【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及激光器
，尤其涉及一种掺镱光纤激光器。
技术介绍
掺镱光纤激光器，在波长为Ium左右可以获得高功率、高亮度激光输出。使其在工业加工、军事等领域有着广泛的应用前景。然而，为了获得更高功率输出，就需要将更高功率的泵浦激光耦合进入增益光纤。由于掺镱光纤在915nm和975nm附近有较强的吸收峰，所以，通常采用此波长输出的半导体激光器作为高功率光纤激光器的泵浦源。但是，半导体激光器输出激光亮度有限，无法获得高功率基模输出。这极大地限制了单点进入增益光纤的泵浦耦合功率。此外，半导体激光器的激光输出波长随驱动电流和环境温度变化较大，极难获得稳定波长输出，致使其在超高功率光纤激光的应用受到了限制。
技术实现思路
(一 )要解决的技术问题本专利技术要解决的技术问题是提供一种掺镱光纤激光器，以提高光纤激光器单点泵浦耦合功率，进一步提高光纤激光器的输出功率水平。( 二 )技术方案为解决上述问题，本专利技术提供了一种掺镱光纤激光器，包括泵浦源以及由所述泵浦源泵浦的掺镱增益光纤激光器主体，所述泵浦源为固体激光器，所述固体激光器的激光晶体以跃迁谱线为4F3/2 — 4I9...
【技术保护点】
一种掺镱光纤激光器，包括泵浦源以及由所述泵浦源泵浦的掺镱增益光纤激光器主体，其特征在于，所述泵浦源为固体激光器，所述固体激光器的激光晶体以跃迁谱线为4F3/2→4I9/2的钕离子作为增益介质。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：巩马理，闫平，肖起榕，柳强，张海涛，黄磊，刘欢，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：
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