一种自激推挽振荡电路制造技术

本实用新型专利技术是一种自激推挽振荡电路，包括LC滤波电路(1)，RC振荡电路(2)，振荡驱动及保护电路(3)和整流滤波电路(4)，所述LC滤波电路(1)具有电感L1和输入滤波电容C1，所述电感L1位于LC滤波电路(1)的输入端，电感L1的一端与电源Vin连接，电感L1的另一端与输入滤波电容C1串联，输入滤波电容C1的另一端与电源GND连接，所述RC振荡电路(2)包括振荡电路R1和振荡电路C2，所述振荡电路R1的一端与电感L1的一端连接，另一端同振荡电路C2连接，并与振荡驱动及保护电路(3)中的反馈变压器T1-2主饶组中间抽头连接，振荡驱动及保护电路(3)中场效应管为N型MOSFET场效应管。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种自激推挽振荡电路。
技术介绍
目前，市面上自激推挽振荡多采用晶体三极管电路方式，此电路存在磁通不平衡的缺点。在上电时易出现正弦振荡，不稳定、不规则，造成电路在上电时输出电压低，输出电压上升过于缓慢，达到额定输出电压经常要几秒至十几秒，从而引起后续电路的不正常工作、单片机不能正常复位、后续电路不工作引发整体功能紊乱，此时磁芯偏离平衡点而趋向饱和，而饱和区的磁芯不能承受电压，当相应的开关管再次导通时，开关管将承受很大的电压和电流，导致开关管损坏。
技术实现思路
技术的目的在于提供一种改进性的自激推挽振荡电路，以稳定应用于直流变换器中。本技术的目的可通过以下的技术措施来实现一种自激推挽振荡电路，包括LC滤波电路(1)，RC振荡电路(2)，振荡驱动及保护电路(3)和整流滤波电路⑷；所述LC滤波电路(I)具有电感LI和输入滤波电容Cl，所述电感LI位于LC滤波电路(I)的输入端，电感LI的一端与电源Vin连接，电感LI的另一端与输入滤波电容Cl串联，输入滤波电容Cl的另一端与电源GND连接；所述RC振荡电路⑵包括振荡电路Rl和振荡电路C2，所述振荡电路Rl的一端与电感LI的一端连接，另一端同振荡电路C2连接，并与振荡驱动及保护电路(3)中的反馈变压器T1-2主饶组中间抽头连接；振荡驱动及保护电路(3)中场效应管为N型MOSFET场效应管。所述振荡驱动及保护电路(3)包括反馈变压器T1-2，原级变压器T1-1，驱动电阻R2，驱动电阻R3，晶体管Ql和晶体管Q2，所述反馈变压器T1-2饶组两端分别于驱动电阻R2和R3的一端连接，驱动电阻R2和R3的另一端分别与晶体管Ql和晶体管Q2的栅极连接，原级变压器Tl-I绕组两端分别与Ql的漏极，Q2的源极连接，Ql的源极和Q2的漏极与电源GND连接，保护电路C3两端分别接于Ql，Q2的漏极之间。所述电感LI中采用的电感为DIP工字磁芯DR4*6、DR6*8或SMD贴片⑶32、⑶43、CD54、SM104、和 SM107 电感。本技术的有益效果电路采用MOSFET场效应管后，可以大大减少变压器的磁通不平衡问题。首先，MOSFET场效应管没有存储时间，在交替的半周期内，对于相等的栅极导通次数，漏极电压导通次数总是相等。因此在交替的半周期中施加到变压器上的伏秒数相等。第二，对于MOSFET场效应管，Rds (on)的正温度系数形成的负反馈阻止了磁通不平衡问题的产生。通过场效应管Rds(on)导通压降增加及减少原理，使绕组上的电压上升及下降，提高及降低伏秒数，从而使磁芯向磁化曲线的中心复位，达到磁通平衡的目的。从而达到电路正常正常工作的目的。附图说明图I为本技术的电路原理图；图2为LC滤波电路的示意图；图3为RC振汤电路的不意图；图4为振荡驱动及保护电路的示意图；图5为整流滤波电路的示意图。具体实施方式下面结合具体的实施例对本技术做了进一步的描述。如图1-5所示，一种自激推挽振荡电路，包括LC滤波电路(1)，RC振荡电路(2)，振荡驱动及保护电路(3)和整流滤波电路(4)；所述LC滤波电路⑴具有电感LI和输入滤波电容Cl，所述电感LI位于LC滤波电路(I)的输入端，电感LI的一端与电源Vin连接，电感LI的另一端与输入滤波电容Cl串联，输入滤波电容Cl的另一端与电源GND连接；所述RC振荡电路⑵包括振荡电路Rl和振荡电路C2，所述振荡电路Rl的一端与电感LI的一端连接，另一端同振荡电路C2连接，并与振荡驱动及保护电路(3)中的反馈变压器T1-2主饶组中间抽头连接；振荡驱动及保护电路(3)中场效应管为N型MOSFET场效应管。所述振荡驱动及保护电路(3)包括反馈变压器T1-2，原级变压器T1-1，驱动电阻R2，驱动电阻R3，晶体管Ql和晶体管Q2，所述反馈变压器T1-2饶组两端分别于驱动电阻R2和R3的一端连接，驱动电阻R2和R3的另一端分别与晶体管Ql和晶体管Q2的栅极连接，原级变压器Tl-I绕组两端分别与Ql的漏极，Q2的源极连接，Ql的源极和Q2的漏极与电源GND连接，保护电路C3两端分别接于Ql，Q2的漏极之间。所述电感LI中采用的电感为DIP工字磁芯DR4*6、DR6*8或SMD贴片CD32、CD43、CD54、SM104、和 SM107 电感。次级变压器T1-3中间抽头为输出参考端，次级变压器T1-3绕组两端各自连接一个整流二极管D1，D2阳极，输出整流二极管D1，D2阴极与滤波电容C4 一端连接，C4另一端接输出参考端。R4为预负载电阻，接于输出电源与输出参考端。当输入电压后，反馈变压器完成自激振荡频率和驱动功能，通过变压器Tl原级与次级耦合，实现能量传至输出端，经整流二极管D1，D2，输出电压。如图1，图2所示，初级绕组中间抽头上串联一个电感LI构成了电流反馈型电路。当串联电感后铁心饱和时，开关管上出现一个幅值很大的电流尖峰，电流变化率di/dt很大，但由于电感电流不能突变，变压器中心抽头处的电压将下降到地电位，因此可以消除开关管导通和关断时出现的电流尖峰。从而保证电流尖峰的很好解决，同时降低了开关管的损耗，效率也能得到了极大地提高。如图3所示，自激振荡电路采用MOSFET场效应管，能够有效解决磁通不平衡问题。电容C3能够有效的抑制电流尖峰，起到保护MOSFET场效应管的目的。当然，以上所述仅是本技术的一种实施方式而已，应当指出本
的普 通技术人员来说，在不脱离本技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰均属于本技术权利要求的保护范围之内。权利要求1.一种自激推挽振汤电路，包括LC滤波电路(I)，RC振汤电路(2),振汤驱动及保护电路⑶和整流滤波电路⑷； 所述LC滤波电路(I)具有电感LI和输入滤波电容Cl，所述电感LI位于LC滤波电路(I)的输入端，电感LI的一端与电源Vin连接，电感LI的另一端与输入滤波电容Cl串联，输入滤波电容Cl的另一端与电源GND连接； 所述RC振汤电路⑵包括振汤电路Rl和振汤电路C2，所述振汤电路Rl的一端与电感LI的一端连接，另一端同振荡电路C2连接，并与振荡驱动及保护电路(3)中的反馈变压器TI-2主饶组中间抽头连接； 振荡驱动及保护电路(3)中场效应管为N型MOSFET场效应管。2.如权利要求I所述的一种自激推挽振荡电路，所述振荡驱动及保护电路(3)包括反馈变压器T1-2，原级变压器Tl-I，驱动电阻R2，驱动电阻R3，晶体管Ql和晶体管Q2，所述反馈变压器T1-2饶组两端分别于驱动电阻R2和R3的一端连接，驱动电阻R2和R3的另一端分别与晶体管Ql和晶体管Q2的栅极连接，原级变压器Tl-I绕组两端分别与Ql的漏极，Q2的源极连接，Ql的源极和Q2的漏极与电源GND连接，保护电路C3两端分别接于Ql，Q2的漏极之间。3.如权利要求I所述的一种自激推挽振荡电路，所述电感LI中采用的电感为DIP工字磁芯 DR4*6、DR6*8 或 SMD 贴片 CD32、CD43、CD54、SM104、和 SM107 电感。专利摘要本技术是一种自激推挽振荡电路，包括LC滤波电路(1)，RC振荡电路(2)，振荡驱动及保护电路(3)和整流滤波电路(4)，所述LC本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种自激推挽振荡电路，包括LC滤波电路(1)，RC振荡电路(2)，振荡驱动及保护电路(3)和整流滤波电路(4)；所述LC滤波电路(1)具有电感L1和输入滤波电容C1，所述电感L1位于LC滤波电路(1)的输入端，电感L1的一端与电源Vin连接，电感L1的另一端与输入滤波电容C1串联，输入滤波电容C1的另一端与电源GND连接；所述RC振荡电路(2)包括振荡电路R1和振荡电路C2，所述振荡电路R1的一端与电感L1的一端连接，另一端同振荡电路C2连接，并与振荡驱动及保护电路(3)中的反馈变压器T1？2主饶组中间抽头连接；振荡驱动及保护电路(3)中场效应管为N型MOSFET场效应管。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张文雷，
申请(专利权)人：宁波经济技术开发区恒率电源科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：