency Division Multiplexing, OFDM)调变信号具有高的峰值因子(Peak-to-Average Power Ratio，PAPR)，故需要高线性度的功率放大器。此外，高峰值因子的信号也会对功率放大器中的晶体管造成热载子效应以及氧化层击穿等伤害，因而降低晶体管的生命周期并造成晶体管元件的永久破坏，因此，一般均会使用级联结构(cascode)来实现功率放大器，以降低电压对晶体管元件的伤害。 请参考图1，图I为公知级联功率放大器100的示意图。如图I所示，级联功率放大器100用来放大一输入信号Vin并输出一输出信号Vout，且包含有晶体管Ml、M2、一作为负载的电感L以及一电容C，其中为了确保晶体管M1、M2会操作于饱和区，一般而言本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率放大器，包含：一第一晶体管，其具有一栅极、一第一电极以及一第二电极，其中，所述栅极耦接于所述功率放大器的一信号输入端点；一第二晶体管，其具有一栅极、一第一电极以及一第二电极，其中，所述第二晶体管的第二电极连接于所述第一晶体管的第一电极，且所述第二晶体管的第一电极耦接于所述功率放大器的一信号输出端点；以及一第一偏压产生器，耦接于所述第二晶体管，用来产生一第一偏压值以使得所述第二晶体管的栅极被偏压至所述第一偏压值，其中，所述第一偏压值小于所述功率放大器的一供应电压。

【技术特征摘要】
1.一种功率放大器，包含 一第一晶体管，其具有一栅极、一第一电极以及一第二电极，其中，所述栅极耦接于所述功率放大器的一信号输入端点； 一第二晶体管，其具有一栅极、一第一电极以及一第二电极，其中，所述第二晶体管的第二电极连接于所述第一晶体管的第一电极，且所述第二晶体管的第一电极耦接于所述功率放大器的一信号输出端点；以及 一第一偏压产生器，耦接于所述第二晶体管，用来产生一第一偏压值以使得所述第二晶体管的栅极被偏压至所述第一偏压值，其中，所述第一偏压值小于所述功率放大器的一供应电压。2.根据权利要求I所述的功率放大器，其中，所述第二晶体管的一基极耦接于所述第二电极。3.根据权利要求I所述的功率放大器，其中，所述第一偏压产生器将所述供应电压进行分压操作以产生所述第一偏压值。4.根据权利要求I所述的功率放大器，还包含有 一检测电路，耦接于所述第一晶体管的栅极，用来检测所述功率放大器的所述信号输入端点所接收的一输入信号，以产生一第二偏压值以使得所述第一晶体管的栅极被偏压至所述第二偏压值。5.根据权利要求4所述的功率放大器，其中，所述检测电路包含有 一波幅检测器，用来检测所述输入信号的一波幅强度以产生一波幅强度信号；以及 一第二偏压产生器，用来依据所述波幅强度信号以产生所述第二偏压值。6.根据权利要求5所述的功率放大器，其中，所述波幅强度信号与所述第二偏压值为正相关。7.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：王柏之，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：